【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、アンカリング強度の大きい光配向膜を形成し、液晶表示装置のＡＣ残像を抑制する。
【解決手段】光配向処理を施す配向膜材料において、剛直な高分子となるポリイミドと、柔軟な高分子となるポリイミドを混合して用いる。本発明にかかるこの材料は、偏光紫外線照射後におけるオリゴマの回転を生じやすく、配向膜のUV吸収二色比を向上させることが出来る。したがって、配向膜による液晶に対するアンカリング強度が強く、ＡＣ残像を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】上記液晶表示装置は、第１表示板と第２表示板との間に、液晶分子を有する液晶層を含み、上記第１表示板と上記第２表示板の中の少なくとも一つに形成された配向膜は、第１ポリシロキサンと該第１ポリシロキサン上に配置された第２ポリシロキサンを含む。上記第２ポリシロキサンのケイ素原子の第１部位は、上記液晶層の液晶分子と相互作用をする垂直官能基と結合し、さらに上記液晶層の液晶分子を上記第１又は第２表示板に対して傾くように配向する第１プレチルト官能基と結合する。上記第２ポリシロキサンの結合構造は、上記第１ポリシロキサンの結合構造と異なる。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２
の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を
有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第
３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のド
ーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶ディスプレー、及びアレイ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、前記ベース基板上に形成された第１層透明共通電極と、前記第１層透明共通電極上に形成されたゲート金属共通電極と、前記ゲート金属共通電極上に形成され、かつビアホールが形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第２層透明共通電極とを備えるアレイ基板において、前記ビアホールの縁部は、一部がゲート金属共通電極に接触され、他の一部が第１層透明共通電極に接触されているので、前記第２層透明共通電極が前記第１層透明共通電極及び前記ゲート金属共通電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上
においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層
１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０
４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０
ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成及び動作によって表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】表示装置が入力デバイスを備え、該入力デバイスから出力される画像操作信号に応じて、駆動回路に対する画像信号の入力を制御する。具体的には、入力デバイスが操作されない際の画像信号の入力頻度を、入力デバイスが操作される際の画像信号の入力頻度よりも低くする。これにより、当該表示装置が使用される際の表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することが可能となり、且つ使用されない際の消費電力を低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した副画素電極と、前記副画素電極の一端側に接続され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第１主画素電極と、前記副画素電極の他端側に接続され第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出した第２主画素電極と、を備えた第１基板と、前記副画素電極を挟んだ両側にそれぞれ配置され第１方向に沿って延出した第１副共通電極及び第２副共通電極と、前記副画素電極の一端側で第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第１副共通電極と接続された第１主共通電極と、前記副画素電極の他端側で第２方向に沿って前記第２主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第２副共通電極と接続された第２主共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主画素電極及び第２主画素電極と、第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主共通電極、第２主共通電極、及び、第３主共通電極とを備え、前記第１主共通電極と前記第２主共通電極との間に前記第１主画素電極が対向するとともに前記第２主共通電極と前記第３主共通電極との間に前記第２主画素電極が対向し、第１方向に直交する第２方向に沿った前記第１主共通電極と前記第１主画素電極との間の第１電極間距離、前記第２主共通電極と前記第１主画素電極との間の第２電極間距離、前記第２主共通電極と前記第２主画素電極との間の第３電極間距離、及び、前記第３主共通電極と前記第２主画素電極との間の第４電極間距離のうち、１つ乃至３つの電極間距離は、他の電極間距離とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部（ａ）と周辺部（ｃ）とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜３上に半導体層４と画素電極５を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部（ａ）の半導体層４と画素電極５とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部（ａ）と周辺部（ｃ）における半導体層４を露出させ、周辺部の半導体層４をエッチング量の指標として用いて画素領域（ａ）の半導体層４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過半反射型アレイ基板及び半透過半反射型液晶ディスプレーを提供する。
【解決手段】前記アレイ基板は複数の画素ユニットを有する。各画素ユニットは、ベース基板に設けられる反射電極及び透過電極と、前記ベース基板に設けられ、光線が前記ベース基板から前記反射電極と前記透過電極との間に透過することを遮断し、前記反射電極と前記透過電極との間であって前記反射電極及び前記透過電極の下方に設けられる不透明なゲートラインと、ゲート電極が前記ゲートラインに電気的に接続される薄膜トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置等の接続端子部分における腐食による断線を防止する。
【解決手段】第１の配線（２）と第２の配線（６）とを透明導電薄膜（１０）により複数箇所で接続して接続端子を構成する。接続端子部分が第１の配線（２）と第２の配線（６）とによる並列接続となり、且つ、第１の配線（２）と第２の配線（６）とが複数箇所で接続されるため、断線のリスクが大幅に低減される。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間に位置し第１方向に沿って延出した主画素電極と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第１方向に沿って延出した第１主共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極と対向し第１方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の水素拡散防止膜と、前記第１の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第１の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させることなく画素電極の凹凸を低減してコントラストを確保できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル11は、アレイ基板12を有する。アレイ基板12は、絶縁層21を備える。アレイ基板12は、絶縁層21の液晶層14に対して反対側に複数の薄膜トランジスタ24を備える。アレイ基板12は、薄膜トランジスタ24を覆う支持層27を備える。アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの遮光マスクとして金属膜を用いた従来の液晶表示パネルでは、
他の配線との寄生容量が形成され信号の遅延が生じやすいという問題が生じていた。また
、カラーフィルタの遮光マスクとして黒色顔料を含有した有機膜を用いた場合、製造工程
が増加するという問題が生じていた。
【解決手段】本発明は、遮光マスク（ブラックマトリクス）を用いることなく、対向基板
上に遮光部１５、１６として２層の着色層を積層した膜（赤色の着色層１３と青色の着色
層１２との積層膜、あるいは赤色の着色層１３と緑色の着色層１１との積層膜）を素子基
板のＴＦＴと重なるよう形成する。 （もっと読む）

【課題】視認者にとって裸眼での３次元表示を可能とする距離（表示画面と視認者の目との距離）範囲を拡大し、且つ消費電力を低減する。
【解決手段】視認者と表示パネルとの距離に応じてシャッターパネルにおける視差バリアを最適な配置となるよう制御する。具体的には、複数の光学シャッター領域による透光状態または遮光状態及び画素における表示素子単位を、保持状態毎に選択的に切り替えて適宜最適な視差バリアを形成する。また保持状態は、液晶層を挟持する電極の少なくとも一方の電極が酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタに接続され、当該トランジスタを非導通状態とすることで実現するものである。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）