【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ゲート電圧のＯＮ、ＯＦＦ動作に起因する画素電極電位の変動を抑える。
【解決手段】ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上に画素電極１０１が形成されている。画素電極１０１を覆ってゲート絶縁膜１０３が形成され、その上に無機パッシベーション膜１０９が形成され、その上にコモン電極１１１が形成されている。コモン電極１１１に形成されたスリット部１１２における電気力線によって液晶分子２００を駆動する。画素電極１０１とゲート絶縁膜１０３との間にコモン電極１１１と接続した容量電極１０８を形成し、画素電極１０１との間に付加容量１５０を形成する。この付加容量１５０によって、ゲート電圧の変動に起因する画素電極電位の変動を抑えることが出来る。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するための工程を省略し、ゲート電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。配線の形状及び電位を工夫することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】画素の列毎に設けられた複数のデータ線により異なる領域に反転駆動を行うための画像信号を同じタイミングで供給する液晶表示装置の駆動方法において、データ線の電圧の変化が不十分なことによる表示不良を低減できる液晶表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】正の電圧を液晶に印加する第１の画像信号を第１のデータ線及び第２のデータ線を介して画素に供給する第１の期間と、走査線により画素を非選択として１行目の画素に供給される負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第１のデータ線に供給し、且つ第（ｎ＋１）行目の画素に供給される負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第２のデータ線に供給する第２の期間と、負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第１のデータ線及び第２のデータ線を介して画素に供給する第３の期間と、を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型液晶表示装置の画質を改善する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板上にゲート線と共に共通電極線が形成されており、共通電極線には分枝として保持容量電極が形成されている。ゲート線と共通電極線の上にはゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶縁膜の上にはデータ線が形成されている。データ線の上には保護膜が形成されており、保護膜の上には第１開口パターンを有する画素電極が形成されている。薄膜トランジスタ基板と対向する上部基板にはブラックマトリックスと第２開口パターンを有する共通電極が形成されている。この時、画素電極は、第２開口パターンと画素電極の辺とが重なる部分において、保持容量電極を完全に覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、映像信号線、ドレイン電極、ソース電極の断線を防止し、製造歩留まりを向上させるとともに、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３にはドレイン電極１０４とソース電極１０５が配置されている。ゲート絶縁膜１０２の上には平面形状の画素電極１０６が形成されている。画素電極１０６はドレイン電極１０４、ソース電極１０５、映像信号線等よりも先に形成され、その後、ソース電極１０５等を形成する。これによって、ＩＴＯをパターニングするときに、ＩＴＯにピンホール等が存在する場合に現像液を介した電池作用によって、映像信号線、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５等が侵されて断線を引き起こすことを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】周囲の明るさに合わせた画像表示を行う液晶表示装置を提供することを課題の一とする。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶層を介して入射する光を反射して表示を行う反射領域と、バックライトからの光を透過して表示を行う透過領域とを設け、反射モードと透過モードの切り換えを行う。フルカラー画像の表示を行う場合、画素部が第１の領域及び第２の領域を少なくとも有し、第１の領域に、異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い、順次供給される。透過モード時に、反射領域を黒表示として、外光が反射領域で反射されることによるコントラストの低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ドレイン線と画素電極との層間ずれに伴う寄生容量の変動を抑制し、画素間のＬＣＤ特性を安定させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
第１の方向に延在し第２の方向に並設されるドレイン線と、前記第２の方向に延在しＸ前記第１の方向に並設されるゲート線と、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域に形成される画素電極とを備える表示装置であって、前記ドレイン線と前記画素電極との間に形成され、前記ドレイン線の延在方向に伸延し、前記ドレイン線に近接する側が当該ドレイン線と所定距離離間して形成される第１の電極を有し、前記第１の電極は、前記ドレイン線と同層に形成され、前記画素電極側の辺縁部が当該画素電極に電気的に接続される表示装置である。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。或いは、消費電力の低減を実現することができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を少なくとも有する画素部と、複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するオフ電流の著しく低いトランジスタとをそれぞれ有し、複数の光源は、第１の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番に従い順次供給すると共に、第２の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給する第１の駆動、或いは第１の領域及び第２の領域のいずれか一つまたは両方に単一の色相を有する光を連続して供給する第２の駆動を行い、電圧の保持を行う期間が、第１の駆動と第２の駆動とで異なる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の周囲が明るい環境でも、薄暗い環境でも、その環境に合わせて画像表示を認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶層を介して入射する光を反射して表示を行う領域（反射領域）と、バックライトからの光を透過して表示を行う領域（透過領域）とを設け、透過モードと反射モードの切り換えを行う。フルカラー画像の表示を行う場合、画素部が第１の領域及び第２の領域を少なくとも有し、第１の領域に、異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い、順次供給される。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】光の検出精度を向上させる。
【解決手段】第１のライトユニットと、第２のライトユニットと、表示回路と、Ｙ個（Ｙは２以上の自然数）の光検出回路と、を具備する入出力装置の駆動方法であって、Ｙ個の光検出回路のそれぞれに同じ光検出制御信号を入力し、表示選択信号により設定されるフレーム期間において、Ｚ個の発光ダイオードを順次切り替えて発光させることで第１のライトユニットを点灯させ、第１のライトユニットが消灯状態のときに白色発光ダイオードを発光させて第２のライトユニットを点灯させることを含み、第２のライトユニットが点灯状態である期間に、Ｙ個の光検出回路に入射する光の照度に応じたＹ個のデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】製造工程中に生じる静電気に起因する不良を防止しつつ、簡便なプロセスで製造可能であり、かつ、薄膜トランジスタ特性を維持しつつ検査に適した薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線１及びソース配線２の少なくとも一方と、抵抗体４を介して電気的に接続されるショートリング配線３を備える。抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。 （もっと読む）