【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、視野角
制御を行う際に直視方向の光漏れを低減させた視野角制御機能が良好な液晶表示パネルを
提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、表示用サブ画素１６Ａ及び視野角制御用
サブ画素１７Ａを備え、それぞれのサブ画素の上電極２８には、それぞれ複数のスリット
状開口２９Ａ、３０Ａが形成され、上電極２８の表面及びスリット状開口２９Ａ、３０Ａ
内に形成された第１配向膜のラビング処理の方向ＲＡは、視野角制御用サブ画素１７Ａの
スリット状開口３０Ａの延在方向の垂線に対してα２傾斜している。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な工程で画素領域にコンタクトホールを形成せず、ダーク領域とディスクリネーションを最大限除去することによって、開口率を増加させることができるようにする。
【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、画素領域内に透明画素電極と透明共通電極を備えて液晶を駆動し、透明共通電極は、複数のスリットを有し、単位画素が互いに連結されるようにスイッチング素子の少なくとも一部をオープンして形成され、スリットは、ゲートラインと５乃至１０度の角度をもって形成され、液晶層のラビング方向は、ゲート方向と実質的に平行に構成される。本発明によれば、開口率の低下要因を除去し、光の漏れ現象を遮断し、内部反射をさらに向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の輝度を向上しながらも、色濃度の低下を防止し、画質を向上する。
【解決手段】４色液晶表示装置は、互いに交差する複数のゲート線１２１及び複数のデータ線１７１、そして前記ゲート線１２１及び前記データ線１７１と連結され、赤色副画素ＲＰ、緑色副画素ＧＰ、青色副画素ＢＰ及び白色副画素ＷＰを各々含む複数の画素を含み、前記白色副画素ＷＰの大きさが他の副画素よりも小さく、前記各データ線１７１は前記副画素間を通り、少なくとも一つの屈折部を有し、前記データ線１７１の長さは実質上同一である。白色副画素ＷＰの大きさを他の副画素の大きさよりも小さく設計するので、輝度を向上しながらも、色濃度の低下を防止し、躍動感のある映像を表示する。そして、副画素間を通るデータ線１７１の長さが実質上同一であるため、データ線１７１の長さ差異による負荷差が生じなく、負荷差による画質劣化を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 IPS-Proモードの液晶表示装置における透過率の向上と混色の防止を両立させる。
【解決手段】 液晶層、アクティブ素子、画素電極、および共通電極を有し、前記画素電極と前記共通電極とは、絶縁層を介して積層されており前記液晶層からの距離が異なる画素がドットマトリクス状に配置された液晶表示パネルを有し、隣接する２つの画素の境界にある液晶層には、前記画素電極とは異なる導体と前記共通電極との電位差により生じる電界が印加され、かつ、当該電界を印加したときの液晶分子の回転方向が、画素電極と共通電極との電位差により生じる電界を印加したときの液晶分子の回転方向とは逆になる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 輝度が高く、応答性の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、第１の基板と、画素電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層に電圧を印加しながら紫外線を照射することにより、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定するポリマー層と、クロスニコルに配置された２枚の偏光板と、を備え、前記画素電極には、１つの画素の中に液晶の配向が互いに異なる４つの領域を形成するための複数のスリットであって、前記４つの領域のそれぞれの中で互いに平行に延びる複数のスリットが形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いるのに好適な新たな構造の酸化物半導体膜を提供することを目的の一とする。または、新たな構造の酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】非晶質を主たる構成とする非晶質領域と、表面近傍の、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７の結晶粒を含む結晶領域と、を有し、結晶粒は、そのｃ軸が、表面に対して略垂直な方向となるように配向している酸化物半導体膜である。または、このような酸化物半導体膜を用いた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。
【解決手段】ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物およびこれを用いた表示基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトレジスト組成物はアルカリ可溶性樹脂、キノンアジアド系化合物を含む溶解抑制剤、ベンゾ−ル類化合物を含む第１添加剤、アクリル供重合体を含む第２添加剤および有機溶媒を含む。これによって、耐熱性を向上させながらもフォトレジストパターンを容易にストリップさせ、フォトレジストパターンにクラックが生じるのを低減させる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマを用いたアモルファス型シリコン薄膜やポリシリコン薄膜の製造は、半導体層の形成に真空装置を用いるため、ｐ−ｎ接合やＴＦＴを形成する半導体薄膜を必要な部分にのみ選択的に形成することが難しいという課題がある。
【解決手段】 本発明は、印刷法を用いてチャネル領域が反応性単分子膜で被われたｎ型またはｐ型Ｓｉ微粒子で形成されているTFT やTFTアレイを製造提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高解像度による画素サイズの変化や各画素の既存ストレージ容量の変化によって補助ストレージ容量を形成することによって、全体的なストレージ容量を維持するか、または増加させて、画素品質を効果的に改善することができるＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、下部基板にはゲートラインＧとデータライン６００によって各単位画素領域が規定され、交差部には、スイッチング素子が配置されており、液晶層に電界を掛けて光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極４００と、透明共通電極８００とを備え、また、透明補助容量電極１５０を備え、前記透明補助容量電極は、所定のコンタクトホールを介して前記下部基板外郭の非表示領域に形成された共通バスラインと電気的に接続され、共通バスラインには、前記透明共通電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板１は、基板１００上に配置されたゲート電極２００と、前ゲート電極２００上に配置されたゲート絶縁膜３１０と、ゲート絶縁膜３１０上の、互いにゲート電極２００を挟んで対向する位置に形成されたソース電極７１０及びドレイン電極７２０と、ソース電極７１０上に形成されたソース領域と、ドレイン電極７２０上に形成されたドレイン領域と、ソース領域上、ドレイン領域上、及びソース領域と前記ドレイン領域との間のゲート絶縁膜３１０上に配置され結晶性シリコンを含む半導体膜４２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】任意に視角制御が可能であると共に優れた光学特性を有する液晶装置およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、互いにＦＦＳ方式の電極構成を有する略矩形状の表示用画素Ｐｃと視角制御用画素Ｐｂとを備え、視角制御用画素Ｐｂは異なる色の表示用画素Ｐｃ（Ｒ），Ｐｃ（Ｇ），Ｐｃ（Ｂ）に亘って隣接して設けられ、視角制御用画素Ｐｂの短手方向に亘って互いに間隔を置いて配置された複数の帯状電極部１８ａを有する第２電極としての画素電極１８と、平面視で画素電極１８に対向するように配置された第１電極としての共通電極１７との間に電界を生じさせ液晶層における液晶分子の配向方向を制御することにより、視角制御用画素Ｐｂの正面方向に対する斜め方向の輝度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】表示装置用アレイ基板を得る。
【解決手段】パッド部において、ボトムバリアメタル／アルミニウム／トップバリアメタルの積層からなる配線上に、絶縁層を介して接続パッドが設けられている。 （もっと読む）