アレイ基板
【課題】表示装置用アレイ基板を得る。
【解決手段】パッド部において、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる配線上に、絶縁層を介して接続パッドが設けられている。
【解決手段】パッド部において、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる配線上に、絶縁層を介して接続パッドが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光ダイオード装置、液晶表示装置等の表示装置に用いられるアレイ基板に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオード(OLED)デバイスのアレイ基板では、通常、信号線としてTi/Al/Ti(以下、TATとする)積層膜を使用し、反射型画素電極としてITO/Ag/ITO積層膜が使用されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
このOLEDデバイスでは、まず、信号線としてTAT積層膜をスパッタし、PEP、エッチングした後、パッシベーション膜としてSiNを成膜する。次に、平坦層の樹脂膜を形成、パターニングを行い、続いて先に成膜したSiNのパターニングを行う。次に、反射層としてAlまたはAgなどのメタル層、あるいはそれらを含む積層膜たとえばITO/Ag/ITOの積層膜を成膜する。下地のITO層は、樹脂平坦膜との密着性を高めるために必要である。続いてレジストパターンを形成して、2段階のウェットエッチングを行う。1段階目は、トップITOとAgのエッチングである。レジストパターンはそのままの状態で、引き続きボトムITOのエッチングを行う。その後、画素部に図示しないリブ層(樹脂層)、EL層、陰極を形成する。
【0004】
以上のプロセスにより、画素部、OLBパッド部、および図示しない回路部が形成される。図に示すOLBパッド部は表層にTiがある。この部分にFPCを接続することにより、パネルと外部回路とを接続する。ところが、パッド部のTiとFPCを直接接続すると、接続部分の抵抗が高くなるという問題を生じることが分かった。
【0005】
この問題を解決するために、信号線をTATの替わりにTAT+TiNの4層構造にすることが考えられる。しかしこの構造に関しては、パッシベーションSiN膜の加工(ドライエッチング)において、SiNとTiNの選択比が十分に取れず、TiNを打ち抜いてしまうという新たな問題が発生する。TiNを打ち抜いてしまうと、その下のTiが最表面に出るため、抵抗が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2004−103247号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、表示装置に好適に使用し得るアレイ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明のアレイ基板は、基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる信号線、該信号線上に形成され、第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁材料からなる絶縁層、該絶縁層上に設けられ、該第1のコンタクトホールを介して該信号線と接続された接続用金属からなる第1の画素電極層、及び該第1の画素電極層上に形成された反射用金属からなる第2の画素電極層を有する画素部と、
該基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線、該配線上に設けられ、第2のコンタクトホールを有し、該第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層、及び該第2のコンタクトホールを介して該配線上に接続して設けられ、該接続メタルと同様の材料からなる接続パッドを有するパッド部とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、有機EL表示パネル等の表示装置に好適なアレイ基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明に係るアレイ基板の一例を表す断面図である。
【図2】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図3】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図4】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図5】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図6】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図7】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図8】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図9】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図10】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図11】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図12】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図13】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図14】本発明のアレイ基板を用いた有機EL表示パネルの一例の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【0012】
図1は、本発明に係るアレイ基板の一例を表す断面図を示す。
【0013】
図示するように、このアレイ基板20には、基板1と、この基板1上に所定のパターンで形成された、複数のポリシリコン層2a,2b,2cが設けられている。
【0014】
アレイ基板20の画素部では、複数のポリシリコン層2a,2b上に、ゲート絶縁膜5を介して形成された補助容量電極4a,ゲート電極4bが設けられている。補助容量電極4a,ゲート電極4b上には、層間絶縁膜5を介して、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなるドレイン電極6a,及びソース電極6b等の信号線が形成され、信号線上には、第1の絶縁材料からなるパッシベーション膜7a,7b、及び平坦化層8が形成され、パッシベーション膜7a,7b、及び平坦化層8には、さらに、第1のコンタクトホール17としてのスルーホールが設けられている。平坦化層8上には、接続用金属からなる第1の画素電極層9aが設けられ、第1の画素電極層9aは、第1のコンタクトホール17を介して各信号線と接続されている。第1の画素電極層9a上には、反射用金属からなる第2の画素電極層10が形成されている。さらに、第2の画素電極層10上には第3の画素電極11が形成されている。
【0015】
一方、アレイ基板20のパッド部では、ポリシリコン層2c上に信号線と同様にボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線6cが設けられている。配線6c上には、第2のコンタクトホール18を有し、第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層7aが設けられている。絶縁層7a上には、第1の画素電極と同様の材料からなる接続パッド9bが、第2のコンタクトホール18を介して配線6c上に接続して設けられている。
【0016】
図1に示すアレイ基板は、以下の方法により形成することが出来る。
【0017】
図2乃至図13は、図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【0018】
図2に示すように、ガラス基板1上に図示しない例えばSiN,SiO2などの絶縁膜を介してアモルファスシリコン層2をCVD法で堆積する。
【0019】
図3に示すように、アモルファスシリコン層2をエキシマレーザアニール法(ELA)で結晶化し、ポリシリコンとする。
【0020】
図4に示すように、ポリシリコンをパターニングして、複数のポリシリコン層2a,2b,2を形成する。
【0021】
図5に示すように、CVD法でゲート絶縁膜3を成膜する。
【0022】
図6に示すように、例えばMoW,AlSi等の金属材料をスパッタして金属層を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、ゲート電極を形成する。
【0023】
図7に示すように、例えばSiO2,SiN等の層間絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、図8に示すように、コンタクトホール17を空ける。
【0024】
図9に示すように、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層例えばTi/Al/Tiの積層をスパッタし、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、画素部のポリシリコン膜2b上に、信号線として、ドレイン電極6a,及びソース電極6bを形成し、パッド部のポリシリコン膜2c上に、配線6cを形成する。
【0025】
図10に示すように、パッシベーション膜7として、例えばSiNをCVD法にて形成する。
【0026】
続いて、図11に示すように、例えばアクリル系樹脂からなる平坦層8を形成後、パターニングする。
【0027】
その後、続いて先に成膜したパッシベーション膜7のパターニングを行ない、画素部の信号線上、及びパッド部のTi/Al/Tiの積層配線6c上に、各々、パッシベーション膜7a,7b,7cを形成する。なお、パッド部のパッシベーション膜7cの中央には第2のコンタクトホール18が設けられる。
【0028】
次に、図12に示すように、反射型画素電極層として、第1の画素電極層9,第2の画素電極層10,及び第3の画素電極層11の多層膜例えばTiN/Ag/ITOの多層膜をスパッタ成膜する。なお、樹脂平坦層の上に直接Agを成膜することは、密着性の観点で不可能であり、ここではTiNが密着層として機能する。また同時に、このTiN層9は完成時にはパッド部において最表面に出る接続パッド9cとなり、パッシベーション膜7cの第2のコンタクトホール19を介して、パッド部のTi/Al/Tiの積層配線6cと接続される。
【0029】
図13に示すように、まず、Ag/ITOをパターニングする。エッチングは、りん酸、硝酸、酢酸との混酸によるウェットエッチングである。
【0030】
ここで一旦レジストを剥離した後、再度レジストパターンを形成し、今度はボトムのTiN層をドライによりエッチングする。
【0031】
トップITO/Agのレジストパターンは、画素部にトップITO/Agの反射層を残すためのパターンである。次のTiNのレジストパターンは、画素部の反射Ag下部にTiNを残し、また、パッド部のTAT上にTiNを残すためのパターンである。なお、Agの代わりに、Agの化合物を用いることができる。
【0032】
以上の工程により、図1に示すようなアレイ基板が得られる。このアレイ基板では、、画素部においては信号線TATの上部に第1の画素電極層9,第2の画素電極層10,及び第3の画素電極層11の多層膜であるTiN/Ag/ITOが形成される。パッド部では、配線6cのTATの上部に接続パッド9bとしてTiN層が形成される。
【0033】
本発明によれば、信号線としてTi/Al/Tiを成膜、パターニングした後、パッシベーションSiN膜を成膜する。続いて平坦層を成膜、パターニングする。続いて、先に成膜したSiN膜をパターニングする。その後、反射層としてTiN/Ag/ITOの積層膜を成膜、パターニングする。このとき、レジスト塗布、エッチングを2回行うことにより、画素部はTATの上にTiN/Ag/ITOを残した積層構造、OLBパッド部はTATの上にTiNを残した構造とすることができる。なお、TiNという材料は一例であり、下地平坦層および反射層(Ag)との密着性が十分であり、また反射層とのエッチング選択比が取れる他の材料に置き換えることができる。例えば、TiNの変わりにTaまたはTaの化合物を用いることができる。これらの材料は、平坦層と反射層との密着性が良好で、また、反射層とのエッチング選択比があり、信号線、反射層とのコンタクト抵抗、およびFPCとの接続抵抗が良好な材料であれば良い。
【0034】
接続用金属からなる第1の画素電極層と、反射用金属からなる第2の画素電極層の積層において、第2の画素電極層のエッチングレートが第1のエッチグレートのエッチングレートよりも速く、そのエッチング選択比が2以上であることが好ましい。
【0035】
図14に、アレイ基板20を用いたOLEDの一例の構成を表す断面図を示す。
【0036】
図14に示すように、例えば透明アクリル樹脂を用いてリブ層13を形成した後、有機発光層12を蒸着する。カラーパネルの場合、発光層12は、R・G・Bの3色に分けて蒸着する。有機発光層12の上部に陰極14を形成した後、最後に、キャップガラス16にてパネルの画素部を封止することにより、OLED30が完成する。
【符号の説明】
【0037】
1…基板、2…ポリシリコン層、6a,6b…信号線、6c…配線、7a,7b,7c…9a…第1の画素電極層、9b…接続パッド、10…第2の画素電極層、11…第3の画素電極層、12…有機EL発光層、14…陰極、16…キャップガラス、17…第1のコンタクトホール、18…第2のコンタクトホール、20…アレイ基板、30…表示装置
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光ダイオード装置、液晶表示装置等の表示装置に用いられるアレイ基板に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオード(OLED)デバイスのアレイ基板では、通常、信号線としてTi/Al/Ti(以下、TATとする)積層膜を使用し、反射型画素電極としてITO/Ag/ITO積層膜が使用されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
このOLEDデバイスでは、まず、信号線としてTAT積層膜をスパッタし、PEP、エッチングした後、パッシベーション膜としてSiNを成膜する。次に、平坦層の樹脂膜を形成、パターニングを行い、続いて先に成膜したSiNのパターニングを行う。次に、反射層としてAlまたはAgなどのメタル層、あるいはそれらを含む積層膜たとえばITO/Ag/ITOの積層膜を成膜する。下地のITO層は、樹脂平坦膜との密着性を高めるために必要である。続いてレジストパターンを形成して、2段階のウェットエッチングを行う。1段階目は、トップITOとAgのエッチングである。レジストパターンはそのままの状態で、引き続きボトムITOのエッチングを行う。その後、画素部に図示しないリブ層(樹脂層)、EL層、陰極を形成する。
【0004】
以上のプロセスにより、画素部、OLBパッド部、および図示しない回路部が形成される。図に示すOLBパッド部は表層にTiがある。この部分にFPCを接続することにより、パネルと外部回路とを接続する。ところが、パッド部のTiとFPCを直接接続すると、接続部分の抵抗が高くなるという問題を生じることが分かった。
【0005】
この問題を解決するために、信号線をTATの替わりにTAT+TiNの4層構造にすることが考えられる。しかしこの構造に関しては、パッシベーションSiN膜の加工(ドライエッチング)において、SiNとTiNの選択比が十分に取れず、TiNを打ち抜いてしまうという新たな問題が発生する。TiNを打ち抜いてしまうと、その下のTiが最表面に出るため、抵抗が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2004−103247号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、表示装置に好適に使用し得るアレイ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明のアレイ基板は、基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる信号線、該信号線上に形成され、第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁材料からなる絶縁層、該絶縁層上に設けられ、該第1のコンタクトホールを介して該信号線と接続された接続用金属からなる第1の画素電極層、及び該第1の画素電極層上に形成された反射用金属からなる第2の画素電極層を有する画素部と、
該基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線、該配線上に設けられ、第2のコンタクトホールを有し、該第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層、及び該第2のコンタクトホールを介して該配線上に接続して設けられ、該接続メタルと同様の材料からなる接続パッドを有するパッド部とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、有機EL表示パネル等の表示装置に好適なアレイ基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明に係るアレイ基板の一例を表す断面図である。
【図2】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図3】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図4】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図5】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図6】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図7】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図8】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図9】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図10】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図11】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図12】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図13】図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【図14】本発明のアレイ基板を用いた有機EL表示パネルの一例の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【0012】
図1は、本発明に係るアレイ基板の一例を表す断面図を示す。
【0013】
図示するように、このアレイ基板20には、基板1と、この基板1上に所定のパターンで形成された、複数のポリシリコン層2a,2b,2cが設けられている。
【0014】
アレイ基板20の画素部では、複数のポリシリコン層2a,2b上に、ゲート絶縁膜5を介して形成された補助容量電極4a,ゲート電極4bが設けられている。補助容量電極4a,ゲート電極4b上には、層間絶縁膜5を介して、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなるドレイン電極6a,及びソース電極6b等の信号線が形成され、信号線上には、第1の絶縁材料からなるパッシベーション膜7a,7b、及び平坦化層8が形成され、パッシベーション膜7a,7b、及び平坦化層8には、さらに、第1のコンタクトホール17としてのスルーホールが設けられている。平坦化層8上には、接続用金属からなる第1の画素電極層9aが設けられ、第1の画素電極層9aは、第1のコンタクトホール17を介して各信号線と接続されている。第1の画素電極層9a上には、反射用金属からなる第2の画素電極層10が形成されている。さらに、第2の画素電極層10上には第3の画素電極11が形成されている。
【0015】
一方、アレイ基板20のパッド部では、ポリシリコン層2c上に信号線と同様にボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線6cが設けられている。配線6c上には、第2のコンタクトホール18を有し、第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層7aが設けられている。絶縁層7a上には、第1の画素電極と同様の材料からなる接続パッド9bが、第2のコンタクトホール18を介して配線6c上に接続して設けられている。
【0016】
図1に示すアレイ基板は、以下の方法により形成することが出来る。
【0017】
図2乃至図13は、図1のアレイ基板の製造工程の一例を表す図である。
【0018】
図2に示すように、ガラス基板1上に図示しない例えばSiN,SiO2などの絶縁膜を介してアモルファスシリコン層2をCVD法で堆積する。
【0019】
図3に示すように、アモルファスシリコン層2をエキシマレーザアニール法(ELA)で結晶化し、ポリシリコンとする。
【0020】
図4に示すように、ポリシリコンをパターニングして、複数のポリシリコン層2a,2b,2を形成する。
【0021】
図5に示すように、CVD法でゲート絶縁膜3を成膜する。
【0022】
図6に示すように、例えばMoW,AlSi等の金属材料をスパッタして金属層を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、ゲート電極を形成する。
【0023】
図7に示すように、例えばSiO2,SiN等の層間絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、図8に示すように、コンタクトホール17を空ける。
【0024】
図9に示すように、ボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層例えばTi/Al/Tiの積層をスパッタし、フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングし、画素部のポリシリコン膜2b上に、信号線として、ドレイン電極6a,及びソース電極6bを形成し、パッド部のポリシリコン膜2c上に、配線6cを形成する。
【0025】
図10に示すように、パッシベーション膜7として、例えばSiNをCVD法にて形成する。
【0026】
続いて、図11に示すように、例えばアクリル系樹脂からなる平坦層8を形成後、パターニングする。
【0027】
その後、続いて先に成膜したパッシベーション膜7のパターニングを行ない、画素部の信号線上、及びパッド部のTi/Al/Tiの積層配線6c上に、各々、パッシベーション膜7a,7b,7cを形成する。なお、パッド部のパッシベーション膜7cの中央には第2のコンタクトホール18が設けられる。
【0028】
次に、図12に示すように、反射型画素電極層として、第1の画素電極層9,第2の画素電極層10,及び第3の画素電極層11の多層膜例えばTiN/Ag/ITOの多層膜をスパッタ成膜する。なお、樹脂平坦層の上に直接Agを成膜することは、密着性の観点で不可能であり、ここではTiNが密着層として機能する。また同時に、このTiN層9は完成時にはパッド部において最表面に出る接続パッド9cとなり、パッシベーション膜7cの第2のコンタクトホール19を介して、パッド部のTi/Al/Tiの積層配線6cと接続される。
【0029】
図13に示すように、まず、Ag/ITOをパターニングする。エッチングは、りん酸、硝酸、酢酸との混酸によるウェットエッチングである。
【0030】
ここで一旦レジストを剥離した後、再度レジストパターンを形成し、今度はボトムのTiN層をドライによりエッチングする。
【0031】
トップITO/Agのレジストパターンは、画素部にトップITO/Agの反射層を残すためのパターンである。次のTiNのレジストパターンは、画素部の反射Ag下部にTiNを残し、また、パッド部のTAT上にTiNを残すためのパターンである。なお、Agの代わりに、Agの化合物を用いることができる。
【0032】
以上の工程により、図1に示すようなアレイ基板が得られる。このアレイ基板では、、画素部においては信号線TATの上部に第1の画素電極層9,第2の画素電極層10,及び第3の画素電極層11の多層膜であるTiN/Ag/ITOが形成される。パッド部では、配線6cのTATの上部に接続パッド9bとしてTiN層が形成される。
【0033】
本発明によれば、信号線としてTi/Al/Tiを成膜、パターニングした後、パッシベーションSiN膜を成膜する。続いて平坦層を成膜、パターニングする。続いて、先に成膜したSiN膜をパターニングする。その後、反射層としてTiN/Ag/ITOの積層膜を成膜、パターニングする。このとき、レジスト塗布、エッチングを2回行うことにより、画素部はTATの上にTiN/Ag/ITOを残した積層構造、OLBパッド部はTATの上にTiNを残した構造とすることができる。なお、TiNという材料は一例であり、下地平坦層および反射層(Ag)との密着性が十分であり、また反射層とのエッチング選択比が取れる他の材料に置き換えることができる。例えば、TiNの変わりにTaまたはTaの化合物を用いることができる。これらの材料は、平坦層と反射層との密着性が良好で、また、反射層とのエッチング選択比があり、信号線、反射層とのコンタクト抵抗、およびFPCとの接続抵抗が良好な材料であれば良い。
【0034】
接続用金属からなる第1の画素電極層と、反射用金属からなる第2の画素電極層の積層において、第2の画素電極層のエッチングレートが第1のエッチグレートのエッチングレートよりも速く、そのエッチング選択比が2以上であることが好ましい。
【0035】
図14に、アレイ基板20を用いたOLEDの一例の構成を表す断面図を示す。
【0036】
図14に示すように、例えば透明アクリル樹脂を用いてリブ層13を形成した後、有機発光層12を蒸着する。カラーパネルの場合、発光層12は、R・G・Bの3色に分けて蒸着する。有機発光層12の上部に陰極14を形成した後、最後に、キャップガラス16にてパネルの画素部を封止することにより、OLED30が完成する。
【符号の説明】
【0037】
1…基板、2…ポリシリコン層、6a,6b…信号線、6c…配線、7a,7b,7c…9a…第1の画素電極層、9b…接続パッド、10…第2の画素電極層、11…第3の画素電極層、12…有機EL発光層、14…陰極、16…キャップガラス、17…第1のコンタクトホール、18…第2のコンタクトホール、20…アレイ基板、30…表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる信号線、該信号線上に形成され、第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁材料からなる絶縁層、該絶縁層上に設けられ、該第1のコンタクトホールを介して該信号線と接続された接続用金属からなる第1の画素電極層、及び該第1の画素電極層上に形成された反射用金属からなる第2の画素電極層を有する画素部と、
該基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線、該配線上に設けられ、第2のコンタクトホールを有し、該第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層、及び該第2のコンタクトホールを介して該配線上に接続して設けられ、該接続メタルと同様の材料からなる接続パッドを有するパッド部とを具備することを特徴とするアレイ基板。
【請求項2】
前記接続用金属からなる第1の画素電極層と、前記反射用金属からなる第2の画素電極層の積層において、該第2の画素電極層のエッチングレートが該第1のエッチグレートのエッチングレートよりも速く、そのエッチング選択比が2以上であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項3】
前記第2の金属層上に、透明電極材料からなる第3の画素電極層をさらに設けることを特徴とする請求項1または2に記載のアレイ基板。
【請求項4】
前記絶縁層と前記第1の画素電極層との間に、前記第1の絶縁材料とは異なる第2の絶縁材料からなる平坦化層をさらに設けることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のアレイ基板。
【請求項1】
基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層からなる信号線、該信号線上に形成され、第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁材料からなる絶縁層、該絶縁層上に設けられ、該第1のコンタクトホールを介して該信号線と接続された接続用金属からなる第1の画素電極層、及び該第1の画素電極層上に形成された反射用金属からなる第2の画素電極層を有する画素部と、
該基板上に形成されたボトムバリアメタル/アルミニウム/トップバリアメタルの積層と同様の積層からなる配線、該配線上に設けられ、第2のコンタクトホールを有し、該第1の絶縁材料と同様の材料からなる絶縁層、及び該第2のコンタクトホールを介して該配線上に接続して設けられ、該接続メタルと同様の材料からなる接続パッドを有するパッド部とを具備することを特徴とするアレイ基板。
【請求項2】
前記接続用金属からなる第1の画素電極層と、前記反射用金属からなる第2の画素電極層の積層において、該第2の画素電極層のエッチングレートが該第1のエッチグレートのエッチングレートよりも速く、そのエッチング選択比が2以上であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項3】
前記第2の金属層上に、透明電極材料からなる第3の画素電極層をさらに設けることを特徴とする請求項1または2に記載のアレイ基板。
【請求項4】
前記絶縁層と前記第1の画素電極層との間に、前記第1の絶縁材料とは異なる第2の絶縁材料からなる平坦化層をさらに設けることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のアレイ基板。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2011−48027(P2011−48027A)
【公開日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−194672(P2009−194672)
【出願日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【出願人】(302020207)東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【出願人】(302020207)東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
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