【課題】コントラストを向上させることが可能なＦＦＳ方式の液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。非透過性の導電パターン（ソース配線１２等）の近傍において、黒表示の際に液晶５０の配向不良により正面視において光漏れが生じる導電パターンの少なくとも一部に、平面視上、これを覆い、かつ、突出する庇４３を有する遮光層４２が配設されている。庇４３を有する遮光層４２と重畳するように配置された導電パターンに対し、当該導電パターンと前記液晶側で重畳するように配置され、かつ、庇４３を有する遮光層４２よりも、平面視において突出するように透明コモン電極１５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において開口率を確保しながら維持キャパシタの静電容量を増加させる。
【解決手段】絶縁基板上に形成されるゲート配線と、ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される半導体パターンと、ゲート線と絶縁されて交差するデータ線を含むデータ配線と、ゲート線と絶縁されて交差する維持キャパシタ電極線と、データ配線、維持キャパシタ電極線及び半導体パターンを覆っていてドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜と、保護膜の接触孔を通じてドレーン電極に連結されており維持キャパシタ電極線と重なる画素電極と、複数の維持キャパシタ電極線を１つに連結する共通連結線と、複数の維持キャパシタ電極線を連結する補助連結線とを含み、補助連結線は維持キャパシタ電極線と同一の層に形成される。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく蓄積容量の領域に形成でき、電気的にも安定な、柱状スペーサの台座の構造を与える。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、蓄積容量形成部５内で半導体層１６から形成され、かつ、すべての画素１ａ，１ｂ，…で同一の面積を有する台座１７を、更に備えている。画素１ａ，１ｂ，…には、柱状スペーサ２４が台座形成部６に当接する位置に設けられた画素１ｂと、柱状スペーサ２４が台座形成部６から離れた位置に設けられた画素１ａと、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】表示基板、表示パネル、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル１００、ガンマ電圧生成部、制御部及びデータ駆動部を含む。表示パネル１００は第１下部電極１１３＿１及び第１下部電極１１３＿１にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１を有する第１上部電極１１４＿１を含む第１画素と、第１画素の第１方向に配置されて第２下部電極１１３＿２及び第２下部電極１１３＿２にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１の延長方向と異なる方向に延長した第２スリットパターン１１５＿２を有する第２上部電極１１４＿２を含む第２画素と、第１方向と異なる第２方向に延長し第１画素と第２画素との間に配置された第１ゲートラインＧＬ１を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】タッチ機能付きの操作パネルを含む表示装置において、効率的に操作面の清浄化を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１主表面を有する第１基板１４０と、第１基板１４０と間隔をあけて配置され、第１主表面と対向する第２主表面を有する第２基板１５６と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に封入された表示媒体層１３０と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に配置された第１電極と、第１電極と対向する第２電極とを含み、第１電極および第２電極の容量を検知するタッチセンサと、イオン放出可能なイオン放出モジュールとを備える。上記第２基板１５６は、第２主表面と対向する第３主表面を含み、イオン放出モジュールは、第３主表面に向けてイオンを放出する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法に関する。ベース基板と、前記ベース基板上に形成されたゲート走査線と、データ走査線と、前記ゲート走査線および前記データ走査線を上から覆う保護層とを備えるＴＦＴアレイ基板であって、前記保護層における封止剤を塗布した領域の、ゲート走査線と／またはデータ走査線に対応する位置に、導電層が設けられる。前記導電層は、当該ＴＦＴアレイ基板における封止剤の外部領域に延びるとともに、接地端に接続される。前記導電層を形成する材料としては、透明導電材料を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】水平電界成分による透過率の減少を防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置される第２電極と、前記第２基板上に配置される第３電極と、前記第２電極及び前記第３電極のうちの少なくとも一つの上に配置する配向膜とを含み、前記第２電極は微細スリット構造に形成され、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精細画面の液晶表示装置において、画素の面積が小さくなっても、透過率が大きく低下することを防止する。
【解決手段】ゲート線１０１とドレイン線１０４で囲まれた領域に画素電極１０６が形成されている。ゲート線１０１の下には、上面と斜面を有する台形状の突起１０が形成されている。ＴＦＴは台形状の突起１０の上に形成され、チャンネル部１０３１は台形状の突起１０の上面と斜面に渡って形成されているので、チャンネル幅は平面に形成した場合よりも大きくすることが出来る。画素電極１０６は、台形状の突起１０の斜面において、ソース電極１０６と接触する。この構成によれば、ＴＦＴも画素電極１０６とソース電極１０５とのコンタクトも台形状の突起１０の部分に形成できるので、画素の透過率を上げることが出来る。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】工程が簡易で量産可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上方の第１の配線と、第１の配線と同じ材料を有する第２の配線と、第１の配線及び第２の配線上方の層間絶縁膜と、層間絶縁膜上方の第３の配線と、画素電極と、画素電極と同じ材料を有する第４の配線と、を有し、第１の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の方向に第１の突出部と第２の突出部を有し、第１の突出部及び第２の突出部は隣り合う画素の隣り合うふちに配置され、第３の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線の第１の突出部と第２の突出部の間の領域に形成され、第４の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線とコンタクトホールを介して接続されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】複数の光検出回路のそれぞれにより第１の光データを生成し、第１の光データを用いて画像処理回路により画像データを生成して記憶回路に保持し、ＣＰＵにより、記憶回路から画像データを読み出し、画像データを画像信号として入出力部に入力し、入出力部により、画像信号から表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を表示回路に入力し、表示回路が画像データに基づく表示状態である間に、複数の光検出回路のそれぞれにより第２の光データを生成する。 （もっと読む）

【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び２つの容量素子を各画素に有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内の保持容量の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するための工程を省略し、ゲート電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。配線の形状及び電位を工夫することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】スペーサーの剥れを抑制可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、前記画素電極と前記スイッチング素子を電気的に接続するよう前記有機絶縁膜に設けられたスルーホールと、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサーと、前記アレイ基板と前記対向基板に挟持された液晶層とを備える。前記スペーサーが有機絶縁膜に被覆されて形成されている。 （もっと読む）