【課題】 アクティブマトリクス基板に形成される走査線、信号線の配線の構造を複雑化することなく、Ａｌヒロックを抑制し、かつ接続抵抗を低減して接続部の信頼性を向上する。
【解決手段】 透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。Ａｌ膜に接してＴｉ膜が存在することで、Ａｌ膜でのＡｌヒロックの発生を抑制する。また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、ディスクリネーションを抑制することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、隣り合う画素間に沿って形成された溝部（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、端部の少なくとも一部が溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部（９ａ´）を有する画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）

【課題】良好な性能を安定に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層３は、ゲート絶縁層２を介してゲート電極１に対向配置されている。有機半導体層３の上に、絶縁性の保護層４と共に、互いに離間されたソース電極５およびドレイン電極６が形成されている。保護層４は、少なくとも、ソース電極５とドレイン電極６とにより挟まれた領域Ｒに配置されており、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの一部は、保護層４の上に重なっている。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な絶縁ゲート型ＦＥＴによる駆動回路で表示装置を形成し、さらに、単位画素当たりの画素電極の面積を小さくしても十分な保持容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体を活性層とした絶縁ゲート型電界効果トランジスタによるアクティブマトリクス回路を備えた半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上に有機樹脂絶縁層を形成し、該有機樹脂絶縁層上に形成された遮光層と、該遮光層に密接して形成された誘電体層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタに接続された光反射性電極とから保持容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】作製誤差に起因して生じる寄生容量の系統誤差を抑制することにより、表示異常が抑制され、表示品質が向上する表示装置の提供。
【解決手段】互いに並行する第１及び第２のゲート配線と、前記第１のゲート配線の一方側に配置される第１の画素回路と、前記第２のゲート配線の他方側に配置される第２の画素回路と、を備える表示装置であって、前記第１の画素回路は、第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタのゲート電極はゲート配線と導通し、前記第２の画素回路は、第２のトランジスタを備え、前記第２のトランジスのゲート電極は前記第２のゲート配線と導通し、前記第１のトランジスタのソース電極はゲート電極と平面的に重なり合う第１対向部を含み、前記第２のトランジスタのソース電極はゲート電極と平面的に重なり合うとともに、前記第１ソース電極対向部に沿って延伸する第２対向部を含む。 （もっと読む）

【課題】高品位の表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】対向する各エッジ部が第１方向に所定距離だけ離れた第１パターンと第２パターンの対が少なくとも１つ形成されたマスクを用意する。照明系瞳面での光量分布が、第１直線上の光軸から反対かつ等距離の第１領域及び第２領域における光量が他の領域における光量よりも大きくなる露光装置を用意する。上記のマスクパターンを上記の露光装置で露光転写し、前記第１パターンと前記第２パターンの転写像を、トランジスタのソース電極及びドレイン電極とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、温度などの外部因子に対する表示の劣化（表示品質の低下）が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示装置の駆動回路部に、選択されたピクセルに逐次画像信号を書き込んで画像を画面に表示すると共に、同一画像を画面に表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ、トランジスタをオフ状態として画面に書き込まれた画像をそのまま保持させておく機能を設ける。このような機能をオフ電流を、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満と極めて低いレベルにまで低減されたトランジスタによって実現する。 （もっと読む）

【課題】チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に形成されるゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上層に積層される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一部の領域の上層に、前記第１の半導体層に接して積層される酸化シリコン膜と、前記第１の半導体層の上層に前記一部の領域以外に接して積層される不純物が添加された２つの第２の半導体層と、保護膜とを有する薄膜トランジスタを備える表示装置であって、前記２つの第２の半導体層は、前記酸化シリコン膜の側面と上面の一部と接し、且つ所定の離間距離を有して前記上面で互いに対向し、前記保護膜は少なくとも前記酸化シリコン膜の前記上面のうち、前記第２の半導体層と接していない領域と接して形成され、前記酸化シリコン膜の膜厚は２００ｎｍ以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６０によって絶縁膜１６０の下層側に形成された凹部５ａを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜１６０をＣＶＤ法により成膜中に凹部５ａと重なる領域に発生する空洞１６０ｖが絶縁膜１６０によって密閉されるまで絶縁膜１６０を成膜する。次に、研磨工程では、空洞１６０ｖが絶縁膜１６０の表面で露出しない範囲で絶縁膜１６０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板
が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気
的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン
電極と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された
第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられ
た複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をパターニングする工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をジュール加熱する工程とをその順で少なくとも有する。ジュール加熱工程は、プラスチック基板１０にプラスチック基板１０のガラス転移温度以上の温度を一定時間与えず、且つアモルファス酸化物薄膜１３をアモルファス相のままで所定の抵抗率に制御する工程である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の周囲が薄暗い環境でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透過領域とを両方有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。外光はあるが、その明るさが不十分であり薄暗い場合は、バックライトを弱く点灯し反射モードで表示を行うことによって、画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】表示基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による表示基板は、絶縁基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターンと、前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、画素への信号の書き込み時間を短縮すること、また、高い電圧を印加する場合でも、信号の書き込みを高速に行うことを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された液晶素子とが設けられた画素を有し、前記トランジスタは、半導体材料として真性又は実質的に真性な酸化物半導体が用いられており、且つオフ電流が１×１０^−１７Ａ／μｍ以下であり、前記画素には、容量素子が設けられていない。容量素子を設けなくてもよいため、信号の書き込み時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】接触検出機能を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され第１方向に延在した第１検出要素と、第１方向に交差する第２方向に延在する第２検出要素と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間に介在する絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間の静電容量の変化を検出する検出回路と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層に対する外部光の照射を遮断し、その半導体特性の劣化を防止できる薄膜トランジスタ、その製造方法、およびそれをスイッチング素子として利用し、表示品質を向上した表示基板を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタは、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層のチャネル領域と重なるように前記酸化物半導体層の上に形成された第１保護層と、前記酸化物半導体層と前記第１保護層との間に形成された不透明層と、前記酸化物半導体層の一側に配置されたソース電極と、前記チャネル領域を介して前記ソース電極と対向するように前記酸化物半導体層の他側に配置されたドレーン電極と、前記酸化物半導体層に電界を印加するゲート電極と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に形成されたゲート絶縁層と、を含み構成される。 （もっと読む）

【課題】配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極４０の第１の領域に第１のスリット４０ａが第１の方向に向けて形成され、第１の領域に水平方向に隣接する第２の領域に第２のスリット４０ａが第２の方向に向けて形成され、配向膜にデータバスライン１６ａに平行な方向に傾斜垂直配向処理が施された液晶表示装置において、第１及び第２のスリット４０ａのうちの第１の領域及び第２の領域の境界近傍の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度を、第１及び第２のスリット４０ａの他の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度よりも大きくする。 （もっと読む）