【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマを用いたアモルファス型シリコン薄膜やポリシリコン薄膜の製造は、半導体層の形成に真空装置を用いるため、ｐ−ｎ接合やＴＦＴを形成する半導体薄膜を必要な部分にのみ選択的に形成することが難しいという課題がある。
【解決手段】 本発明は、印刷法を用いてチャネル領域が反応性単分子膜で被われたｎ型またはｐ型Ｓｉ微粒子で形成されているTFT やTFTアレイを製造提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高解像度による画素サイズの変化や各画素の既存ストレージ容量の変化によって補助ストレージ容量を形成することによって、全体的なストレージ容量を維持するか、または増加させて、画素品質を効果的に改善することができるＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、下部基板にはゲートラインＧとデータライン６００によって各単位画素領域が規定され、交差部には、スイッチング素子が配置されており、液晶層に電界を掛けて光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極４００と、透明共通電極８００とを備え、また、透明補助容量電極１５０を備え、前記透明補助容量電極は、所定のコンタクトホールを介して前記下部基板外郭の非表示領域に形成された共通バスラインと電気的に接続され、共通バスラインには、前記透明共通電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板１は、基板１００上に配置されたゲート電極２００と、前ゲート電極２００上に配置されたゲート絶縁膜３１０と、ゲート絶縁膜３１０上の、互いにゲート電極２００を挟んで対向する位置に形成されたソース電極７１０及びドレイン電極７２０と、ソース電極７１０上に形成されたソース領域と、ドレイン電極７２０上に形成されたドレイン領域と、ソース領域上、ドレイン領域上、及びソース領域と前記ドレイン領域との間のゲート絶縁膜３１０上に配置され結晶性シリコンを含む半導体膜４２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電界生成電極に複数の微細スリットが形成された液晶表示装置の視認性を向上させると共に、テクスチャなどの表示不良を減らす。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、画素電極は、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離の第１領域、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離より大きい第２距離の第２領域、及び第１領域と前記第２領域との間に位置し、微細枝部の間の間隔が段階的に変化する第３領域を含む。 （もっと読む）

【課題】任意に視角制御が可能であると共に優れた光学特性を有する液晶装置およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、互いにＦＦＳ方式の電極構成を有する略矩形状の表示用画素Ｐｃと視角制御用画素Ｐｂとを備え、視角制御用画素Ｐｂは異なる色の表示用画素Ｐｃ（Ｒ），Ｐｃ（Ｇ），Ｐｃ（Ｂ）に亘って隣接して設けられ、視角制御用画素Ｐｂの短手方向に亘って互いに間隔を置いて配置された複数の帯状電極部１８ａを有する第２電極としての画素電極１８と、平面視で画素電極１８に対向するように配置された第１電極としての共通電極１７との間に電界を生じさせ液晶層における液晶分子の配向方向を制御することにより、視角制御用画素Ｐｂの正面方向に対する斜め方向の輝度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】基板側から順に、絶縁膜と、Ｃｕ合金膜と、薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を備えた配線構造であって、ＴｉやＭｏなどのバリアメタル層を省略してＣｕ合金膜を、基板および／または絶縁膜と電気的に直接接続しても、これらとの密着性に優れており、しかもＣｕ系材料の特徴である低電気抵抗、並びに酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜との低いコンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ｃｕ合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造において、Ｃｕ合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有している。上記Ｃｕ合金膜は、基板および／または絶縁性、並びに半導体層と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を増やすことなく、配線の露出を防止することを目的とする。
【解決手段】パッシベーション膜３３６をエッチングして、配線３３０との電気的接続を図るためのスルーホール３４２を形成する。パッシベーション膜３３６上及び配線３３０のスルーホール３４２内の部分上に金属層を形成する。金属層をエッチングして画素電極３４８を形成する。パッシベーション膜３３６をエッチングする工程で、配線３３０の、ドレイン電極３３４及びソース電極３３２よりも基板３１０の切断ライン方向の位置で、配線３３０の幅を内側に含む大きさの貫通穴３４４をパッシベーション膜３３６に形成する。金属層を形成する工程で、金属層を、配線３３０の貫通穴３４４内の部分の上にも形成する。金属層３２２をエッチングする工程で、配線３３０の貫通穴３４４内の部分もエッチングして配線３３０を切断する。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷（画素書き込み電流）を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０４と異なる層に走査線１０７を形成し、容量配線１１１が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１１１に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製するための、半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜にマイクロ波または高周波の電磁波を照射し、電磁波が照射された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ層を有する薄膜トランジスタにおけるオフ電流を低減させることと光リーク電流を低減させることが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＰＳは第１、第２、第３の層とを有し、前記第１の層の一部は前記薄膜トランジスタのチャネル領域であり、前記第２の層は不純物層であり、前記第３の層は不純物濃度が低い低濃度不純物層ＬＤＤであり、前記第２の層は前記電極との接続箇所を有し、前記第３の層は前記第２の層を環状に囲んで形成され、平面的に見て、前記第３の層の端部のうち、前記チャネル領域側の端部は前記第１の層と接しており、前記チャネル領域側以外の端部は前記層間絶縁膜ＩＮと接しており、前記第２の層の夫々は、前記ゲート電極ＧＴと平面的に重畳する第１の領域と、前記ゲート電極ＧＴと平面的に重畳しない第２の領域とを有し、前記接続箇所は前記第２の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】画像品質を向上し、小型化でき、工程を簡略化して製造歩留まりの向上や信頼性の向上する。
【解決手段】反射部１１と光透過部１２とが画素部に設けられている第１基板１０と、第１基板１０と間隔を隔てて対向している第２基板８０と、第１基板１０と第２基板８０との間に配置されている液晶層１９とを有する液晶表示装置において、第１基板１０の光反射部１１に対応する液晶層１９側の領域に偏光層２１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】一つの画素に複数の副画素を備える構成において、画素の開口率の低下を抑制するとともに、寄生容量の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、複数の副画素１０ａ、１０ｂを備える画素部１０と、画素部１０における複数の副画素１０ａ、１０ｂに対応して設けられる複数の画素電極１１と、複数の画素電極１１のうち隣接する２つの画素電極Ａ，Ｂの間となる位置に対応して配置される走査線５と、走査線５上に設けられ、２つの画素電極Ａ，Ｂの各々に信号を供給する選択を行う２つの薄膜トランジスタＴｒとを有する表示装置１である。また、この表示装置１を筐体に備えた電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有するトランジスタを用いて安定した動作を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極を配する。酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを作製するに際しては、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行い、上下に接して設けられるゲート絶縁層及び保護絶縁層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部材を追加することなく、着色層に分散される材料が液晶に溶け出すことを防止することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶２０を駆動するために第１基板１６に平行な電界を発生させるための電極構造層５０を含む。電極構造層５０は、液晶２０及びカラーフィルタ層４０の相互に対向する面を区画するように半導体酸化物又は半導体窒化物から形成された透明絶縁膜５２と、透明絶縁膜５２の両面にそれぞれ配置されたいずれも酸化物半導体からなる第１透明導電膜５４及び第２透明導電膜５６と、を有する。カラーフィルタ層４０は、１層の着色層４２からなる第１領域４４と、２層又はそれ以上の積層された着色層４２からなる第２領域４６と、を含む。第２領域４６では積層された着色層４２によって凸部４８が形成され、凸部４８が第１基板１６と第２基板１８の間のギャップを保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 （もっと読む）