【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したように当該トランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光の乱反射を減らした液晶ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の基板が相互対向して配され、その間に液晶層が形成された液晶ディスプレイパネルと、液晶ディスプレイパネルの下部に配され、液晶ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を備えるが、液晶層が形成された部分に対して離隔して配された基板の表面に形成された欠陥ホール内に充填され、基板の表面に対して水平面になるように充填材が形成され、充填材が充填された欠陥ホール上にカバー部材が付着されたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置である。これにより、充填材によって欠陥ホールが形成された領域を充填させるので、光の乱反射を未然に防止する。このように、エッチング工程で発生する物理的な限界を克服して超薄型加工を通じて薄型のディスプレイ装置を具現可能である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ回路の性能を維持しつつ、回路規模を小さくした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板２０７を備える液晶表示装置において、薄膜トランジスタ基板２０７は、表示領域を覆うように配置され、電界が生じていないときの液晶組成物を配向を決定する配向膜２０９と、配向膜２０９の外縁に配向膜２０９を堰き止めるように配置された配向膜堰止め導電膜２２１と、画素トランジスタのゲート電極にゲート信号電圧を印加するシフトレジスタ回路２１９と、を備える。配向膜堰止め導電膜２２１は、シフトレジスタ回路２１９の一部を形成している。 （もっと読む）

【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができる広視野角液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとを画素３２毎に形成した液晶表示装置において、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部１８と、前記接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４とを備え、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加する。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の一方面側に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００では、対向基板２０の側から素子基板１０の一方面側に入射した光を反射性の画素電極９ａの表面で反射して画像を表示する。また、画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。ここで、画素電極９ａ、および反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）の表面は鏡面になっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便なプロセスで製造可能であり、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、酸化物半導体からなる酸化物半導体層および上記酸化物半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記薄膜トランジスタに含まれる半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上に着色層を有するＣＯＡ型液晶表示装置において、着色層上に形成するＩＴＯ画素電極のエッチングに際して、発生し易いＩＴＯのエッチング残渣を抑制する。
【解決手段】着色層２４を有する表示領域２５の周縁領域に着色層２４の延長上に遮光層２７を形成し、着色層２４及び遮光層２７を覆う保護膜２８を形成する。このとき、遮光層２７の周縁端部を覆う保護膜２８の断面形状は、遮光層の端部から延在し、さらに周縁部に向かうテーパ形状とする。これにより、保護膜２８上に形成する画素電極３０は保護膜２８の急峻性に起因するレジストのエッチング残渣及びＩＴＯのエッチング残渣の発生を抑制することとなる。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。このような方法で微結晶シリコン膜を成膜すれば、微粒子内のマイクロクリスタル成分に含まれるシリコン原子の未結合手を終端したり、アモルファス成分を改質したりすることを、より効率的に行なうことができるので、ＴＦＴの移動度をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、該チャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む酸化性雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。該半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含有する乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。 （もっと読む）

【課題】光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】”ｓａｆｅ”トラップが存在するため、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層を用いることによって、光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを実現する。なお、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層は、１０ｐＡ以上１０ｎＡ以下の光電流値を有している。光応答の二種類のモードの存在は、キャリアが”ｓａｆｅ”トラップに捉えられるまでの平均時間τ_１が十分大きい場合、光電流の時間変化の結果において、急速に立ち下がる部分とゆっくり下がる部分がある。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶表示素子としても透過型液晶表示素子としても良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル１は、互いに対向する第１の透明基板３と第２の透明基板２とを有する。第１の透明基板３と第２の透明基板２との間には、液晶層１１が設けられている。第１の透明基板３上の、第２の透明基板２と対向する面には、誘電体多層膜（ハーフミラー）１７０が形成されている。誘電体多層膜１７０上には、トランジスタアレイ６０が、設けられている。第１の透明基板３側には、液晶層１１に向けて、光を照射するバックライトが設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。 （もっと読む）

【課題】外光の影響による誤認識を防ぐことのできるタッチパネル機能や、広いダイナミックレンジで撮像することのできる機能を持つ表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】表示素子部に併設された可視光線を検出する第１のフォトダイオードを有する第１のフォトセンサ部を有する画素と、表示素子部に併設された赤外線を検出する第２のフォトダイオードを有する第２のフォトセンサ部を有する画素と、を有し、外光に含まれる赤外線を前記第２のフォトセンサ部が検出し、第２のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、撮像素子の選択や感度調整を行う。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュレートを低減した際に、静止画を表示する際の画像の劣化を抑制する。
【解決手段】駆動回路によって制御され、ノーマリーホワイトモードまたは（ノーマリーブラックモード）の液晶を有する表示部と、駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、タイミングコントローラには、動画を表示するための画像信号及び静止画を表示するための画像信号が供給されており、静止画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値は、動画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値より大きい液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、ディスクリネーションを抑制することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、隣り合う画素間に沿って形成された溝部（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、端部の少なくとも一部が溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部（９ａ´）を有する画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）