【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】タッチ機能付きの操作パネルを含む表示装置において、効率的に操作面の清浄化を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１主表面を有する第１基板１４０と、第１基板１４０と間隔をあけて配置され、第１主表面と対向する第２主表面を有する第２基板１５６と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に封入された表示媒体層１３０と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に配置された第１電極と、第１電極と対向する第２電極とを含み、第１電極および第２電極の容量を検知するタッチセンサと、イオン放出可能なイオン放出モジュールとを備える。上記第２基板１５６は、第２主表面と対向する第３主表面を含み、イオン放出モジュールは、第３主表面に向けてイオンを放出する。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】水平電界成分による透過率の減少を防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置される第２電極と、前記第２基板上に配置される第３電極と、前記第２電極及び前記第３電極のうちの少なくとも一つの上に配置する配向膜とを含み、前記第２電極は微細スリット構造に形成され、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法に関する。ベース基板と、前記ベース基板上に形成されたゲート走査線と、データ走査線と、前記ゲート走査線および前記データ走査線を上から覆う保護層とを備えるＴＦＴアレイ基板であって、前記保護層における封止剤を塗布した領域の、ゲート走査線と／またはデータ走査線に対応する位置に、導電層が設けられる。前記導電層は、当該ＴＦＴアレイ基板における封止剤の外部領域に延びるとともに、接地端に接続される。前記導電層を形成する材料としては、透明導電材料を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高精細画面の液晶表示装置において、画素の面積が小さくなっても、透過率が大きく低下することを防止する。
【解決手段】ゲート線１０１とドレイン線１０４で囲まれた領域に画素電極１０６が形成されている。ゲート線１０１の下には、上面と斜面を有する台形状の突起１０が形成されている。ＴＦＴは台形状の突起１０の上に形成され、チャンネル部１０３１は台形状の突起１０の上面と斜面に渡って形成されているので、チャンネル幅は平面に形成した場合よりも大きくすることが出来る。画素電極１０６は、台形状の突起１０の斜面において、ソース電極１０６と接触する。この構成によれば、ＴＦＴも画素電極１０６とソース電極１０５とのコンタクトも台形状の突起１０の部分に形成できるので、画素の透過率を上げることが出来る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネル、液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供すること。
【解決手段】マトリックス形態で配列される複数のピクセルと、ピクセルのうち第１行−ピクセルと接続される第１サブゲートラインと、ピクセルのうち第２行−ピクセルと接続される第２サブゲートラインと、第１サブゲートラインと第２サブゲートラインとの間に位置し、各々上側に隣接する第２行−ピクセルと下側に隣接する第１行−ピクセルと接続する複数のゲートラインと、ピクセルのうち隣接する第１列−ピクセルと接続される複数の偶数データラインと、ピクセルのうち隣接する第２列−ピクセルと接続される複数の奇数データラインと、を含むことを特徴とする、液晶表示パネルが提供される。液晶表示パネルは、水平クロストーク及び垂直クロストークを防止しながらも消費電力を効率的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】透過率を向上させる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】画素電極Ｐｘと共通電極ＣＴとを絶縁層を介して積層し、該画素電極Ｐｘあるいは該共通電極ＣＴのいずれか一方にスリットＳＬを形成し、該画素電極Ｐｘおよび該共通電極ＣＴによって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置１００において、前記絶縁層は、前記スリットＳＬの長手方向の端部１３ａ，１３ｂ近傍から該端部１３ａ，１３ｂに向かって厚みを増して形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】工程が簡易で量産可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上方の第１の配線と、第１の配線と同じ材料を有する第２の配線と、第１の配線及び第２の配線上方の層間絶縁膜と、層間絶縁膜上方の第３の配線と、画素電極と、画素電極と同じ材料を有する第４の配線と、を有し、第１の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の方向に第１の突出部と第２の突出部を有し、第１の突出部及び第２の突出部は隣り合う画素の隣り合うふちに配置され、第３の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線の第１の突出部と第２の突出部の間の領域に形成され、第４の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線とコンタクトホールを介して接続されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】複数の光検出回路のそれぞれにより第１の光データを生成し、第１の光データを用いて画像処理回路により画像データを生成して記憶回路に保持し、ＣＰＵにより、記憶回路から画像データを読み出し、画像データを画像信号として入出力部に入力し、入出力部により、画像信号から表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を表示回路に入力し、表示回路が画像データに基づく表示状態である間に、複数の光検出回路のそれぞれにより第２の光データを生成する。 （もっと読む）

【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び２つの容量素子を各画素に有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内の保持容量の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と別体に形成された拡張導電部によって、ＴＦＴスイッチング素子の有効チャネル長を短くする。
【解決手段】アレイ基板であって、ベース基板を有し、ベース基板に縦横に交差するデータラインとゲートラインが形成されてマトリックス状に配列する複数の画素ユニットが画成され、各画素ユニットにスイッチング素子が設置される。各スイッチング素子は、ゲート電極、活性層、ソース電極およびドレイン電極と、拡張導電部とを有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記活性層に接触する端部は対向してチャネル領域を定義し、前記拡張導電部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接して電気的に接触し、前記拡張導電部の端部は、前記拡張導電部に接触するソース電極またはドレイン電極を超え、前記チャネル領域内に延び、少なくとも前記チャネル領域内で前記活性層に接触する。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】スペーサーの剥れを抑制可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、前記画素電極と前記スイッチング素子を電気的に接続するよう前記有機絶縁膜に設けられたスルーホールと、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサーと、前記アレイ基板と前記対向基板に挟持された液晶層とを備える。前記スペーサーが有機絶縁膜に被覆されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素の列毎に設けられた複数のデータ線により異なる領域に反転駆動を行うための画像信号を同じタイミングで供給する液晶表示装置の駆動方法において、データ線の電圧の変化が不十分なことによる表示不良を低減できる液晶表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】正の電圧を液晶に印加する第１の画像信号を第１のデータ線及び第２のデータ線を介して画素に供給する第１の期間と、走査線により画素を非選択として１行目の画素に供給される負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第１のデータ線に供給し、且つ第（ｎ＋１）行目の画素に供給される負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第２のデータ線に供給する第２の期間と、負の電圧を液晶に印加する第２の画像信号を第１のデータ線及び第２のデータ線を介して画素に供給する第３の期間と、を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板９０１上に画素と不揮発性メモリとを備え、不揮発性メモリは、基板９０１上に形成される半導体活性層と、半導体活性層上に形成される絶縁膜９２３と、絶縁膜９２３上に形成されるフローティングゲイト電極９０７と、フローティングゲイト電極９０７を酸化して得られる酸化膜９０８，９１５，９２２と、酸化膜９０８，９１５，９２２に接して形成されるコントロールゲイト電極９２９と、を備え、画素と不揮発性メモリとは、基板９０１上に一体形成される。 （もっと読む）