【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】データ線と電界効果型トランジスターとを電気的に接続するコンタクトホール内の構成を改良して、コンタクトホールでの迷光の反射、およびデータ線の抵抗ばらつきを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、コンタクトホール４２ａの内部には、コンタクトホール４２ａの内壁４２ａ₁に沿って導電性の多結晶シリコン膜６０ａが形成され、多結晶シリコン膜６０ａに対して内壁４２ａ₁とは反対側にはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムからなる遷移金属膜６６ａが積層されており、データ線６ａは、導電性の多結晶シリコン膜６０ａと、金属材料層６５（遷移金属膜６６ａ、アルミニウム膜６７ａおよびチタン窒化膜６８ａ）との積層構造を有している。多結晶シリコン膜６０ａと遷移金属膜６６ａとの間にはシリサイド層６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、酸化物半導体層を高純度化することで、トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したようにトランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高く、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを含む表示領域と、マトリクス状に配置された複数の第１電極３０と、第１電極３０上において列方向に延びた複数の第１センサ４１と列方向と略直交する行方向に延びて第１センサと電気的に接続された複数の第２センサ４２と、を備えたアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向して配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０と、を備え、第１センサ４１は、第１センサ４１と第２センサ４２とに囲まれた隣接した領域Ａ１、Ａ２を接続する欠落部４０Ａを備えている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示画像の焼き付きが少なく、高品位な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、少なくとも一方が透明な一対の基板と、一対の基板間に配置された液晶層２４０と、一対の基板の一方の基板２３２に形成され、液晶層２４０に電界を印加するための一対の電極群と、一対の電極群に接続された複数のアクティブ素子と、液晶層２４０に接する面上に形成された配向膜２３７とを有する液晶表示装置であって、一画素の領域において一対の電極群のうちいずれか一方の電極２３３は平板状、他方の電極２３６は櫛歯状に形成されており、一対の電極の間には絶縁膜２７０が配置され、櫛歯状電極の上に配向膜２３７が配置され、絶縁膜２７０の比抵抗ρ_ｐ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_ｐ（ｎｍ）、配向膜２３７の比抵抗ρ_Ａ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_Ａ（ｎｍ）が関係式（ρ_ｐ・ρ_Ａ）／（ρ_ｐ・ｄ_Ａ＋ρ_Ａ・ｄ_ｐ）≧８×１０^１７（Ω）を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に有機パッシベーション膜が形成されておらず、かつ、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を柱状スペーサによって規定する液晶表示装置において、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定とする。
【解決手段】液晶表示パネルの表示領域では、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は柱状スペーサ１５０によって規定している。液晶表示パネル内において、画素も走査線も映像信号線も形成されていない部分においても、柱状スペーサ１５０によって間隔を規定する。この場合、柱状スペーサ１５０の台座１４０が必要となるが、台座１４０の層構造は、表示領域において間隔を規定する柱状スペーサ１５０が接触するＴＦＴ基板側の層構造と同一にする。これによって、製造コストの上昇をともなうことなく、液晶表示パネルの液晶層３００の間隔を一定にでき、輝度むら、あるいは色むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】柱状スペーサを用いてＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する液晶表示装置において、柱状スペーサと配向膜の摩擦によって配向膜が削れて輝点が発生することを防止する。
【解決手段】柱状スペーサ１５０は、ＴＦＴ基板１００の有機パッシベーション膜１０１に形成された凹凸台座１３０と接触し、画素部における対向基板２００とＴＦＴ基板１００との間隔を規定する。凹凸台座１３０の底面には凹凸が形成され、柱状スペーサ１５０は２個以上の凸部と接触する。凸部には配向膜１０５が存在しないので、柱状スペーサ１５０が横ずれしても配向膜削れを生じない。また、凸部は、有機パッシベーション膜１０１の凹凸台座１３０が形成されていない平坦部よりも低いので、液晶表示装置の中央のギャップを周辺のギャップよりも小さくすることが出来、液晶表示装置が温度上昇しても気泡が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】表示素子に印加される電圧が変化することによる表示品位の低下、表示の切替時
における紙媒体との違和感を低減することのできる液晶表示装置を提供することを課題の
一とする。
【解決手段】第１の画像信号の書き込み期間及び第１の画像信号の保持期間を有する第１
の静止画表示期間と、第２の画像信号の書き込み期間及び第２の画像信号の保持期間を有
する第２の静止画表示期間と、を切り替えて表示させ、第１の静止画表示期間の書き込み
期間と、第２の静止画表示期間の書き込み期間と、の長さを異ならせるディスプレイコン
トローラを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに一体的に形成されており、前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、前記第２の絶縁膜は、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化されて形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物を非イオン性不純物に中性化することにより、画像表示領域内でのイオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することのできる液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０の周辺領域１０ｂには、液晶層５０に接する第１電極８１および第２電極８２が設けられ、第１電極８１および第２電極８２には異なる電位が印加されている。第１電極８１は、第１導電層８１１の上層に第１電荷注入層８１２が積層された構造になっており、第２電極８２は、第２導電層８２１の上層に第２電荷注入層８２２が積層された構造になっている。従って、イオン性不純物は、第１電極８１あるいは第２電極８２との間で電荷の授受を行い、非イオン性不純物となる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、ベース基板に、第１透明導電薄膜層とソース・ドレイン金属薄膜層を順次形成し、第１回パターニング工程を行って、第１画素電極パターン、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン及びデータラインパターンを形成する工程と、有機半導体薄膜層とゲート絶縁薄膜層とを順次形成し、第２回パターニング工程を行って、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターン上に位置する有機半導体アイランドパターン及びゲート絶縁アイランドパターンを形成する工程と、一層のパッシベーション層薄膜を形成し、第３回パターニング工程を行って、データラインパッド領域を形成する工程と、第２透明導電薄膜層とゲート金属薄膜層とを順次形成し、第４回パターニング工程を行って、第２画素電極パターン、ゲート電極パターン、及びゲートラインパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、アンカリング強度の大きい光配向膜を形成し、液晶表示装置のＡＣ残像を抑制する。
【解決手段】光配向処理を施す配向膜材料において、剛直な高分子となるポリイミドと、柔軟な高分子となるポリイミドを混合して用いる。本発明にかかるこの材料は、偏光紫外線照射後におけるオリゴマの回転を生じやすく、配向膜のUV吸収二色比を向上させることが出来る。したがって、配向膜による液晶に対するアンカリング強度が強く、ＡＣ残像を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上
においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層
１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０
４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０
ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）