【課題】基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、１断目エッチング処理槽６１において、温度ｔ１を有するエッチング液を用いて、金属膜の表層を除去する工程と、金属膜の表層を除去する工程の後に、２〜４段目エッチング処理槽６２〜６４において、温度ｔ１よりも高い温度ｔ２を有するエッチング液を用いて、金属膜をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の低下を抑制することができ、製品歩留まりの高い液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 液晶表示パネルは、下地部を有したアレイ基板１、対向基板２、液晶層３、複数の正規柱状スペーサ３６ａ及び複数の補助柱状スペーサ３６ｂを備えている。下地部は、基板上に形成され、複数の走査線１９、複数の信号線２７、複数のスイッチング素子、絶縁膜及び透明な複数の導電部を含んでいる。複数の正規柱状スペーサ３６ａは、下地部上に形成され、アレイ基板１及び対向基板２間の隙間を保持している。複数の補助柱状スペーサ３６ｂは、下地部上に形成され、正規柱状スペーサ３６ａより低く形成され、導電部に２５％以上重ねられている。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０を含んだ複数の走査線１９と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線１９が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、２４μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】 電源がオフされた際の残像の発生を回避することができる液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層ＬＱと、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、複数の画素スイッチＳＷＰと、複数の第１電極と、走査線駆動回路ＧＤと、第２電極と、電圧供給配線Ｗ１と、制御機構と、第１切替え機構と、第２切替え機構と、出力タイミング切替え機構と、を備える。第１切替え機構及び第２切替え機構は、制御機構から与えられる制御信号を基に、導通状態及び非導通状態の何れかに切替え可能である。出力タイミング切替え機構は、上記制御信号を基に、画素スイッチＳＷＰを導通状態に切替える第２走査信号を複数の走査線ＧＬに同時に出力可能である。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが低減し、製造工程が単純化するディスプレイパネル及びこれを含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶層を含むディスプレイパネルは、相対向して配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のいずれか一面上に形成され、入射する光の第１偏光成分が、互いに異なるカラーの光として出射されるように、互いに異なるピッチで配列されている第１金属線形格子を含むカラーフィルタ偏光層と、前記第１基板及び前記第２基板との間の他面上に形成されている第２金属線形格子を含む偏光層と、を含み、前記第１金属線形格子に含まれている金属と前記第２金属線形格子に含まれている金属の特性は、互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製及び表示装置の作製に用いるフォトマスクの枚数を従来よりも少なくすることを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、１回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計３回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置の作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜を形成し、第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理をして第２の酸化物半導体膜を形成し、第１の導電膜を形成し、厚さの異なる領域を有する第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第２の酸化物半導体膜および第１の導電膜をエッチングして第３の酸化物半導体膜および第２の導電膜を形成し、第１のレジストマスクを縮小させて、第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電膜の一部を選択的に除去することでソース電極およびドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに交差するデータ線（６）及び複数の走査線（１１）と、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、複数の走査線のうち一の走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有するトランジスター（３０ａ）と、半導体層と基板との間に配置され、第２ソースドレイン領域に電気的に接続された第１容量電極（７１）と、第１容量電極に対向するように設けられるとともに一の走査線に隣り合う走査線に電気的に接続された第２容量電極（７３）とを有する蓄積容量（７０）と、を備え、蓄積容量は、基板上に設けられた溝の内部の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分等の異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性と表示装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】信号線は、第１の信号線と、第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、第２の絶縁膜を介して第２の信号線の上層に形成される透明導電膜ＣＨＬとからなり、透明導電膜ＣＨＬは、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを貫通して第１の絶縁膜に至る第１の接続孔ＴＨ１と、第２の絶縁膜を貫通して第２の信号線に至る第２の接続孔ＴＨ２とを覆うようにして形成され、第１の接続孔ＴＨ１又は第２の接続孔ＴＨ２の内で、基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、第１の絶縁膜又は／及び第２の絶縁膜に形成される溝部ＤＣＨを備え、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が、溝部ＤＣＨの底部まで伸延してなる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化し、表示装置の大型化又は高精細化するための技術を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴやＣＦは透明膜と不透明膜で積層された多層膜構造からなる。このような多層構造で異物等の不具合が生じた場合、異物がどの層にあるのかを早期に特定することが重要だが、集積イオンビーム(FIB)で加工した断面を電子顕微鏡(SEM)を用いて観察する方法では異物のある箇所は電子顕微鏡観察においては不透明であるうえ、作業効率が低い。
【解決手段】本発明にかかる液晶パネルの検査方法は、液晶パネル内に異物等の不具合が生じた場合、光学式顕微鏡により当該異物にピントを合せた後に、顕微鏡の視野範囲内、具体的には当該異物と同じ画素または隣接画素に形成された複数の不透明なダミーパターンに逐次ピントを合せることにより、当該異物がある層を特定するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向と直交する第２方向に対して左回りに鋭角に交差する第３方向に沿って延出した斜め配線部を含むソース配線と、第３方向に沿って延出した斜め電極部を含む画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記第１配向膜の第１ラビング方向は、前記第３方向に対して左回りに鋭角に交差する方向であって、第１ラビング方向と第３方向とのなす角度は３．６°以上であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、相互に離間して配置された複数の線形状を有する第１の透明導電膜ＰＸと、前記第１の透明導電膜と絶縁膜を介して重畳し、平板形状を有する第２の透明導電膜ＣＴを有し、
ドレイン信号線ＤＬと液晶ＬＣとの間に配置され、且つ前記第１の透明導電膜ＰＸと電気的に分離され第３の透明導電膜ＩＴＯ１を有し、
前記第１の透明導電膜ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され画素電位を供給され、前記第２の透明導電膜ＣＴは基準となる対向電位を供給されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示基板、表示パネル、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル１００、ガンマ電圧生成部、制御部及びデータ駆動部を含む。表示パネル１００は第１下部電極１１３＿１及び第１下部電極１１３＿１にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１を有する第１上部電極１１４＿１を含む第１画素と、第１画素の第１方向に配置されて第２下部電極１１３＿２及び第２下部電極１１３＿２にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１の延長方向と異なる方向に延長した第２スリットパターン１１５＿２を有する第２上部電極１１４＿２を含む第２画素と、第１方向と異なる第２方向に延長し第１画素と第２画素との間に配置された第１ゲートラインＧＬ１を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることが可能なＦＦＳ方式の液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。非透過性の導電パターン（ソース配線１２等）の近傍において、黒表示の際に液晶５０の配向不良により正面視において光漏れが生じる導電パターンの少なくとも一部に、平面視上、これを覆い、かつ、突出する庇４３を有する遮光層４２が配設されている。庇４３を有する遮光層４２と重畳するように配置された導電パターンに対し、当該導電パターンと前記液晶側で重畳するように配置され、かつ、庇４３を有する遮光層４２よりも、平面視において突出するように透明コモン電極１５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく蓄積容量の領域に形成でき、電気的にも安定な、柱状スペーサの台座の構造を与える。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、蓄積容量形成部５内で半導体層１６から形成され、かつ、すべての画素１ａ，１ｂ，…で同一の面積を有する台座１７を、更に備えている。画素１ａ，１ｂ，…には、柱状スペーサ２４が台座形成部６に当接する位置に設けられた画素１ｂと、柱状スペーサ２４が台座形成部６から離れた位置に設けられた画素１ａと、が含まれる。 （もっと読む）