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Fターム[2H092JA37]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | ゲート電極 (2,011)

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形状 (284)
厚さ (144)
層構造 (454)

Fターム[2H092JA37]に分類される特許

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【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1の半導体材料が用いられた第1のチャネル形成領域と、第1のゲート電極と、を含む第1のトランジスタと、第1のゲート電極と一体に設けられた第2のソース電極および第2のドレイン電極の一方と、第2の半導体材料が用いられ、第2のソース電極および第2のドレイン電極と電気的に接続された第2のチャネル形成領域と、を含む第2のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置における表示品位の低下を抑制し、また、消費電力を低減する。
【解決手段】互いに連続したフレーム期間である第1のフレーム期間及び第2のフレーム
期間において、互いに電圧の極性を反転させて液晶素子に電圧を印加することにより画素
の表示を行う液晶表示装置の駆動方法であって、第1のフレーム期間における画像及び第
2のフレーム期間における画像の比較により第1のフレーム期間及び第2のフレーム期間
における画像が静止画像であると判断され、且つ第1のフレーム期間における液晶素子に
印加される電圧の絶対値と、第2の期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、
が異なる場合に、第1のフレーム期間又は第2のフレーム期間において、液晶素子に印加
される電圧を補正する補正処理を行う。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿った長さが第1方向に交差する第2方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第2方向に沿って延出した主画素電極及び第1方向に沿って延出し主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第1基板10と、主画素電極を挟んだ両側で主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び副画素電極を挟んだ両側で副画素電極と略平行に延出し主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第2基板と、第1基板10と第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、主画素電極と主共通電極との第1方向に沿った水平電極間距離は、主画素電極と主共通電極との第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】非選択期間において、出力信号のノイズが小さく、且つトランジスタの特性劣化を抑制できる液晶表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタを設け、第1のトランジスタにおいて、第1端子を第1の配線に接続し、第2端子を第2のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第5の配線に接続し、第2のトランジスタにおいて第1端子を第3の配線に接続し、第2端子を第6の配線に接続し、第3のトランジスタにおいて第1端子を第2の配線に接続し、第2端子を第2のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第4の配線に接続し、第4のトランジスタにおいて第1端子を第2の配線に接続し、第2端子を第6の配線に接続し、ゲート端子を第4の配線に接続する。 (もっと読む)


【課題】部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたFFSモードの液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、ゲート配線43の延在方向に対して0°<α<90°の角度αで傾斜した配向方向を有する配向膜と、画素電極6と、画素電極6上に絶縁膜を介して対向配置される共通電極8と、共通電極8に形成され、画素電極6との間で液晶20にフリンジ電界を発生させるスリットとを備える。画素内は、配向方向に延在する境界線により分割され、スリットは、各領域において境界線の延在する方向に対して角度±θ傾斜して配置された複数の第1スリットA、第2スリットBと、境界線上に形成され、該境界線に沿う方向に延在する端辺を有する第3スリットCを有し、第2の基板には配向方向に設定された吸収軸を有する偏光板を有する。 (もっと読む)


【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 (もっと読む)


【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第1の面および第2の面を有する有機半導体部と、第1の面に隣接されたソース電極部と、第2の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 (もっと読む)


【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第1のソース及び第1のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第1のゲートに第1の走査信号線を介して第1の走査信号が入力される第1のトランジスタ101と、2つの電極のうちの一方の電極が第1のトランジスタの第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続される容量素子102と、第2のソース及び第2のドレインの一方が第1のトランジスタ101の第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続され、第2のゲートに第2の走査信号線を介して第2の走査信号が入力される第2のトランジスタ103と、第1の電極が第2のトランジスタの第2のソース及び第2のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子104と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第2の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Gと、ゲート配線Gと交差するソース配線Sと、コンタクト部PCおよびコンタクト部PCから延びた主画素電極PAを備えた画素電極PEと、ソース配線Sの下に配置されゲート配線Gと交差しソース配線Sの下から屈曲してコンタクト部PCの下へ延びた半導体層PSと、を備えた第1基板ARと、アレイ基板ARと対向して配置され、主画素電極PAを挟んだ両側で主画素電極PAと略平行に延びた主共通電極CAを備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、半導体層PSは、ゲート配線Gと交差する位置の一方側でソース配線Sと電気的に接続するとともに、ゲート配線Sと交差する位置の他方側でコンタクト部PCと電気的に接続している液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】直線的に延出した第1電極と、前記第1電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1電極を挟んだ両側で前記第1電極の延出方向と略平行な方向に沿って延出した第2電極と、前記第2電極を覆う第2配向膜と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)のいずれかの金属材料またはいずれかを含む合金によって形成されたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の周囲が薄暗い環境であっても、表示された画像が良好に認識でき
る液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モー
ドと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装
置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶層を介して入射する光を反射する画素と、透光性を有する画素を対にし
て複数設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両
モードでの画像表示をすればよい。また、光を反射する画素と、透光性を有する画素をそ
れぞれ独立した信号線駆動回路と接続すればよい。 (もっと読む)


【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板10と、画素に配置された透光性の画素電極15と、素子基板10と画素電極15との間に設けられ、誘電体層16bを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量16と、蓄積容量16と画素電極15との間に設けられた第3層間絶縁膜14と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極15、一対の透光性電極としての第1電極16aおよび第2電極16c、ならびに第3層間絶縁膜14のそれぞれの膜厚が設定されている。 (もっと読む)


【課題】基板上における所定の形成層のパターニング可能領域を最大限確保することができ、かつ精度の良い装置が製造可能な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】TFT基板のゲート配線形成工程は以下のステップ(a) ,(b) を実行することによって行う。ステップ(a) :2つのレチクルを順次用いて、所定のレジスト上の露光領域RA1及びRA2を露光した後、現像することによりゲート配線用レジストパターン11を得る。この際、露光領域RA1及びRA2の重複領域DA1にゲート配線用レジストパターン11の一部に凹部7a〜7cからなる位置補正用パターン7を併せて形成する。ステップ(b) :ステップ(a) で得たゲート配線用レジストパターン11を用いて下地の配線用材料をパターニングしてゲート配線及び容量配線を得る。 (もっと読む)


【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第1基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第2基板としての対向基板20が、第1透光性導電層23aと、第1透光性導電層23aの複数の画素電極と対向する第1領域E1に配置された第2透光性導電層23cと、第1透光性導電層23aと第2透光性導電層23cとの間に配置された第1絶縁膜23bと、を有し、対向基板20の第1領域E1を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第1透光性導電層23a、第1絶縁膜23b、第2透光性導電層23cの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板20とを接着するシール材40が設けられる対向基板20の第2領域E2には、第1透光性導電層23aが配置されている。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第1スペーサ層及び第2スペーサ層を含む。第2スペーサ層の厚さは第1スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第1方向に沿って見たときに第1、第2スペーサ層と重なる部分を有する第1、第2画素電極を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、第1絶縁基板上に実質的に第1方向に互いに平行に配置されたゲート配線及びストレージ配線と、ゲート及びストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第2方向に配置されたデータ配線と、ゲートとデータ配線とによって定義された画素領域上に形成された第1画素電極と、第1画素電極に隣接する第2画素電極と、を含み、ストレージ配線は、実質的に第1方向に配置された水平部と、水平部から実質的に第2方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部と、を含み、垂直部は、第1画素電極及び第2画素電極とオーバーラップし、第1画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は、第2画素電極及び垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置100は、2枚の基板110,120のうち一方の基板110の液晶層130側表面に非発光領域に対応して他方の基板120に向かって突出するように形成された凸部Cvxと、他方の基板120の液晶層130側表面に凸部Cvxと重なる領域に対応して形成され、凸部Cvxの突出高さh1と同じまたはそれよりも小さい深さh2を有する凹部Ccvと、凹部Ccvに収容され、凹部Ccvの底面と凸部Cvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、2枚の基板間距離dが一定となるように保持するビーズスペーサ131と、を備える。 (もっと読む)


【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧(Vth)をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン(P)、またはホウ素(B)を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。 (もっと読む)


【課題】1つの画素に4つのサブ画素を有する液晶表示パネルにおいて、輝度を向上するためのサブ画素における穴の面積比率のばらつきを低減する。
【解決手段】カラーフィルタ層は、互いに色の異なる第1フィルタ21Aと第2フィルタ21Bと第3フィルタ21Cとを含む。また、カラーフィルタ層はいずれかのフィルタと同色の第4フィルタ21Dと、4つのフィルタを区画するブラックマトリクス22とを含む。第4フィルタ21Dには穴23が形成されている。穴23はブラックマトリクス22の第1の線部22aに沿った方向に延びており、第1の線部22aが穴23の縁の一部を構成している。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス基板の特性の向上、及び、白黒表示間のコントラストが向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、行方向に隣接する2つの画素電極の両方と重畳して配置された列方向に伸びるソース配線と、ソース配線と交差して配置された行方向に伸びる保持容量配線とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記画素電極、ソース配線及び保持容量配線は、絶縁膜を介してそれぞれ異なる層に形成されており、上記ソース配線は、行方向に隣接する2つの画素電極下にそれぞれ屈曲点を有し、かつ、行方向に隣接する2つの画素電極の間隙を横切る横断部を有し、上記保持容量配線は、行方向に隣接する2つの画素電極の間隙と重畳して配置された列方向に伸びる延伸部を有し、上記ソース配線は、実質的に保持容量配線との交差点でのみ保持容量配線と重畳しているアクティブマトリクス基板。 (もっと読む)


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