【課題】画素を備える基板上に形成される抵抗素子を信頼性よく形成できる表示装置の提供。
【解決手段】基板上に少なくとも薄膜トランジスタと抵抗素子を備える表示装置であって、
前記基板上に、順次積層された、ゲート電極、絶縁膜、半導体層、および導電体層を有し、
前記抵抗素子は、前記導電体層からなる配線の端部間に形成された前記半導体層を抵抗体として形成され、
前記配線の端部間であって、前記半導体層の上に、当該端部から離間された少なくとも１つの前記導電体層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】マルチドメイン垂直配向液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、互いに隔てて位置され、それらの間にセルギャップを定義する第１基板と第２基板、前記第１基板と前記第２基板間の前記セルギャップ間に位置された液晶層、及び前記第１基板上で第１方向に配列された複数のスキャンラインと、前記第１基板上で第１方向に垂直な第２方向で、前記複数のスキャンラインと交差配列され、複数の画素を定義する複数のデータラインを含み、各画素は、第１誘電体層、第１画素電極、第２誘電体層、第２画素電極、及び補助共通電極を含む液晶ディスプレイ装置とした。 （もっと読む）

【課題】複雑な製造設備を要さず、単純な工程により、電極及び隔壁で区画された領域を有する表示パネル用基板を低い製造コストで製造することができ、更に消費電力の少ない表示パネル用基板を製造することができる表示パネル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】隔壁６により区画された領域８に電極１０ａを備えた基板２を製造する方法であって、隔壁６を形成するための凸部３２を有する型の凸部３２の上面３２ａに導電材料１０を付着させる工程１と、凸部３２の上面３２ａに導電材料１０が付着した型３０で基板材料１０を加圧して隔壁６を成形する工程２と、型３０を基板材料１０から離す工程３と、を含む表示パネル用基板２を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】印刷適性に優れ、しかも印刷により高い導電性の透明導電層を形成できる導電性インクを提供する。
【解決手段】本発明の導電性インクは、π共役系導電性高分子とポリアニオンドーパントと増粘剤とレベリング剤とを含み、π共役系導電性高分子とポリアニオンドーパントの合計の含有量が０．０５〜５質量％であり、増粘剤とレベリング剤の質量比（レベリング剤／増粘剤）が０．１以上１．５未満である。 （もっと読む）

【課題】層厚方向で遅層軸がばらつくことのない位相差層付き基板、液晶表示装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】位相差層付き基板１０は、互いに対向する第１の基板１１と第２の基板１２と、第１の基板１１と第２の基板１２との間に位置した中間層１３と、を備え、中間層１３は、光または熱硬化性材料が硬化されて形成された複屈折性を有する位相差層１４を含み、第１の基板１１と第２の基板１２との中間層１３に接する面のそれぞれに、位相差層１４の配向を規制する処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に設けられており、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａを含むＴＦＴ３０を備える。更に、半導体層１ａよりも上層側に形成されており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆うと共に第１部分３０１よりＸ方向の幅が広い第２部分３０２とを有する蓄積容量７０ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】画素表示領域の構造を簡易化しつつ、センサでの受光量を精度よく検出できる表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、信号線及び走査線が列設される画素アレイ部１と、信号線を駆動する信号線駆動回路２と、走査線を駆動する走査線駆動回路３と、画像を取り込んで出力する検出回路４１＆出力回路４と、画像取込み用のセンサを制御するセンサ制御回路５とを備えている。各画素ごとに複数のセンサ１２ａ，１２ｂを設けて画像取込みを行うため、高解像度で画像取込みを行うことができる。また、センサ１２ａ，１２ｂで取り込んだ画像データをバッファ１３に格納するため、フォトダイオードＤ１，Ｄ２で受光した光量を正確に検出できる。さらに、アレイ基板２１、対向基板２４及びバックライト２３の順に配置するため、紙面２２からの反射光の強弱をフォトダイオードＤ１，Ｄ２にて精度よく検出できる。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子を用いた導電性フィルムを、工業的に容易にパターニングできる処理方法を提供すること。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に、下記一般式で表される繰返し単位からなるポリカチオン状のポリチオフェンとポリアニオンとからなる導電性高分子を主として含有する導電層が形成された導電性フィルムを、イソプロピルアルコールを含有する処理液を用いて該導電性高分子を部分的に不活性化し、パターニング処理された導電性フィルムを得る。
【化１】


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は相互に独立して水素または炭素数１〜４のアルキル基を表すか、あるいは一緒になって任意に置換されてもよい炭素数１〜１２のアルキレン基を表す） （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の透明電極膜の一部にこれまでになく簡単且つ良好に絶縁部を形成できる画期的な技術を提供する。
【解決手段】両面に透明電極膜２を積層した液晶層１を一対の絶縁性基板３（プラスチックフィルムなど）で挟んだ多層構造を有し、前記液晶層１の両面の透明電極膜２間に電圧を印加することでこの透明電極膜２間に介存する前記液晶層１の液晶分子１ａを配向する液晶表示装置の前記透明電極膜２を加工する方法において、前記絶縁性基板３に比して前記透明電極膜２に対する透過率が低いレーザ４を、前記一対の絶縁性基板３間に介存する透明電極膜２に向けて照射し、このレーザ４により、前記絶縁性基板３をレーザ切断することなく前記透明電極膜２に電気的に絶縁性を有するレーザ照射加工痕を形成して、この透明電極膜２の一部に絶縁部５を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのソース電極に接続されたパッド部と画素電極とのスルーホールを介した電気的接続の信頼性を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも、半導体層、薄膜トランジスタのソース電極に接続されたパッド部、絶縁膜、画素電極が順次積層され、
前記画素電極は前記絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記パッド部に電気的に接続され、
前記パッド部は、前記スルーホールの前記パッド部側の開口端の周囲の一部を交差させて形成される切り欠きあるいは孔を備え、
前記パッド部の下層の半導体層は、前記パッド部の切り欠きあるいは孔の形成領域および前記パッド部の外方へはみ出して形成され、
前記スルーホールの前記絶縁膜の表面における開口端の周囲に、前記パッド部に形成された切り欠きあるいは孔による凹陥部が反映された段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素電極及びデータ線間等に生じる容量カップリングの影響を排除して、表示ムラ等のない高品位な画像の表示を行う。
【解決手段】基板上に、データ線（６ａ）及びこれに交差する走査線（３ａ）、並びに、データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極（９ａ）及びＴＦＴ（３０）が積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、前記基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置され固定電位とされたシールド層（４００Ｕ）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。また、シールド層に接続された容量電極（４００Ｄ）の少なくとも一部は、前記蓄積容量を構成する一対の電極の一方を含む。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成され、ソース／ドレイン領域を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５と、層間絶縁膜６ａと、ソース／ドレイン領域に接続する配線電極７１、７２と、保護膜８と、配線電極７２に接続する画素電極９と、半導体層３より延在して形成された下部容量電極３ａと、ゲート電極５と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜４を介して下部容量電極３ａの対面に配置された共通配線電極５ａと、層間絶縁膜６ａより膜厚の薄い誘電体膜（保護膜８）を介して共通配線電極５ａの対面に配置された上部容量電極９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減するとともに製造工期の長期化を避けることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置において透過電極３は、ガラス基板１上に形成される。下地電極２０は、ガラス基板１上において、透過電極３の一部である端部４４ａ上に重なる。反射電極４は、下地電極２０上に接触するように形成される。反射電極４は、下地電極２０の平面形状と実質的に同じ平面形状を有する。端子電極は、ガラス基板１上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される。下地配線４１は、ガラス基板１上において、端子電極５の一部（端部４４ｂ）上に重なるとともに、下地電極２０と同一レイヤにより構成される。上層配線４２は下地配線４１上に形成される。上層配線２０は、反射電極４と同一レイヤにより構成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ基板において、各配線間のクロストークを低減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板は、透明基板上に配置され、ゲート電極４ａが分岐して延在するゲート配線１と、下部絶縁膜を介してゲート電極４ａの上方を覆う半導体層３と、半導体層３を介してゲート電極４ａの上側にそれぞれ一部が重なりかつゲート配線１とは交差しないようにそれぞれ別個に配置されたソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃと、ソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃを覆う上部絶縁膜と、この上部絶縁膜の上側においてゲート配線１と交差する方向に配置され、ソース電極４ｂに接続された上部ソース配線８と、ドレイン電極４ｃに電気的に接続された透明な画素電極１１とを備え、少なくともゲート配線１と上部ソース配線８とが交差する交差部２１では、ゲート配線１と上部ソース配線８との間に上記上部絶縁膜が配置されている。 （もっと読む）

【課題】優れたトランジスタ特性を得ると共に、リークの発生を低減する。
【解決手段】 基板上に、半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクに前記チャネル領域及びゲート電極形成領域に対応した開口を形成する工程と、前記ハードマスクの開口を介してソース領域又はドレイン領域とは逆導電型の不純物を前記半導体層に導入してチャネル領域を形成する工程と、前記ハードマスクの開口領域にゲート電極を形成する工程と、前記チャネル領域の両側の前記半導体層に、不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】排液処理などを伴うことなく高速で透明電極のパターニングを行うことを可能にする。
【解決手段】基体１上に紫外光吸収性の薄膜パターン２を形成し、該基体１および紫外光吸収性の薄膜パターン２上に透明電極層３を形成し、透明電極層３に紫外レーザ光８を照射する。紫外レーザ光８によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターン２を光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。他の形態では、基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行う。薄膜パターンと薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層が除去されてパターニングがなされる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便で安価に得られ、かつ導電性及び透明性が高い透明電極を提供する。
【解決手段】相対湿度５０〜９５％及び温度２０〜７０℃の条件下で、導電性金属微粒子を有機溶媒中に分散させた塗布液を透明基板上に塗布して高湿度下で乾燥した後、この塗布液を塗布した透明基板を焼成し、透明基板の表面に導電性金属で構成された線状部を有する透明電極を製造する、この線状部の平均径はナノメータサイズであってもよい。この線状部は前記基板上で二次元ネットワーク状に連なっており、かつ前記基板の全表面の面積に対して前記線状部の占める面積の割合が２０％以下である。この透明電極は、体積比抵抗が１００Ω／□以下であってもよい。前記導電性金属は、周期表第１Ｂ族金属（例えば、銀）、又は周期表第１Ｂ族金属を含む合金などであってもよい。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板上に、導電層４０２と、透明電極９ａと、前記導電層と透明電極との間に形成される層間絶縁膜４４と、前記導電層と前記透明電極とをコンタクト部において電気的に接続するために前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール８９と、少なくとも前記コンタクト部において、前記導電層と前記透明電極との間に設けられる酸化チタン膜１７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの電気特性の測定において、光リーク特性の測定を、実使用環境に類似した条件で定量的に行うことができる電気光学装置の検査装置を提供する。
【解決手段】大板１１０が載置されるステージ３０と、ステージ３０の上方に位置する光ファイバケーブル６１の延出端６１ｓの集光レンズ６２と、ステージ３０の外周部の一部において、集光面３１ｓがステージ３０における載置面３０ｓと同じ高さＨとなるよう設けられた、集光レンズ６２から照射された光の光量を測定する照度計３１と、ステージ３０の上方に設けられた、ＴＦＴ基板のＴＦＴのテストエレメントグループに接触することにより、トランジスタの電気特性及びＴＦＴの光リーク特性を測定するプローブカード３５と、を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）