【課題】マルチゲート構造の薄膜トランジスタを更に改良することにより、簡素な電気的構成でソース−ドレイン耐圧を向上することのできる半導体装置、半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を用いた電気光学装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、マルチゲート構造の薄膜トランジスタ１０では、ドレイン側の第１のトランジスタ部１０ａの第１のチャネル領域１ｂの層厚を、ソース側の第２のトランジスタ部１０ｂの第２のチャネル領域１ｆの層厚に比して薄くし、第１のトランジスタ部１０ａの閾値電圧をディプレッション側にシフトさせてあるので、ゲート電極３ａ、３ｂに同電位を印加した場合でも、トランジスタ部１０ａ、１０ｂのコンダクタンス差が小さい。チャネル領域１ｂ、１ｂは各々、チャネルドープされているが、層厚が相違する分、不純物イオンのドーズ量を相違させてある。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、優れたパターン精度を有するパターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基体１０上に絶縁層１１を介してパターンを形成するパターン形成方法であって、基体１０の表面に絶縁層１１を配置する工程と、絶縁層１１の表面に、パターンを形成するための液体のパターン形成材料１５に対して撥液性を有する撥液層１２を形成する工程とを含む。絶縁層１１の表面の撥液層１２が形成されている領域において、パターンに対応する凹部１４を形成する工程を含む。凹部１４にパターン形成材料１５を配置する工程と、パターン形成材料１５を焼成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、製造プロセスにおける工程数を削減可能とする。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、第１チャネル領域（１ａ’）、第１ソース・ドレイン領域（１ｄ、１ｅ）、並びに第１チャネル領域及び第１ソース・ドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（１ｂ、１ｃ）を有する第１半導体層（１ａ）を含む第１トランジスタ（３０）と、第１チャネル領域と互いに異なる導電型を有する第２チャネル領域（４１０ｃ）、及び第２チャネル領域に隣接する第２ソース・ドレイン領域（４１０ｓ、４１０ｄ）を有する第２半導体層（４１０）を含む第２トランジスタ（４００）とを備える。更に、第２ソース・ドレイン領域には、第１半導体層におけるＬＤＤ領域に所定濃度で含まれる不純物と同一種類の不純物が、少なくとも所定濃度に等しい濃度で含まれる。 （もっと読む）

【課題】電気光学表示装置用基板に設けられたバリアメタル層を化学機械研磨する工程において、研磨速度の面内均一性を確保することでき、かつ被研磨面の面内平坦性のばらつきを抑制することができる化学機械研磨用水系分散体、および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに該化学機械研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）有機酸、（Ｂ）水溶性高分子、（Ｃ）酸化剤、および（Ｄ）砥粒を含み、前記（Ａ）有機酸と前記（Ｂ）水溶性高分子の質量比（Ａ）：（Ｂ）を１：０．０１〜１：３とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程が煩雑になるのを抑え、電気的な接続不良を抑制し、所望の性能を有する液晶装置を製造できる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置の製造方法は、第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に無機材料を含む第１配向膜を形成する第１配向膜形成処理と、第１配向膜に第１導電膜前駆体溶液を供給する第１導電膜前駆体溶液供給処理と、第１導電膜前駆体溶液を第１導電膜に変換する変換処理と、を含む。第１配向膜に供給された第１導電膜前駆体溶液は、毛管現象によって前記第１配向膜を通過し、第１端子に到達する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴへの光リークを防止するとともに、ＴＦＴの特性のズレを補正し、表示ムラを抑制する。
【解決手段】ＴＦＴ１３５のチャネルに対向して遮光層１２５を配置する。これにより、アレイ基板側からＴＦＴ１３５のチャネルに光が入射することを防ぐことができるので、ＴＦＴ１３５の特性の劣化を防止することが可能となる。また、電圧制御回路４により、遮光層１２５に印加する電圧を制御する。これにより、ＴＦＴ１３５の特性のプロセスバラツキを補正することができるので、表示ムラの発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高い画素電極を形成することで高コントラストを得る、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板６０上に剥離層６１を形成し、剥離層６１上に光反射性を有する電極形成層６２を形成する。そして、電極形成層６２上に絶縁層１５を設け、絶縁層１５上に電極形成層６２に導通する薄膜トランジスタ３０を設ける。その後、電極形成層６２及び薄膜トランジスタ３０を含む積層体４０から支持基板６０を剥離し、電極形成層６２を所定のパターン状に分割し、画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部におけるＩＴＯの断切れの発生を抑制すること。
【解決手段】かさ上げ層７は、アレイ基板１とソース信号配線２との間に形成され、かさ上げ層７の周縁部の一部または全部の領域が、ソース信号配線２の端部からはみ出して形成される。かさ上げ層７がソース信号配線２の端部からはみ出したはみ出し部７ａは、表面が緩やかに傾斜している。かさ上げ層７をソース信号配線２とアレイ基板１との間に形成することによって、ソース信号配線２の側面の逆テーパ状の窪みを原因とした、保護膜３のステップカバレッジの悪化を抑制する。ステップカバレッジが良好な保護膜３の上にＩＴＯ４が形成されるため、ソース信号配線２の周縁部付近における、ＩＴＯ４の断切れの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の画素を駆動する際の保持容量を大きくして、保持能力を向上させること。
【解決手段】本発明は、液晶を挟んで形成された一対の基板のうち、一方の基板上に、第１の方向に沿って形成される走査線１−３と、第１の方向に交差する第２の方向に沿って形成される信号線８−１と、走査線１−３および信号線８−１の交差部に対応して設けられる画素電極と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、画素電極に電気的に接続されるキャパシタ４−１、４−２とを備える液晶表示装置であり、キャパシタ４−１、４−２の画素電位を有する画素電極と対向する電極が、画素電位に対して高電位を有する第１の電極８−２と、画素電位に対して低電位を有する第２の電極８−４とを備えているものである。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成でき、しかも複数回のパターニング工程を連続して行うことができる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第２主面上に第１保護膜を形成する工程Ｐ１と、その後に第１主面にａ−ＩＴＯ膜を形成する工程Ｐ５と、ａ−ＩＴＯ膜をパターニングして第１電極を形成する工程Ｐ６と、第１電極を覆う形状に第２保護膜を形成する工程Ｐ１０と、その後に第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し第２レジスト膜を用いて第１保護膜をパターニングする工程Ｐ１１と、パターニング後の第２レジスト膜を除去する工程Ｐ１２と、工程Ｐ１２後に第２主面に無機膜を形成する工程Ｐ１３と、無機膜をパターニングする工程Ｐ１４とを有する基板の製造方法である。工程Ｐ１０の第２保護膜は非感光性材料によって形成され、工程Ｐ１２では第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する。 （もっと読む）

【課題】有機膜が形成された基板に位相差層をパターニングする際に有機溶剤によって下地の有機膜が侵食されないようにした液晶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置１００は、液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２０と、一方の基板２０の液晶層５０側に設けられた有機膜２３（カラーフィルタのオーバーコート層２３）と、有機膜２３の液晶層側の面を覆う無機膜２４と、前記無機膜２４の液晶層５０側に設けられた位相差層２５とを備える。無機膜２４は、有機膜２３の少なくとも位相差層２５と平面的に重ならない部分の略全面を覆って形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦ
ＦＳモードの液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線
を確実に防止可能な構成を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０上には、薄膜トランジスタ３０と、層間絶縁
膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを
介して薄膜ドランジスタ３０のドレイン領域１ｄに電気的に接続された画素電極７ａと、
電極間絶縁膜８と、共通電極９ａとが順に形成されている。共通電極９ａにはスリット状
の開口部９ｂが複数、形成されている。電極間絶縁膜８の上層には、コンタクトホール６
ａと平面的に重なる領域の全体にわたって共通電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からな
る導電膜９ｃが形成され、導電膜９ｃは、共通電極９ａと電気的に分離された状態にある
。 （もっと読む）

【課題】上下電極を接続できる微細なビアポストを作製でき、アクティブマトリックス駆動回路やフラットパネルディスプレイに応用した場合、製造コストを低減できる多層配線の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の金属電極上に第1の導電性バンプを形成する工程と、第1の高分子樹脂からなる絶縁膜で、前記第1の導電性バンプを被覆する工程と、前記第１の導電性バンプ頭部の絶縁膜上に、導電フィラー、第２の高分子樹脂、有機溶媒から構成される第２の導電性バンプを印刷する工程と、前記第２の導電性バンプの有機溶媒を蒸発させる工程とを有し、前記第２の導電性バンプの有機溶媒を蒸発させる工程では、有機溶媒が前記第１の高分子樹脂を溶解して前記第１の導電性バンプと前記第２の導電性バンプとを接続することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイパネルの修復方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を有すると共に、不良により複数の画素の少なくとも１つにブライトスポット欠陥が存在する不良画素領域を含む液晶ディスプレイ薄膜トランジスタパネルを提供し、薄膜トランジスタパネル上の不良画素領域内に不透明物質６が設けられる。不透明物質６は薄膜トランジスタパネルのいずれか一面又は両面に積層又は印刷する。また、液晶パネルを完成する前に、薄膜トランジスタパネル上にブライトスポット欠陥が形成された画素領域に対応して不透明物質６を配置し、又は、液晶パネルを形成した後、液晶ディスプレイパネル上にブライトスポット欠陥が形成された画素領域に対応して不透明物質６を配置する。 （もっと読む）

【課題】照明光の輝度調整を適切に行える電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１１が、画像表示領域の外周部の少なくとも一部に設けられたＰＩＮ構造の受光素子４８を有すると共に、対向基板１２が、平面視で受光素子４８と重なる緑色フィルタ層７４を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】極めて簡単な構成で、導電体層の破損に対する修復を可能にする表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、順次積層された、ゲート信号線、絶縁膜、非晶質の半導体層、および導電体層を有し、
前記導電体層は、少なくとも、前記半導体層の前記ゲート信号線と重畳するチャネル領域を間にして配置される薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極、前記ドレイン電極と接続部を介して接続されるドレイン信号線を構成し、
前記半導体層は、前記導電体層の形成領域下に形成され、
前記導電体層に破損部が生じている場合、その破損部とその近傍における半導体層の部分を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】 薄型軽量画像表示装置の、衝撃や曲げに対する耐久性を向上し、湾曲させた利用や曲面実装を可能にし、さらに製造工程数の削減による製造コストを低減し、大型化を容易にすること。
【解決手段】 複数の画素により構成された表示部と、表示部の制御を行う周辺集積回路を有する画像表示装置において、表示装置を衝撃や曲げに対する耐久性の高い支持基板上に設け、画素回路を有機半導体ＴＦＴで構成し、周辺集積回路を低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、この周辺集積回路を製造した時の支持基板を除去して表示装置の支持基板上に設け、画素回路と周辺集積回路を同一配線層で接続する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板について、液晶配向膜のラビング工程等によって発生する静電気によって基板上に形成されたＴＦＴ等が破壊される事態を有効に回避することのできる構成を提供することを課題とする。
【解決手段】基板（絶縁性基板（１））上に画素電極がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して各々画素トランジスタが形成されるとともに、前記画素電極が形成された画素部（１２）の周囲には前記画素トランジスタを制御する周辺回路および端子部が形成されてなる複数のパネル領域（１１）が連続して配置されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記パネル領域内の画素部を除く部位の少なくとも一部に絶縁層（第２層間絶縁膜（７））を介して帯電防止用の導電層（共通配線８）が設けられるように構成した。 （もっと読む）