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Fターム[2H092NA14]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | 安定化 (3,125) | 静電破壊防止 (416)

Fターム[2H092NA14]に分類される特許

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【課題】画素TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素TFTをチャネルエッチ型の逆スタガ型TFTで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からTFT等を保護することができる。 (もっと読む)


【課題】剥離層、基板、又は設置面等の帯電による影響を受けない、回路動作が安定した薄膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】両基板間の短絡を抑制した横電界方式の液晶表示装置。
【解決手段】一対の基板11、26がシール材33で張り合わされ、液晶32が封入され
、シール材33の内側に表示領域34が、表示領域34の外側に非表示領域35が形成さ
れ、一方の基板11には第1、第2電極21、25が形成された横電界方式の液晶表示装
置10であって、他方の基板26には、液晶32と接する側の面の非表示領域35に対応
する位置に金属性の遮光膜28が形成され、液晶32と接する面と反対側の面には導電膜
31が形成され、他方の基板26の非表示領域35に形成された遮光膜28は、一方の基
板11に配設されている共通配線14と導電性部材36によって接続され、導電膜31は
接続体38でGND電位41と接続されている液晶表示装置10において、非表示領域3
5に形成された遮光膜28は、接続体38が形成されている部分と平面視で重畳しないよ
うに形成されている。 (もっと読む)


【課題】工程数及びコストを増加させずに製造でき、静電気による誤動作を短時間で確実に解消できるアクティブ駆動方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブ駆動方式の液晶表示装置は、基板の面方向に印加される電界により駆動され、第3族または第13族金属と少なくとも1種の液晶分子とを含む液晶相溶性粒子を、混合液晶材料に添加してなる第3族または第13族金属液晶相溶性粒子添加液晶を用いる。液晶相溶性粒子は、少なくとも1種の他の金属を含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】実動作の阻害を低減し、ノイズによる影響を低減する。
【解決手段】電極と、電極に電気的に接続された配線と、平面視において前記電極と重なる酸化物半導体層と、断面視において前記電極と前記酸化物半導体層の間に設けられた絶縁層と、前記配線を介して前記電極から信号が入力され、入力された前記信号に応じて動作が制御される機能回路と、を有する構造であり、酸化物半導体層及び絶縁層と、配線又は電極と、を用いて容量素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成で画素の開口率の向上と補助容量の確保とが実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】 n行m列(n及びmは、それぞれ2以上の整数を表す。)のマトリクス状に配列された画素電極と、略格子状に設けられたn本のソースライン及びm本のゲートラインとを有する薄膜トランジスタアレイ基板を備えた表示装置であって、上記ゲートラインは、奇数行の画素電極と偶数行の画素電極との間に、奇数行用のゲートライン及び偶数行用のゲートラインがともに配置され、基板面に対して法線方向から見たときに、上記奇数行用のゲートラインと上記偶数行用のゲートラインと重なる領域にシールド電極を更に有し、上記シールド電極と上記画素電極とは電気的に分離されている表示装置である。 (もっと読む)


【課題】信号線と下電極との間で短絡が発生し難い、信頼性の高い液晶表示装置を提供す
る。
【解決手段】一対の基板のうち、第1基板ARを被覆する第1の絶縁膜15と、走査線1
2及びコモン配線13と交差する方向に、第1の絶縁膜15上に設けられた複数の信号線
17と、複数の走査線12及び信号線17で区画された領域毎に形成されているとともに
コモン配線13に接続された下電極14と、下電極14の表面に形成された第2の絶縁膜
18と、第2の絶縁膜18上に平面視で下電極14と重畳するように形成され、複数のス
リット20を有する上電極21とを備えた液晶表示装置10において、コモン配線13は
、該コモン配線13が配設された領域に隣接する走査線12の一方側に寄せて配設され、
下電極14は、コモン配線13の側面に段差14aが形成されるように、コモン配線13
を覆っている。 (もっと読む)


【課題】信号線と走査線との短絡を抑制した信頼性の高いFFSモードの液晶表示装置を
提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置10は、FFSモードの液晶表示装置において、下電
極14は、隣接する画素間のコモン配線13の表面を覆っており、走査線12と信号線1
7との交差部における走査線12の表面には、信号線17及び走査線12の幅よりも幅広
であり、下電極14と同組成の導電性材料層14bが形成されており、この導電性材料層
は14b、信号線の側面端部から10μm以上の位置まで延設されていることを特徴とす
る。 (もっと読む)


【課題】ラビング処理する際に発生した静電気が有効画素に影響を及ぼすのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置100では、矩形状の表示領域8の外縁部の少なくとも1辺に沿って配置されたダミー画素11は、平面的に見て、有効画素10の平面積よりも小さい平面積を有するように形成され、表示領域8の外縁部の少なくとも1辺に沿って配置されたダミー画素11の画素電極23は、平面的に見て、ダミー画素11の領域の平面積よりも大きい平面積を有するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】透明基板上の引き回し配線のうち液晶パネルの側面において露出した端部と、シールドケースとの接触を防止して、不良発生を抑制することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタとそれらの各電極に接続された引き回し配線とが形成されたTFT基板と、TFT基板に重畳されるCF基板とを有し、その側面から引き回し配線の端子が露出している液晶パネルと、液晶パネルの裏面及び側面を覆う裏面用ケースと、液晶パネルの表面及び側面を覆う表面用ケースとを有するシールドケースと、を備える液晶表示装置である。裏面用ケース及び表面用ケースの少なくとも一方には、液晶パネルの側面に向けて突出する規制片を有する突出部が設けられており、規制片は、液晶パネルにおけるTFT基板と、CF基板との境界を避けた位置に対向するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】薄型化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板と、表示領域に設けられた複数の画素と、前記基板の一辺に接続されるフレキシブル基板とを有する表示装置であって、前記表示領域以外の領域に設けられた少なくとも1個の保護ダイオード素子を有し、前記少なくとも1個の保護ダイオード素子は、一対のダイオード配線により前記フレキシブル基板の所定の端子に接続される。前記各画素は、前記基板上に形成されたアクティブ素子を有し、前記少なくとも1個の保護ダイオード素子は、前記アクティブ素子と同一工程で形成される。前記少なくとも1個の保護ダイオード素子は、ダイオード接続された薄膜トランジスタである (もっと読む)


【課題】温度センサを備えながらも、狭額縁化を実現することができる。
【解決手段】液晶装置(1)は、複数の画素部(70)が形成される第1基板(10)と、第2基板(20)と、液晶層(50)とを備える液晶装置であって、複数の画素部を取り囲む第1基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層(120)と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路(103a、104a)又は複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路(103b、104b)とが形成されており、導電層は、駆動回路又は検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線(208)と重なる位置に、絶縁層(207)を介在させて形成されている。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の額縁領域において光漏れを信頼性よく防止する。
【解決手段】画像表示領域と、シール材SLと、第2基板の液晶側の面であって画像表示領域よりも外側に形成された遮光膜BMfと、第1基板の画像表示領域に、第1方向に伸長されるドレイン信号線DLと、第2方向に伸長されるゲート信号線GLと、薄膜トランジスタTFTと、画素電極PXとを備え、画素電極と対向電極CT間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、ドレイン信号線は、第2基板の遮光膜と重なる領域まで伸長され、かつ、画像表示領域より外側であってシール材よりも内側の領域のうち、隣接するドレイン信号線の間の領域の1つあたりに、2つ以上の遮光セグメントSHSが、ドレイン信号線と同層で形成され、ドレイン信号線と遮光セグメントとの間隔および隣接する遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ30μm未満の値に設定されている。 (もっと読む)


【課題】従来よりも製造時の手間を軽減するとともに電気的信頼性を確保する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、第1の基板11と、第1の基板に対向して配置された第2の基板12と、第1の基板と第2の基板の間に配置された電気光学物質13と、第2の基板に設けられ、第1の基板と対向するとともに電気光学物質の配置されていない平面範囲内に開口し、第1の基板側の面から反対側の面まで貫通する開口部12cと、第2の基板の前記反対側の面上に設けられるとともに開口部を閉塞しない態様で開口部の内面上に延在する導電膜29と、第1の基板における第2の基板側の面の、前記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続された接地用電極19と、第1の基板と第2の基板の間に配置され、導電膜と接地用電極に共に導電接触する導電材14bと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】 良好な表示を実現する。
【解決手段】 第1の透明基板と、第1の透明基板に対向配置された第2の透明基板であって、複数の金属線が平行に形成された第1のパターンと、第1のパターンを電気的に接続する第2のパターンを備える金属膜が配置されている第2の透明基板と、第1の透明基板と第2の透明基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】静電シールドと視差バリアとが設けられる液晶表示装置において、光の透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置100は、画素選択用の薄膜トランジスタ3が設けられるTFT基板1と、TFT基板1と対向するように配置される対向基板2と、TFT基板1と対向基板2との間に設けられる液晶層9と、TFT基板1または対向基板2のうちの一方に設けられ、導電性を有するとともに静電シールドとして機能するパララックスバリア10とを備える。 (もっと読む)


【課題】入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板は、入力端子と、上記入力端子に接続されたショートリングと、上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部12とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記入力端子は、第1の金属層2を備えており、上記ショートリングは、上記第1の金属層2と上記分断部12において隔てられて形成された第2の金属層3を備えており、上記入力端子と上記ショートリングとは、上記分断部12と上記第1の金属層2とを覆っている導電性の膜10により接続されているので、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程、およびその製造後に、誘導によって生じる帯電を防止することが可能な薄膜装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板120上に薄膜素子(被転写層110)を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子130を、導電性を有する第二転写基板120と接続する。 (もっと読む)


【課題】滴下方式を採用して横電界モードの液晶表示装置を製造し得る、液晶表示装置用基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るカラーフィルタ基板10は、ガラス基板11と、ガラス基板11の一方の面上に設けられたブラックマトリクス15と、ブラックマトリクス15によって区画化された領域に設けられたカラーフィルタ12とを備えており、ガラス基板11とブラックマトリクス15との間に透明電極14が設けられており、ガラス基板11上であって、上記一方の面とは反対側の面に、透明電極13が設けられており、透明電極13は、透明電極14と重畳する領域において、開口部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】静電気に対する耐性が強いゲート駆動装置及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】第1乃至第(n+1)(nは自然数)ステージを有するゲート駆動装置であって、第nゲート出力信号を出力する第nステージと、第(n+1)ゲート出力信号を出力する第(n+1)ステージとを有し、前記第nステージと第(n+1)ステージは順次に配置され、前記第nステージは、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、前記ゲート電極は前記第(n+1)ゲート出力信号の印加を受けるトランジスタと、ダミーゲート電極、ダミーソース電極、及びダミードレイン電極を含み、前記ダミーソース電極は前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接続され、前記第1ステージに流入する静電気を防止するダミートランジスタとを含む。 (もっと読む)


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