液晶装置及び電子機器
【課題】温度センサを備えながらも、狭額縁化を実現することができる。
【解決手段】液晶装置（１）は、複数の画素部（７０）が形成される第１基板（１０）と、第２基板（２０）と、液晶層（５０）とを備える液晶装置であって、複数の画素部を取り囲む第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層（１２０）と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路（１０３ａ、１０４ａ）又は複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路（１０３ｂ、１０４ｂ）とが形成されており、導電層は、駆動回路又は検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線（２０８）と重なる位置に、絶縁層（２０７）を介在させて形成されている。
【解決手段】液晶装置（１）は、複数の画素部（７０）が形成される第１基板（１０）と、第２基板（２０）と、液晶層（５０）とを備える液晶装置であって、複数の画素部を取り囲む第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層（１２０）と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路（１０３ａ、１０４ａ）又は複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路（１０３ｂ、１０４ｂ）とが形成されており、導電層は、駆動回路又は検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線（２０８）と重なる位置に、絶縁層（２０７）を介在させて形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及びこのような液晶装置を備える電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置では、例えば液晶パネルを構成する一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。
【０００３】
近年、このような液晶装置を車載用のディスプレイとして用いる使用態様が増えている。この場合、車両が低温環境下に置かれた場合であっても、液晶分子の応答速度の低下に起因した液晶装置の表示性能の低下を防止する必要がある。また、動画を主として表示することを目的としてＯＣＢ液晶を用いた液晶装置や、フィールドシーケンシャル方式の液晶装置の開発が進んでいる。この場合にも、特に低温環境下での液晶分子の応答速度の低下に起因した表示性能の低下を防止する必要がある。このため、低温環境下での表示性能の悪化を防ぐために、ヒータを内蔵する液晶装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０２５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ヒータを好適に制御するためには、液晶装置の動作温度を検出することが好ましい。このため、温度センサを構成する導電層を液晶装置内に形成すると共に温度の変化に起因した導電層の抵抗値の変化に基づいて動作温度等を検出する試みが本願発明者等によって行われている。ここで、走査線駆動回路やデータ線駆動回路やプリチャージ回路等の周辺回路に対する負荷容量を低減させるため、このような温度センサ用の導電層は、周辺回路とは平面上独立した箇所に形成される必要がある。しかしながら、温度センサ用の導電層を周辺回路とは平面上独立した箇所に形成すると、液晶装置の額縁が大きくなってしまうという技術的な問題点が生ずる。つまり、近年要請が強まっている狭額縁化を実現することが困難になってしまうという技術的な問題点が生ずる。
【０００６】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば温度センサを備えながらも、狭額縁化を実現することができる液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（液晶装置）
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路とが形成されており、前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されている。
【０００８】
本発明の液晶装置によれば、一対の基板（つまり、第１基板及び第２基板）間に挟持されている液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を、液晶層に印加する電界によって変化させることができる。特に、本発明の液晶装置は、例えば平面視マトリクス状に分布する複数の画素部を第１基板上に備えている。複数の画素部は、例えば画素電極と、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と、共通電極とを備えており、画素電極と共通電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで、画素部毎に液晶分子の配向状態を変化させることができる。その結果、画像表示を行うことができる。
【０００９】
本発明の液晶装置では特に、第１基板の周辺領域（つまり、複数の画素部を含む画像表示領域を取り囲む周辺領域）には、導電層が形成されている。この導電層は、液晶装置の動作温度（例えば、液晶装置自体の温度であってもよいし、液晶装置が置かれた環境の温度であってもよい）の変化に起因して抵抗値が変化するように構成されている。このため、導電層の抵抗値の変化を検出することで、液晶装置の動作温度を検出することができる。つまり、導電層は、液晶装置の動作温度を検出する温度センサとして用いられる。これにより、液晶装置の動作温度を好適に検出することができる。従って、例えば低温環境下での使用を考慮してヒータが備え付けられた液晶装置であれば、導電層を用いて検出された液晶装置の動作温度に基づいて、ヒータの動作を好適に制御することができる。
【００１０】
加えて、本発明の液晶装置では、液晶装置の駆動時に、駆動回路や検査回路が動作するための電源となる電源電圧が供給される電源配線と導電層との間に静電容量が形成される。特に、電源配線は、その他の各種駆動信号が供給される配線と比較して、相対的にサイズが大きい。このため、電源電圧が供給される電源配線と導電層との間の静電容量を相対的に大きくすることができる。これにより、導電層を、より大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）として機能させることができる。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ化をより確実に図ることができるため、液晶装置の高画質化及び高精細化をより確実に図ることができる。
【００１１】
更に、導電層は電源配線との間で静電容量を形成するため、各種駆動回路又は各種検査回路との間の容量負荷（特に、各種駆動回路又は各種検査回路が動作又は駆動するための駆動信号等が供給される配線との間の容量負荷）の増大を抑制することができる。言い換えれば、導電層を駆動回路又は検査回路と平面上近接する又は同じ箇所に形成したとしてとも、駆動回路又は検査回路の容量負荷が増大することは殆ど又は全くなくなる。このため、駆動回路又は検査回路の容量負荷を増大させることなく、上述した各種効果を享受することができる。更には、導電層を駆動回路又は検査回路と平面上独立した箇所に形成する必要がなくなるため、温度センサとなる導電層を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置の狭額縁化を好適に図ることができる。
【００１２】
尚、液晶装置の狭額縁化を図りながら温度センサを形成することができるという効果を享受するという観点から見れば、複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路が形成されており、前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されるが形成されていることを特徴とする液晶装置であっても、上述した効果を享受することができる。
【００１３】
本発明の液晶装置の一の態様では、前記導電層は、当該液晶装置の製造時に、発生する静電気の帯電を防止するために用いられる。
【００１４】
この態様によれば、導電層は、液晶装置の製造時には、帯電防止に用いられる。より具体的には、液晶装置の製造時には、例えば液晶装置に設けられる配向膜の表面に対して、レーヨンやナイロン等の遷移からなる織布を所定の荷重で一定の方向に擦り付けるラビング処理が行われることが一般的である。この場合、摩擦に起因して生じた静電気は、導電層によって好適に集電される。このため、複数の画素部（特に、複数の画素部が備えるスイッチング素子等の能動素子）が静電気によって破壊されてしまう技術的な不都合を好適に抑制することができる。
【００１５】
このように、本発明では、液晶装置の製造時に帯電防止に用いられる導電層を、液晶装置の駆動時には温度センサとして用いることができる。このため、温度センサを別個独立に形成する必要がなくなる。従って、帯電防止用の導電層とは別個独立に温度センサ用の導電層が形成される液晶装置と比較して、温度センサを形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置の狭額縁化を図ることができる。
【００１６】
更に、導電層は、液晶装置の駆動時には大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）としても機能する。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）化を図ることができるため、液晶装置の高画質化及び高精細化を図ることができる。
【００１７】
本発明の液晶装置の他の態様では、前記導電層は、閉ループ状のパターンで前記第１基板上に形成されており、前記閉ループ状の導電層の端部に電気的に接続され且つ前記導電層の抵抗値の変化を検出することで前記動作温度を検出する温度検出回路を更に備える。
【００１８】
この態様によれば、閉ループ状の導電層の端部に形成される温度検出回路により、導電層の抵抗値の変化を検出することができるため、液晶装置の動作温度を好適に検出することができる。
【００１９】
（電子機器）
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の液晶装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の液晶装置（或いは、その各種態様）備えているため、上述した本発明の液晶装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる。つまり、このため、上述した本発明の液晶装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができるテレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型若しくはモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、又は投射型のプロジェクタなどの各種電子機器を実現することができる。
【００２１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【図４】導電層に関連した構成を抜きだした液晶装置の簡略化された平面図である。
【図５】導電層に関連した構成を抜きだした液晶装置の簡略化された断面図である。
【図６】液晶装置（特に、導電層が形成されるＴＦＴアレイ基板）を製造する際の大型のマザー基板を示す平面図である。
【図７】液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図８】液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための形態を、図面に基づいて説明する。
【００２４】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明の「第１基板」の一具体例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と本発明の「第２基板」の一具体例を構成する対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００２６】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺領域である額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、ドライバＩＣ１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２７】
ドライバＩＣ１０１が形成される辺に沿ったシール領域よりも内側に、本発明における「駆動回路」の一具体例を構成するデータ線駆動回路１０３ａが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、データ線駆動回路１０３ａが形成される辺に対向する辺に沿ったシール領域よりも内側に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するためのデータ線検査回路１０３ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、本発明の「駆動回路」の他の一具体例を構成する走査線駆動回路１０４ａは、ドライバＩＣ１０１が形成される辺に隣接する２辺のうちの一方に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４ａが形成される辺に対向する辺に沿ったシール領域よりも内側に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための走査線検査回路１０４ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。但し、データ線検査回路１０３ｂや走査線検査回路１０４ｂに代えて、例えばデータ線へのプリチャージを行うプリチャージ回路等が設けられていてもよい。
【００２８】
また、本実施形態では、画像表示領域１０ａの周辺領域には、導電層１２０が形成されている。尚、導電層は、周辺領域のうちシール領域の内側に額縁遮光膜５３に覆われるように形成されることが好ましいが、周辺領域のうちシール領域の外側に形成されてもよい。この導電層１２０は、液晶装置１の製造時には、静電気に起因した帯電を防止するように機能し、液晶装置１の駆動時には、液晶装置１の動作温度を検出するための温度センサとして機能する。尚、導電層１２０については、図４を参照しながら後に詳述するため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００２９】
加えて、液晶装置１には、ヒータ１３０が備え付けられている。ヒータ１３０は、例えば電気配線と電源とを備えており、電源から供給される電流が電気配線を流れることで生ずるジュール熱によって発熱する構造体である。或いは、ヒータ１３０は、その他の原理によって発熱する又は吸熱する構造体であってもよい。また、ヒータ１３０は、導電層１２０を用いて検出された液晶装置１の動作温度に応じて、その発熱の度合い（或いは、吸熱の度合い）が制御される。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜８が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、不図示のブラックマトリクスが形成されている。ブラックマトリクスは、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、ブラックマトリクス上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる共通電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。共通電極２１上には配向膜８が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３１】
（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３及びを参照して、本実施形態に係る液晶装置１の要部の詳細な構成について説明する。ここに、図３は、本実施形態に係る液晶装置１の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【００３２】
図３において、本実施形態に係る液晶装置１は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４ａ及びデータ線駆動回路１０３ａや、不図示のドライバＩＣ１０１等の駆動回路が形成されている。
【００３３】
走査線駆動回路１０４ａは、ドライバＩＣ１０１から供給されるクロック信号等に応じて、走査信号を、走査線Ｙ１からＹｎに順次供給する。例えば、ある走査線Ｙｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）にハイレベルの走査信号が供給されると、この走査線Ｙｊに接続されたＴＦＴ１１６が全てオン状態となり、この走査線Ｙｊに対応する画素部７０が全て選択される。
【００３４】
データ線駆動回路１０３ａは、ドライバＩＣ１０１から供給されるクロック信号等に応じて、画像信号を、データ線Ｘ１からＸｍに順次供給し、オン状態のＴＦＴ１１６を介してこの画像信号に基づく書込電圧を画素電極９に書き込む。
【００３５】
本実施形態に係る液晶装置１には、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７０が設けられている。
【００３６】
図３に示すように、画素部７０は、垂直方向に延在するデータ線Ｘｋ（但し、ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）と、水平方向に延在する走査線Ｙｊ（但し、ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）と、データ線Ｘｋ及び走査線Ｙｊの交点付近に形成される画素スイッチング用のＴＦＴ１１６と、液晶素子１１８と、蓄積容量１１９を備えている。
【００３７】
ＴＦＴ１１６は、ソース端子がデータ線Ｘ１〜Ｘｍ（但し、図４では不図示）のいずれかに電気的に接続され、ゲート端子が走査線Ｙ１からＹｎ（但し、図４では不図示）のいずれかに電気的に接続され、ドレイン端子が画素電極９に電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ１１６は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。
【００３８】
液晶素子１１８は、画素電極９、共通電極２１並びに画素電極９及び共通電極２１間に位置する液晶分子から構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ１１６を介してデータ線Ｘ１からＸｍのいずれかと電気的に接続されている。液晶装置１の動作時には、データ線Ｘ１からＸｍ及びＴＦＴ１１６を介して供給された画像信号の電位（書込電位）を有する画素電極９と、共通電位を有する共通電極２１との間に電界が生じる。液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示を可能とする。
【００３９】
蓄積容量１１９は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶素子１１８と並列に付加されている。蓄積容量１１９を構成する一方の電極は、画素電極９に電気的に接続され、他方の電極は、共通電極２１に電気的に接続されている。
（３）導電層の具体的構成
続いて、図４を参照して、画像表示領域１０ａの周辺領域に形成される導電層１２０のより具体的な構成について説明する。ここに、図４は、導電層１２０に関連した構成を抜きだした液晶装置１の簡略化された平面図である。尚、図４では、説明の簡略化のため、図１から図３を用いて説明した液晶装置１が備える構成要素のうちの一部のみを図示している。
【００４０】
図４に示すように、導電層１２０は、例えばＩＴＯ等の透明電極から構成されており、画像表示領域１０ａの周辺領域に形成されている。また、導電層１２０は、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂの少なくとも一部と重なるように又はそれらを取り囲むように形成されることが好ましい。特に、導電層１２０は、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂに対して電源電圧信号を供給する電源配線に重なるように形成されることが好ましい。このとき、導電層１２０の全てが電源配線に重なるように形成されてもよいし、或いは導電層１２０の一部が電源配線に重なり且つ導電層１２０の他の一部が電源配線に重ならないように形成されてもよい。
【００４１】
ここで、電源配線と導電層１２０との位置関係について、図５を参照しながらより詳細に説明する。ここに、図５は、導電層１２０に関連した構成を抜きだした液晶装置１の簡略化された断面図である。
【００４２】
尚、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂは各種回路素子を備えているが、図５では、各種回路素子を構成する基本的な回路素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）に着目して説明を進める。
【００４３】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂが備える各種回路素子を構成するＴＦＴ２０１が形成されている。ＴＦＴ２０１は、多結晶シリコン（ポリシリコン）から構成されるチャネル領域２０１ａと、イオンプランテーション法等の不純物打ち込み法によって不純物が打ち込まれた多結晶シリコンであるソース領域２０１ｂと、イオンプランテーション法等の不純物打ち込み法によって不純物が打ち込まれた多結晶シリコンであるドレイン領域２０１ｃとから構成されている。
【００４４】
ＴＦＴ２０１上には、ゲート絶縁膜２０２が形成される。ゲート絶縁膜２０２上には、ゲート電極２０３が形成される。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴ２０１、ゲート絶縁膜２０２及びゲート電極２０３を覆うように第１層間絶縁膜２１２が形成されている。
【００４５】
第１層間絶縁膜２０６には、ＴＦＴ２０１のソース領域２０１ｂに到達するコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールにはソース電極２０４が形成されている。また、第１層間絶縁膜２０６には、ＴＦＴ２０１のドレイン領域２０１ｃに到達するコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールにはドレイン電極２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０６上には、更に、電源電圧信号をソース電極２０４に供給するための電源配線２０８が形成されている。この電源配線２０８は、ソース電極２０４と電気的に接続されている。
【００４６】
第１層間絶縁膜２０６上には、ソース電極２０４、ドレイン電極２０５及び電源配線２０８を覆うように第２層間絶縁膜２０７が形成されている。第２層間絶縁膜２０７上には、導電層１２０が形成されている。このとき、導電層１２０は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の法線方向に沿って電源配線２０８と重なる位置に形成される。
【００４７】
第２層間絶縁膜２０７上には、導電層１２０を覆うように配向膜８が形成されている。また、対向基板２０上にも同様に不図示の配向膜が形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜８と対向基板２０上の配向膜８との間に液晶層５０が封入されている。
【００４８】
再び図４（ａ）において、導電層１２０は、閉ループ状のパターンを形成するように周辺領域に形成されている。より具体的には、導電層１２０は、外部接続端子１０２が備える一の端子から他の端子へと戻るパターンであって、上述した電源配線２０８に重なる位置に対応するパターンを描くように、周辺領域に形成される。但し、導電層１２０は、外部接続端子１０２が備える一の端子から他の端子へと戻るパターンを描くように構成されていればよく、その一部が開放端を構成してもよい。
【００４９】
導電層１２０と電気的に接続される外部接続端子１０２の２つの端子には、温度検出回路１４０が接続されている。温度検出回路１４０は、導電層１２０の抵抗値（或いは、抵抗値の変化）を検出可能に構成されている。更に、温度検出回路１４０は、導電層１２０の変化に基づいて、液晶装置１の動作温度を検出可能に構成されている。温度検出回路１４０によって検出された動作温度は、ヒータ制御回路１５０へと出力される。
【００５０】
ヒータ制御回路１５０は、温度検出回路１４０によって検出された動作温度に基づいて、ヒータ１３０の動作を制御する。例えば、ヒータ制御回路１５０は、温度検出回路１４０によって検出された動作温度が所定の閾値を上回る場合には、ヒータ１３０が発熱しないようにヒータ１３０の動作を制御し、温度検出回路１４０によって検出された動作温度が所定の閾値を下回る場合には、ヒータ１３０を発熱させるようにヒータ１３０の動作を制御する。その結果、低温環境下にある液晶装置１は、ヒータ１３０の発熱によって暖められ、動作温度が上昇することになる。
【００５１】
このように、本実施形態に係る液晶装置１では、導電層１２０の抵抗値の変化を検出することで、液晶装置１の動作温度を好適に検出することができる。その結果、ヒータ１３０を好適に制御することができる。従って、低温環境下での液晶分子の応答速度の低下に起因した液晶装置１の表示性能の低下を防ぐ必要がある。
【００５２】
更に、本実施形態に係る液晶装置１に形成される導電層１２０は、液晶装置１の製造時には、帯電防止に用いられる。具体的には、液晶装置１の製造時には、配向膜８の表面に対して、レーヨンやナイロン等の遷移からなる織布を所定の荷重で一定の方向に擦り付けるラビング処理が行われる。その結果、摩擦に起因した高電圧の静電気が発生する。この場合、仮に導電層１２０が形成されていなければ、高電圧の静電気によってＴＦＴ１１６等の素子が静電破壊されてしまいかねない。しかるに、本実施形態では、摩擦に起因して生じた静電気は、導電層１２０によって好適に集電される。このため、ＴＦＴ１１６等の素子が静電気によって静電破壊されてしまう技術的な不都合を好適に抑制することができる。
【００５３】
つまり、本実施形態では、液晶装置１の製造時に帯電防止に用いられる導電層１２０を、液晶装置１の駆動時には温度センサとして用いることができる。このため、液晶装置１の動作電圧を測定するための温度センサを構成するための導電層１２０を、帯電防止用の導電層１２０とは別個独立に形成する必要がなくなる。従って、帯電防止用の導電層とは別個独立に温度センサ用の導電層が形成される液晶装置と比較して、温度センサを構成する導電層１２０を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置１の狭額縁化を図ることができる。
【００５４】
更に、本実施形態では、導電層１２０は、相対的に形状が大きい又は幅が広い電源配線２０８に重なるように形成されている。このため、導電層１２０は主として電源配線２０８との間で静電容量を形成する。従って、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａ（更には、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂ）と導電層１２０との間の容量負荷の増大を抑制することができる。言い換えれば、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａが備える電源配線２０８以外の電気配線（例えば、走査信号や画像信号等の駆動信号が供給される電気配線等）と導電層１２０との間の容量負荷の増大を抑制することができる。従って、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの容量負荷を増大させることなく、上述した各種効果を享受することができる。更には、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの動作に影響を与えることなく、導電層１２０をデータ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの周辺に形成することができる。これにより、温度センサとなる導電層１２０を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置１の狭額縁化をより好適に図ることができる。
【００５５】
加えて、導電層１２０は、液晶装置１の駆動時には大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）としても機能する。この場合、導電層１２０が電源配線２０８と重なる位置に形成されるため、電源配線２０８と導電層１２０との間の静電容量を相対的に大きくすることができる。これにより、導電層１２０を、より大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）として機能させることができる。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）化をより確実に図ることができるため、液晶装置１の高画質化及び高精細化をより確実に図ることができる。
【００５６】
尚、導電層１２０が液晶装置１の製造時（特に、ラビング処理時）に発生する静電気の帯電防止に用いられると言う観点から見れば、導電層１２０は、配向膜８に近接して形成されることが好ましい。このため、導電層１２０は、画素電極９と同じ工程（或いは、配向膜８が形成される直前の工程）で形成されることが好ましい。これにより、ラビング処理時に発生する静電気の帯電防止をより確実に図ることができる。更には、導電層１２０を形成するための工程を別個独立に設ける必要がなくなるため、液晶装置１の製造工程を増加させることなく、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００５７】
また、液晶装置１の製造時には、１枚の大型のマザー基板を切り出すことで複数個の液晶装置１をまとめて形成する方法が一般的であることを考慮すれば、導電層１２０は、１枚の大型のマザー基板上での配置も考慮したパターン状に形成されることが好ましい。この態様について、図６を参照して説明する。ここに、図６は、液晶装置１（特に、導電層１２０が形成されるＴＦＴアレイ基板１０）を製造する際の大型のマザー基板を示す平面図である。
【００５８】
図６に示すように、液晶装置１の製造時には、１枚の大型のマザー基板３００上に複数のＴＦＴアレイ基板１０をまとめて形成する。更に、他の大型のマザー基板上に複数の対向基板２０をまとめて形成し、これら２つのマザー基板を張り合わせた後に切断することで、複数の液晶装置１が製造される。
【００５９】
このとき、図６に示すように、大型のマザー基板３００上に形成される複数のＴＦＴアレイ基板１０の夫々に形成される導電層１２０は、隣り合うＴＦＴアレイ基板１０に形成される導電層１２０と短絡するように形成されることが好ましい。図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の下方側に形成される導電層１２０は、下方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の上方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の上方側に形成される導電層１２０は、上方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の下方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の右方側に形成される導電層１２０は、右方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の左方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の左方側に形成される導電層１２０は、左方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の右方側に形成される導電層１２０と短絡している。
【００６０】
これにより、導電層１２０全体として、１枚の大型のマザー基板３００上で大きな静電容量を形成することができるため、ラビング処理に起因して生ずる静電気を確実に集電することができる。更に、集電した静電気（つまり、電荷）を導電層１２０全体で分散することができる。このため、各ＴＦＴアレイ基板１０間での電位差をなくして同電位面を拡張することができるため、ラビング処理に起因して生ずる静電気による放電を確実に防止することができる。このため、ＴＦＴ１１６等の素子が静電気によって静電破壊されてしまう技術的な不都合をより好適に抑制することができる。
【００６１】
尚、上述した実施形態では液晶装置１として、ＴＮ（ツイスト・ネマティック）、ＥＣＢ（複屈折電界効果）、ＶＡ（垂直配向）などの縦電界の構成として記載しているが、ＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）及びＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）等の横電界の構成としても、上述した各種効果を享受できる。
【００６２】
（４）電子機器
続いて、図７及び図８を参照しながら、上述の液晶装置１を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００６３】
図７は、上述した液晶装置１が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図７において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。
【００６４】
次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図８は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図８において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００６５】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００６６】
尚、図７及び図８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の液晶装置や、プロジェクタやヘッドアップディスプレイ等の投射型の液晶装置を備える装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、上述した液晶装置１を適用可能なのは言うまでもない。
【００６７】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６８】
１…液晶装置、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２１…共通電極、７０…画素部、１０３ａ…データ線駆動回路、１０４ａ…走査線駆動回路、１０３ｂ…データ線検査回路、１０４ｂ…走査線検査回路、１２０…導電層、２０１…ＴＦＴ、２０８…電源配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及びこのような液晶装置を備える電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置では、例えば液晶パネルを構成する一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。
【０００３】
近年、このような液晶装置を車載用のディスプレイとして用いる使用態様が増えている。この場合、車両が低温環境下に置かれた場合であっても、液晶分子の応答速度の低下に起因した液晶装置の表示性能の低下を防止する必要がある。また、動画を主として表示することを目的としてＯＣＢ液晶を用いた液晶装置や、フィールドシーケンシャル方式の液晶装置の開発が進んでいる。この場合にも、特に低温環境下での液晶分子の応答速度の低下に起因した表示性能の低下を防止する必要がある。このため、低温環境下での表示性能の悪化を防ぐために、ヒータを内蔵する液晶装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０２５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ヒータを好適に制御するためには、液晶装置の動作温度を検出することが好ましい。このため、温度センサを構成する導電層を液晶装置内に形成すると共に温度の変化に起因した導電層の抵抗値の変化に基づいて動作温度等を検出する試みが本願発明者等によって行われている。ここで、走査線駆動回路やデータ線駆動回路やプリチャージ回路等の周辺回路に対する負荷容量を低減させるため、このような温度センサ用の導電層は、周辺回路とは平面上独立した箇所に形成される必要がある。しかしながら、温度センサ用の導電層を周辺回路とは平面上独立した箇所に形成すると、液晶装置の額縁が大きくなってしまうという技術的な問題点が生ずる。つまり、近年要請が強まっている狭額縁化を実現することが困難になってしまうという技術的な問題点が生ずる。
【０００６】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば温度センサを備えながらも、狭額縁化を実現することができる液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（液晶装置）
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路とが形成されており、前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されている。
【０００８】
本発明の液晶装置によれば、一対の基板（つまり、第１基板及び第２基板）間に挟持されている液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を、液晶層に印加する電界によって変化させることができる。特に、本発明の液晶装置は、例えば平面視マトリクス状に分布する複数の画素部を第１基板上に備えている。複数の画素部は、例えば画素電極と、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と、共通電極とを備えており、画素電極と共通電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで、画素部毎に液晶分子の配向状態を変化させることができる。その結果、画像表示を行うことができる。
【０００９】
本発明の液晶装置では特に、第１基板の周辺領域（つまり、複数の画素部を含む画像表示領域を取り囲む周辺領域）には、導電層が形成されている。この導電層は、液晶装置の動作温度（例えば、液晶装置自体の温度であってもよいし、液晶装置が置かれた環境の温度であってもよい）の変化に起因して抵抗値が変化するように構成されている。このため、導電層の抵抗値の変化を検出することで、液晶装置の動作温度を検出することができる。つまり、導電層は、液晶装置の動作温度を検出する温度センサとして用いられる。これにより、液晶装置の動作温度を好適に検出することができる。従って、例えば低温環境下での使用を考慮してヒータが備え付けられた液晶装置であれば、導電層を用いて検出された液晶装置の動作温度に基づいて、ヒータの動作を好適に制御することができる。
【００１０】
加えて、本発明の液晶装置では、液晶装置の駆動時に、駆動回路や検査回路が動作するための電源となる電源電圧が供給される電源配線と導電層との間に静電容量が形成される。特に、電源配線は、その他の各種駆動信号が供給される配線と比較して、相対的にサイズが大きい。このため、電源電圧が供給される電源配線と導電層との間の静電容量を相対的に大きくすることができる。これにより、導電層を、より大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）として機能させることができる。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ化をより確実に図ることができるため、液晶装置の高画質化及び高精細化をより確実に図ることができる。
【００１１】
更に、導電層は電源配線との間で静電容量を形成するため、各種駆動回路又は各種検査回路との間の容量負荷（特に、各種駆動回路又は各種検査回路が動作又は駆動するための駆動信号等が供給される配線との間の容量負荷）の増大を抑制することができる。言い換えれば、導電層を駆動回路又は検査回路と平面上近接する又は同じ箇所に形成したとしてとも、駆動回路又は検査回路の容量負荷が増大することは殆ど又は全くなくなる。このため、駆動回路又は検査回路の容量負荷を増大させることなく、上述した各種効果を享受することができる。更には、導電層を駆動回路又は検査回路と平面上独立した箇所に形成する必要がなくなるため、温度センサとなる導電層を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置の狭額縁化を好適に図ることができる。
【００１２】
尚、液晶装置の狭額縁化を図りながら温度センサを形成することができるという効果を享受するという観点から見れば、複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路が形成されており、前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されるが形成されていることを特徴とする液晶装置であっても、上述した効果を享受することができる。
【００１３】
本発明の液晶装置の一の態様では、前記導電層は、当該液晶装置の製造時に、発生する静電気の帯電を防止するために用いられる。
【００１４】
この態様によれば、導電層は、液晶装置の製造時には、帯電防止に用いられる。より具体的には、液晶装置の製造時には、例えば液晶装置に設けられる配向膜の表面に対して、レーヨンやナイロン等の遷移からなる織布を所定の荷重で一定の方向に擦り付けるラビング処理が行われることが一般的である。この場合、摩擦に起因して生じた静電気は、導電層によって好適に集電される。このため、複数の画素部（特に、複数の画素部が備えるスイッチング素子等の能動素子）が静電気によって破壊されてしまう技術的な不都合を好適に抑制することができる。
【００１５】
このように、本発明では、液晶装置の製造時に帯電防止に用いられる導電層を、液晶装置の駆動時には温度センサとして用いることができる。このため、温度センサを別個独立に形成する必要がなくなる。従って、帯電防止用の導電層とは別個独立に温度センサ用の導電層が形成される液晶装置と比較して、温度センサを形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置の狭額縁化を図ることができる。
【００１６】
更に、導電層は、液晶装置の駆動時には大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）としても機能する。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）化を図ることができるため、液晶装置の高画質化及び高精細化を図ることができる。
【００１７】
本発明の液晶装置の他の態様では、前記導電層は、閉ループ状のパターンで前記第１基板上に形成されており、前記閉ループ状の導電層の端部に電気的に接続され且つ前記導電層の抵抗値の変化を検出することで前記動作温度を検出する温度検出回路を更に備える。
【００１８】
この態様によれば、閉ループ状の導電層の端部に形成される温度検出回路により、導電層の抵抗値の変化を検出することができるため、液晶装置の動作温度を好適に検出することができる。
【００１９】
（電子機器）
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の液晶装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の液晶装置（或いは、その各種態様）備えているため、上述した本発明の液晶装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる。つまり、このため、上述した本発明の液晶装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができるテレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型若しくはモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、又は投射型のプロジェクタなどの各種電子機器を実現することができる。
【００２１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【図４】導電層に関連した構成を抜きだした液晶装置の簡略化された平面図である。
【図５】導電層に関連した構成を抜きだした液晶装置の簡略化された断面図である。
【図６】液晶装置（特に、導電層が形成されるＴＦＴアレイ基板）を製造する際の大型のマザー基板を示す平面図である。
【図７】液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図８】液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための形態を、図面に基づいて説明する。
【００２４】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明の「第１基板」の一具体例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と本発明の「第２基板」の一具体例を構成する対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００２６】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺領域である額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、ドライバＩＣ１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２７】
ドライバＩＣ１０１が形成される辺に沿ったシール領域よりも内側に、本発明における「駆動回路」の一具体例を構成するデータ線駆動回路１０３ａが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、データ線駆動回路１０３ａが形成される辺に対向する辺に沿ったシール領域よりも内側に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するためのデータ線検査回路１０３ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、本発明の「駆動回路」の他の一具体例を構成する走査線駆動回路１０４ａは、ドライバＩＣ１０１が形成される辺に隣接する２辺のうちの一方に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４ａが形成される辺に対向する辺に沿ったシール領域よりも内側に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための走査線検査回路１０４ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。但し、データ線検査回路１０３ｂや走査線検査回路１０４ｂに代えて、例えばデータ線へのプリチャージを行うプリチャージ回路等が設けられていてもよい。
【００２８】
また、本実施形態では、画像表示領域１０ａの周辺領域には、導電層１２０が形成されている。尚、導電層は、周辺領域のうちシール領域の内側に額縁遮光膜５３に覆われるように形成されることが好ましいが、周辺領域のうちシール領域の外側に形成されてもよい。この導電層１２０は、液晶装置１の製造時には、静電気に起因した帯電を防止するように機能し、液晶装置１の駆動時には、液晶装置１の動作温度を検出するための温度センサとして機能する。尚、導電層１２０については、図４を参照しながら後に詳述するため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００２９】
加えて、液晶装置１には、ヒータ１３０が備え付けられている。ヒータ１３０は、例えば電気配線と電源とを備えており、電源から供給される電流が電気配線を流れることで生ずるジュール熱によって発熱する構造体である。或いは、ヒータ１３０は、その他の原理によって発熱する又は吸熱する構造体であってもよい。また、ヒータ１３０は、導電層１２０を用いて検出された液晶装置１の動作温度に応じて、その発熱の度合い（或いは、吸熱の度合い）が制御される。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜８が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、不図示のブラックマトリクスが形成されている。ブラックマトリクスは、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、ブラックマトリクス上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる共通電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。共通電極２１上には配向膜８が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３１】
（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３及びを参照して、本実施形態に係る液晶装置１の要部の詳細な構成について説明する。ここに、図３は、本実施形態に係る液晶装置１の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【００３２】
図３において、本実施形態に係る液晶装置１は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４ａ及びデータ線駆動回路１０３ａや、不図示のドライバＩＣ１０１等の駆動回路が形成されている。
【００３３】
走査線駆動回路１０４ａは、ドライバＩＣ１０１から供給されるクロック信号等に応じて、走査信号を、走査線Ｙ１からＹｎに順次供給する。例えば、ある走査線Ｙｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）にハイレベルの走査信号が供給されると、この走査線Ｙｊに接続されたＴＦＴ１１６が全てオン状態となり、この走査線Ｙｊに対応する画素部７０が全て選択される。
【００３４】
データ線駆動回路１０３ａは、ドライバＩＣ１０１から供給されるクロック信号等に応じて、画像信号を、データ線Ｘ１からＸｍに順次供給し、オン状態のＴＦＴ１１６を介してこの画像信号に基づく書込電圧を画素電極９に書き込む。
【００３５】
本実施形態に係る液晶装置１には、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７０が設けられている。
【００３６】
図３に示すように、画素部７０は、垂直方向に延在するデータ線Ｘｋ（但し、ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）と、水平方向に延在する走査線Ｙｊ（但し、ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）と、データ線Ｘｋ及び走査線Ｙｊの交点付近に形成される画素スイッチング用のＴＦＴ１１６と、液晶素子１１８と、蓄積容量１１９を備えている。
【００３７】
ＴＦＴ１１６は、ソース端子がデータ線Ｘ１〜Ｘｍ（但し、図４では不図示）のいずれかに電気的に接続され、ゲート端子が走査線Ｙ１からＹｎ（但し、図４では不図示）のいずれかに電気的に接続され、ドレイン端子が画素電極９に電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ１１６は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。
【００３８】
液晶素子１１８は、画素電極９、共通電極２１並びに画素電極９及び共通電極２１間に位置する液晶分子から構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ１１６を介してデータ線Ｘ１からＸｍのいずれかと電気的に接続されている。液晶装置１の動作時には、データ線Ｘ１からＸｍ及びＴＦＴ１１６を介して供給された画像信号の電位（書込電位）を有する画素電極９と、共通電位を有する共通電極２１との間に電界が生じる。液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示を可能とする。
【００３９】
蓄積容量１１９は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶素子１１８と並列に付加されている。蓄積容量１１９を構成する一方の電極は、画素電極９に電気的に接続され、他方の電極は、共通電極２１に電気的に接続されている。
（３）導電層の具体的構成
続いて、図４を参照して、画像表示領域１０ａの周辺領域に形成される導電層１２０のより具体的な構成について説明する。ここに、図４は、導電層１２０に関連した構成を抜きだした液晶装置１の簡略化された平面図である。尚、図４では、説明の簡略化のため、図１から図３を用いて説明した液晶装置１が備える構成要素のうちの一部のみを図示している。
【００４０】
図４に示すように、導電層１２０は、例えばＩＴＯ等の透明電極から構成されており、画像表示領域１０ａの周辺領域に形成されている。また、導電層１２０は、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂの少なくとも一部と重なるように又はそれらを取り囲むように形成されることが好ましい。特に、導電層１２０は、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂに対して電源電圧信号を供給する電源配線に重なるように形成されることが好ましい。このとき、導電層１２０の全てが電源配線に重なるように形成されてもよいし、或いは導電層１２０の一部が電源配線に重なり且つ導電層１２０の他の一部が電源配線に重ならないように形成されてもよい。
【００４１】
ここで、電源配線と導電層１２０との位置関係について、図５を参照しながらより詳細に説明する。ここに、図５は、導電層１２０に関連した構成を抜きだした液晶装置１の簡略化された断面図である。
【００４２】
尚、データ線駆動回路１０３ａ、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂは各種回路素子を備えているが、図５では、各種回路素子を構成する基本的な回路素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）に着目して説明を進める。
【００４３】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線駆動回路１０４ａ、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂが備える各種回路素子を構成するＴＦＴ２０１が形成されている。ＴＦＴ２０１は、多結晶シリコン（ポリシリコン）から構成されるチャネル領域２０１ａと、イオンプランテーション法等の不純物打ち込み法によって不純物が打ち込まれた多結晶シリコンであるソース領域２０１ｂと、イオンプランテーション法等の不純物打ち込み法によって不純物が打ち込まれた多結晶シリコンであるドレイン領域２０１ｃとから構成されている。
【００４４】
ＴＦＴ２０１上には、ゲート絶縁膜２０２が形成される。ゲート絶縁膜２０２上には、ゲート電極２０３が形成される。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴ２０１、ゲート絶縁膜２０２及びゲート電極２０３を覆うように第１層間絶縁膜２１２が形成されている。
【００４５】
第１層間絶縁膜２０６には、ＴＦＴ２０１のソース領域２０１ｂに到達するコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールにはソース電極２０４が形成されている。また、第１層間絶縁膜２０６には、ＴＦＴ２０１のドレイン領域２０１ｃに到達するコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールにはドレイン電極２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０６上には、更に、電源電圧信号をソース電極２０４に供給するための電源配線２０８が形成されている。この電源配線２０８は、ソース電極２０４と電気的に接続されている。
【００４６】
第１層間絶縁膜２０６上には、ソース電極２０４、ドレイン電極２０５及び電源配線２０８を覆うように第２層間絶縁膜２０７が形成されている。第２層間絶縁膜２０７上には、導電層１２０が形成されている。このとき、導電層１２０は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の法線方向に沿って電源配線２０８と重なる位置に形成される。
【００４７】
第２層間絶縁膜２０７上には、導電層１２０を覆うように配向膜８が形成されている。また、対向基板２０上にも同様に不図示の配向膜が形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜８と対向基板２０上の配向膜８との間に液晶層５０が封入されている。
【００４８】
再び図４（ａ）において、導電層１２０は、閉ループ状のパターンを形成するように周辺領域に形成されている。より具体的には、導電層１２０は、外部接続端子１０２が備える一の端子から他の端子へと戻るパターンであって、上述した電源配線２０８に重なる位置に対応するパターンを描くように、周辺領域に形成される。但し、導電層１２０は、外部接続端子１０２が備える一の端子から他の端子へと戻るパターンを描くように構成されていればよく、その一部が開放端を構成してもよい。
【００４９】
導電層１２０と電気的に接続される外部接続端子１０２の２つの端子には、温度検出回路１４０が接続されている。温度検出回路１４０は、導電層１２０の抵抗値（或いは、抵抗値の変化）を検出可能に構成されている。更に、温度検出回路１４０は、導電層１２０の変化に基づいて、液晶装置１の動作温度を検出可能に構成されている。温度検出回路１４０によって検出された動作温度は、ヒータ制御回路１５０へと出力される。
【００５０】
ヒータ制御回路１５０は、温度検出回路１４０によって検出された動作温度に基づいて、ヒータ１３０の動作を制御する。例えば、ヒータ制御回路１５０は、温度検出回路１４０によって検出された動作温度が所定の閾値を上回る場合には、ヒータ１３０が発熱しないようにヒータ１３０の動作を制御し、温度検出回路１４０によって検出された動作温度が所定の閾値を下回る場合には、ヒータ１３０を発熱させるようにヒータ１３０の動作を制御する。その結果、低温環境下にある液晶装置１は、ヒータ１３０の発熱によって暖められ、動作温度が上昇することになる。
【００５１】
このように、本実施形態に係る液晶装置１では、導電層１２０の抵抗値の変化を検出することで、液晶装置１の動作温度を好適に検出することができる。その結果、ヒータ１３０を好適に制御することができる。従って、低温環境下での液晶分子の応答速度の低下に起因した液晶装置１の表示性能の低下を防ぐ必要がある。
【００５２】
更に、本実施形態に係る液晶装置１に形成される導電層１２０は、液晶装置１の製造時には、帯電防止に用いられる。具体的には、液晶装置１の製造時には、配向膜８の表面に対して、レーヨンやナイロン等の遷移からなる織布を所定の荷重で一定の方向に擦り付けるラビング処理が行われる。その結果、摩擦に起因した高電圧の静電気が発生する。この場合、仮に導電層１２０が形成されていなければ、高電圧の静電気によってＴＦＴ１１６等の素子が静電破壊されてしまいかねない。しかるに、本実施形態では、摩擦に起因して生じた静電気は、導電層１２０によって好適に集電される。このため、ＴＦＴ１１６等の素子が静電気によって静電破壊されてしまう技術的な不都合を好適に抑制することができる。
【００５３】
つまり、本実施形態では、液晶装置１の製造時に帯電防止に用いられる導電層１２０を、液晶装置１の駆動時には温度センサとして用いることができる。このため、液晶装置１の動作電圧を測定するための温度センサを構成するための導電層１２０を、帯電防止用の導電層１２０とは別個独立に形成する必要がなくなる。従って、帯電防止用の導電層とは別個独立に温度センサ用の導電層が形成される液晶装置と比較して、温度センサを構成する導電層１２０を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置１の狭額縁化を図ることができる。
【００５４】
更に、本実施形態では、導電層１２０は、相対的に形状が大きい又は幅が広い電源配線２０８に重なるように形成されている。このため、導電層１２０は主として電源配線２０８との間で静電容量を形成する。従って、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａ（更には、データ線検査回路１０３ｂ及び走査線検査回路１０４ｂ）と導電層１２０との間の容量負荷の増大を抑制することができる。言い換えれば、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａが備える電源配線２０８以外の電気配線（例えば、走査信号や画像信号等の駆動信号が供給される電気配線等）と導電層１２０との間の容量負荷の増大を抑制することができる。従って、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの容量負荷を増大させることなく、上述した各種効果を享受することができる。更には、データ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの動作に影響を与えることなく、導電層１２０をデータ線駆動回路１０３ａ及び走査線駆動回路１０４ａの周辺に形成することができる。これにより、温度センサとなる導電層１２０を形成することに起因した周辺領域の拡大を確実に抑制することができる。その結果、液晶装置１の狭額縁化をより好適に図ることができる。
【００５５】
加えて、導電層１２０は、液晶装置１の駆動時には大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）としても機能する。この場合、導電層１２０が電源配線２０８と重なる位置に形成されるため、電源配線２０８と導電層１２０との間の静電容量を相対的に大きくすることができる。これにより、導電層１２０を、より大容量のバイパスコンデンサ（いわゆる、パスコン）として機能させることができる。このため、低ノイズ化や低ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）化をより確実に図ることができるため、液晶装置１の高画質化及び高精細化をより確実に図ることができる。
【００５６】
尚、導電層１２０が液晶装置１の製造時（特に、ラビング処理時）に発生する静電気の帯電防止に用いられると言う観点から見れば、導電層１２０は、配向膜８に近接して形成されることが好ましい。このため、導電層１２０は、画素電極９と同じ工程（或いは、配向膜８が形成される直前の工程）で形成されることが好ましい。これにより、ラビング処理時に発生する静電気の帯電防止をより確実に図ることができる。更には、導電層１２０を形成するための工程を別個独立に設ける必要がなくなるため、液晶装置１の製造工程を増加させることなく、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００５７】
また、液晶装置１の製造時には、１枚の大型のマザー基板を切り出すことで複数個の液晶装置１をまとめて形成する方法が一般的であることを考慮すれば、導電層１２０は、１枚の大型のマザー基板上での配置も考慮したパターン状に形成されることが好ましい。この態様について、図６を参照して説明する。ここに、図６は、液晶装置１（特に、導電層１２０が形成されるＴＦＴアレイ基板１０）を製造する際の大型のマザー基板を示す平面図である。
【００５８】
図６に示すように、液晶装置１の製造時には、１枚の大型のマザー基板３００上に複数のＴＦＴアレイ基板１０をまとめて形成する。更に、他の大型のマザー基板上に複数の対向基板２０をまとめて形成し、これら２つのマザー基板を張り合わせた後に切断することで、複数の液晶装置１が製造される。
【００５９】
このとき、図６に示すように、大型のマザー基板３００上に形成される複数のＴＦＴアレイ基板１０の夫々に形成される導電層１２０は、隣り合うＴＦＴアレイ基板１０に形成される導電層１２０と短絡するように形成されることが好ましい。図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の下方側に形成される導電層１２０は、下方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の上方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の上方側に形成される導電層１２０は、上方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の下方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の右方側に形成される導電層１２０は、右方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の左方側に形成される導電層１２０と短絡している。同様に、図６に示す例では、ＴＦＴアレイ基板１０の左方側に形成される導電層１２０は、左方側で隣り合う他のＴＦＴアレイ基板１０の右方側に形成される導電層１２０と短絡している。
【００６０】
これにより、導電層１２０全体として、１枚の大型のマザー基板３００上で大きな静電容量を形成することができるため、ラビング処理に起因して生ずる静電気を確実に集電することができる。更に、集電した静電気（つまり、電荷）を導電層１２０全体で分散することができる。このため、各ＴＦＴアレイ基板１０間での電位差をなくして同電位面を拡張することができるため、ラビング処理に起因して生ずる静電気による放電を確実に防止することができる。このため、ＴＦＴ１１６等の素子が静電気によって静電破壊されてしまう技術的な不都合をより好適に抑制することができる。
【００６１】
尚、上述した実施形態では液晶装置１として、ＴＮ（ツイスト・ネマティック）、ＥＣＢ（複屈折電界効果）、ＶＡ（垂直配向）などの縦電界の構成として記載しているが、ＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）及びＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）等の横電界の構成としても、上述した各種効果を享受できる。
【００６２】
（４）電子機器
続いて、図７及び図８を参照しながら、上述の液晶装置１を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００６３】
図７は、上述した液晶装置１が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図７において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。
【００６４】
次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図８は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図８において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００６５】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００６６】
尚、図７及び図８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の液晶装置や、プロジェクタやヘッドアップディスプレイ等の投射型の液晶装置を備える装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、上述した液晶装置１を適用可能なのは言うまでもない。
【００６７】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６８】
１…液晶装置、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２１…共通電極、７０…画素部、１０３ａ…データ線駆動回路、１０４ａ…走査線駆動回路、１０３ｂ…データ線検査回路、１０４ｂ…走査線検査回路、１２０…導電層、２０１…ＴＦＴ、２０８…電源配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、
前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路とが形成されており、
前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導電層は、当該液晶装置の製造時に発生する静電気の帯電を防止するために用いられることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記導電層は、閉ループ状のパターンで前記第１基板上に形成されており、
前記閉ループ状の導電層の端部に電気的に接続され且つ前記導電層の抵抗値の変化を検出することで前記動作温度を検出する温度検出回路を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の画素部が形成される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備える液晶装置であって、
前記複数の画素部を取り囲む前記第１基板上の周辺領域には、当該液晶装置の動作時に、抵抗値の変化に基づいて当該液晶装置の動作温度を検出するために用いられる導電層と、当該液晶装置を駆動するための駆動信号を供給する駆動回路又は前記複数の画素部の夫々の動作を検査する検査回路とが形成されており、
前記導電層は、前記駆動回路又は前記検査回路に対して電源電圧を供給する電源配線と前記第１基板の表面の法線に沿って重なる位置に、絶縁層を介在させて形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導電層は、当該液晶装置の製造時に発生する静電気の帯電を防止するために用いられることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記導電層は、閉ループ状のパターンで前記第１基板上に形成されており、
前記閉ループ状の導電層の端部に電気的に接続され且つ前記導電層の抵抗値の変化を検出することで前記動作温度を検出する温度検出回路を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−２２４３９８（Ｐ２０１０−２２４３９８Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７３８３４（Ｐ２００９−７３８３４）
【出願日】平成２１年３月２５日（２００９．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２５日（２００９．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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