【課題】駆動能力の向上と、光リークの防止とを両立することが容易であり、画像品質を向上する。
【解決手段】表示部１２の画素をスイッチング制御する画素トランジスタ１６のチャネル領域を、多結晶の半導体により形成し、単結晶の半導体の場合よりも光感度を低くして、光リークを抑制する。そして、表示部１２を駆動する駆動部１３の駆動トランジスタ１８のチャネル領域を単結晶の半導体により形成し、多結晶の半導体の場合よりキャリア移動度を高くして、駆動能力を向上する。 （もっと読む）

【課題】 光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材１０ａと、基材１０ａ上に配列形成された複数の画素領域とを備え、画素領域に、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法である。薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタのキャリアの移動速度の増大と、１画素用駆動回路内の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈのばらつきの抑制とを図る画素駆動回路を含む電子回路装置、画素表示装置及び前記電子回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に設けられた非単結晶半導体膜と、この非単結晶半導体膜に設けられた複数個の結晶化半導体領域（５４）と、この各結晶化半導体領域内に少なくともチャネル領域（Ｃｈ１，ＣＨ２，Ｃｈ３，Ｃｈ４）が設けられた複数個の薄膜トランジスタとを具備し、少なくとも１個の薄膜トランジスタのソース領域および／又はドレイン領域（Ｓ１，Ｓ２，Ｄ３，Ｄ４）の一部は結晶化半導体領域（５４）からはみ出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の表面の測定時点と加工時点とが同一でなくても、また前記加工対象物の表面に微細な塵埃が付着していても、レーザー（アニール）加工ができるレーザー加工装置を得ること。
【解決手段】本発明のレーザー加工装置１は、レーザー変位計３に所定の間隔を開けて追従するレーザ加工手段４を用い、レーザー変位計３で加工対象物Ｗであるアモルファスシリコン層Ｗａの異なる表面の測定位置における高さを順次測定し、高さデーターを収集し、その収集した高さデーターを加工してレーザ加工手段４のレーザービームＬｂをアモルファスシリコン層Ｗａの前記測定位置の表面にフォーカス或いはオフセットさせて、アモルファスシリコン層Ｗａをアニールできるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＥＭＩを減少させた信号伝送方式を採用した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶表示パネル５１の周縁にソースドライバＩＣ５５Ａ〜５５Ｄを搭載した複数個のＴＣＰ５３Ａ〜５３Ｄを配設し、隣接するＴＣＰを前記液晶表示パネル５１に形成された接続配線６２Ａ〜６２Ｄで接続し、外部回路基板５４から前記液晶表示パネル５１及び前記液晶ドライバＩＣ５５Ａ〜５５Ｄの駆動に必要な画像データ信号を含む各種信号及び電圧を前記複数個のＴＣＰの端部の１つ５３Ａに供給し、このＴＣＰ５３Ａから隣接するＴＣＰ５３Ｂ〜５３Ｄに前記各種信号及び電圧を順次供給するようにした液晶表示装置１０において、
前記ソースドライバＩＣ５５Ａ〜５５Ｄは、入力された画像データ信号のうち、処理した画像データ信号を除いた他の画像データ信号を隣接する次のソースドライバＩＣに出力するようにする。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホール及びその付近でも耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、透明な画素電極（９ａ）と、これにコンタクトホール（８５）を介して接続されたＴＦＴ（３０）と、画素電極とＴＦＴとの間に積層されておりＴＦＴのチャネル領域を上方から覆うと共に平面的に見てコンタクトホールを避けるように切り欠かれている容量線（３００）とを備える。更に、この切り欠かれている領域を覆う部分遮光膜（４０１）を備える。 （もっと読む）

【課題】 高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得る。
【解決手段】 ゲート酸化膜／チャネルを構成する多結晶シリコン界面の欠陥をフッ素により終端することにより、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの高性能化・高信頼化を図ると共に、その効果を最大限に得るため、薄膜トランジスタのチャネル部分に、粒界のポテンシャルバリアによる散乱が支配的ではない材料、すなわちチャネルを分断する粒界が少ない略帯状結晶薄膜ＳＰＳＩを用いる。これにより、急峻な伝達特性と優れたホットキャリア耐性の双方を有し高性能と高信頼性を両立した薄膜トランジスタを実現し、低電力で高速に動作する様々な回路を画素部と同一のガラス基板上に形成することが出来、高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一対の基板１Ａ，１Ｂと、一対の基板１Ａ，１Ｂに挟まれた液晶層７と、基板１Ａにマトリクス状に配置された複数の画素電極３４と、複数の画素電極３４に対応するように基板１Ａ上に配置された複数の半導体層２を有するＴＦＴ素子Ｔと、を備える液晶表示装置Ａであって、ＴＦＴ素子Ｔが形成された基板１Ａの面内方向において、半導体層２を囲うように形成された遮光部４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 データ信号線方向に隣接する画素電極間の短絡欠陥も検知できるアクティブマトリクス素子とその検査方法を提供する。
【解決手段】基板２上にマトリクス状に形成された走査信号線Ｇ１〜Ｇ５及びデータ信号線Ｄ１〜Ｄ５の交差部に形成され、データ信号線Ｄ１〜Ｄ５にドレイン３２、画素電極４にソース３３が接続されたスイッチング素子３と、走査信号線Ｇ１〜Ｇ５を介してゲート３１に走査信号を出力する垂直アドレス回路５と、データ信号線Ｄ１〜Ｄ５を介してドレイン３２にデータ信号を出力する水平アドレス回路６とを備え、データ信号線を偶数番目と奇数番目のデータ信号線群に分類するとき、特定の画素電極が接続するデータ信号線は、その画素電極に対して水平方向あるいは垂直方向に隣接するどの画素電極が接続するデータ信号線とも、異なるデータ信号線群に属する。 （もっと読む）

本発明は、単結晶シリコン半導体を回路駆動部及び画素アレイの製造に用いる可撓性を有する高解像度液晶表示装置などの可撓性電気光学装置及びその製造方法に関する。本発明による可撓性電気光学装置は、可撓性単結晶層の上に電子素子が形成される素子層を備える可撓性下部基板部と、前記下部基板部に組み付けられた可撓性上部基板部と、前記下部基板部と前記上部基板部との間に配設された電気光学的物質層と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値を低く抑えながら、オフリーク電流を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内のｐｏｌｙ−Ｓｉ層４にリンを注入することにより、ｎ^＋領域８を形成した後、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域にのみ開口部が存在するレジストマスク９を用いて、ボロンのイオン注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース・ドレイン領域となるｐ^＋領域１０を形成する。次に、レジストマスク９を残存させたまま、水素注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内において、チャネル領域（ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４）及びソース・ドレイン領域（ｐ^＋領域１０）の水素化処理を行う。このような方法によれば、Ｎチャネル型ＴＦＴに対する水素化処理が行われないため、Ｎチャネル型ＴＦＴにおける不要な閾値電圧の遷移が防止され、オフリーク電流の上昇を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 電気特性の優れた多結晶ＴＦＴを提供する。
【解決手段】多結晶膜３を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置４のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒５だけを、しかも所望の結晶面（ファセット）６を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを構成するｐ型及びｎ型ＴＦＴの各しきい値電圧を独立に効率良く（最小限のフォトリソグラフィーで）高精度に制御する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを製造するに際して、しきい値電圧（Ｖthp ，Ｖthn ）制御として極低濃度にｐ型不純物（Ｂ：ボロン）の非選択的添加（ｐ型及びｎ型ＴＦＴの双方に添加）及び選択的添加（ｎ型ＴＦＴのみに添加）を連続的に行なう。具体的には、当初図４（ａ）のようにＩd −Ｖg 特性がｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に負シフトした状態から、非選択的添加により図４（ｂ）のようにｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に正シフトさせてＶthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりｎ型ＴＦＴのみ正シフトさせてＶthn を仕様値に調整する。 （もっと読む）