【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるＮ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いるのに好適な新たな構造の酸化物半導体膜を提供することを目的の一とする。または、新たな構造の酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】非晶質を主たる構成とする非晶質領域と、表面近傍の、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７の結晶粒を含む結晶領域と、を有し、結晶粒は、そのｃ軸が、表面に対して略垂直な方向となるように配向している酸化物半導体膜である。または、このような酸化物半導体膜を用いた半導体装置である。 （もっと読む）

液晶デバイスは、例えばタッチスクリーンを形成するディスプレイとセンサとの組み合わせの形態で、与えられる。上記デバイスは、例えばアクティブマトリクス型の、センサ回路アレイを含む。各センサ回路は、ソースフォロワとして設定されるトランジスタＭ１に接続される液晶検知コンデンサＣＶを含む。電圧依存性コンデンサの形式のセンサ選択コンデンサＣ１は、トランジスタＭ１と行選択線ＲＷＳとの間に接続される。電圧依存性コンデンサＣ１の容量は、Ｃ１に係る電圧に依存し、小さな電圧に対しては大きな値を、大きな電圧に対しては小さな値を有する。
（もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。不純物導入工程においては、不純物は、チャネル幅方向においてチャネル部の端部に位置する第１領域、及びチャネル長方向において第１領域よりも幅が狭いチャネル部の第２領域にそれぞれ導入される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第１の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第２の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製するための、半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜にマイクロ波または高周波の電磁波を照射し、電磁波が照射された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接して保護膜となる酸化物絶縁膜を形成した後に、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行って、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。かつ、加熱処理を行った酸化物半導体層を酸素雰囲気下で徐冷する。 （もっと読む）

【課題】金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜と、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を含む金属膜と、をこの順に有する膜付き基板を用意する工程と、前記膜付き基板の前記金属膜を、過酸化水素を主成分とするエッチング液により、エッチング選択比〔前記金属膜のエッチングレート／前記酸化物半導体膜のエッチングレート〕が１００以上の条件でウェットエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 （もっと読む）

【課題】光センサ素子を画素と同一の絶縁性基板上にマトリクス状に配置した画像表示装置であって、低照度光の検出精度を落とすことなく、高照度光の検出を可能にし、光センサ素子が検出できる光の照度レンジを拡大できる光センサ内蔵画像表示装置の提供。
【解決手段】画像表示装置と光センサ装置とが同一絶縁性基板上に形成され、前記光センサ装置は、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された光センサ素子群と、前記光センサ素子群を２次元撮像装置として機能させる付加回路とで構成されている光センサ内蔵画像表示装置であって、
２次元撮像装置を構成している１ピクセル分の中に、少なくとも１個の光センサ素子と、前記光センサ素子で生成された電荷を蓄積する少なくとも２個の容量値が異なる蓄積容量を備える。 （もっと読む）

【課題】光リーク電流の発生を抑制しつつ、半導体膜のアライメント要求精度を緩和した薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板の上側に積層されたゲート電極と、ゲート電極の上側に積層されるソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極の上側に積層されて、ゲート電極が発生させる電界によりソース電極及びドレイン電極間の電流を制御する半導体膜とを含み、半導体膜は、ゲート電極と平面的に重複する第１の領域と、ゲート電極と平面的に重複しない第２の領域とを有する平面的形状で形成され、ソース電極とドレイン電極は、第２の領域において半導体膜と接続せず、第１の領域において半導体膜と接続する、ことを特徴とする薄膜トランジスタを有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜１３に向けてパルスレーザー２０を照射する工程とを少なくとも有する。パルスレーザー２０の照射工程は、プラスチック基板１０に該プラスチック基板のガラス転移温度以上の温度を一定時間加えず、且つアモルファス酸化物薄膜１３をアモルファス相のままで所定の比抵抗に制御する工程である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物からなる半導体層における酸素含有率の変動や水分吸着に起因する特性変動を確実に防止可能な、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた酸化物からなる酸化物半導体層７と、酸化物半導体層７上に酸化物半導体層７に対して連続成膜された上層絶縁膜９とを備えている。酸化物半導体層７および上層絶縁膜９の外周縁は、酸化物半導体層７に形成されるチャネル領域７ｃｈに対して１３μｍ以上の間隔ｄ１〜ｄ４を保持して配置されている。これにより、外周縁の外側からの酸素の出入りや水分吸着の影響が、チャネル領域７ｃｈに対して影響を及ぼすことを防止する。 （もっと読む）