【課題】閾値電圧シフトが小さく、かつオン特性に優れた薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、第１の半導体層１０、オーミックコンタクト層として機能する第２の半導体層、ソース電極５及びドレイン電極６をこの順に形成する工程を備え、第１の半導体層１０を形成する工程は、実質的にイントリンシックな微結晶シリコン層からなる微結晶層１１を形成し、少なくともソース電極５、ドレイン電極６と対向配置される領域に、微結晶層１１ａの表面の結晶欠陥を低減するように、低濃度のＰ（リン）が添加された非晶質シリコン層からなる欠陥修復層１２ａを形成し、その後、実質的にイントリンシックな非晶質シリコン層からなる非晶質層１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御にチャネルドープ法を用いて行う場合、活性層に不純物を導入するため、必然的にこの不純物起因のバルク結晶欠陥や、半導体層と絶縁層の界面凖位を生じさせてしまう。この結果、ＴＦＴ特性、特に電界効果型移動度を悪化させる原因となる。
【解決手段】基板上に形成された電極上に設けられた第１の絶縁層の応力と膜厚の積と、第１の絶縁層上に設けられた引張り応力を有する結晶質半導体膜からなる活性層の応力と膜厚の積と、活性層上に設けられた第２の絶縁層の応力と膜厚の積を適当な大きさに設定することでしきい値電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】移動度の大きな結晶性半導体層をチャネル層とし、動作速度を向上させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】レーザアニール時に、非晶質シリコン層１０６ａに吸収されたレーザ光は熱に変換される。変換された熱は、非晶質シリコン層１０６ａを溶融させるとともに、輻射熱としてゲート電極１５０に与えられる。しかし、レーザアニール時には、ゲート電極１５０はゲート配線３０と分離されているので、与えられた熱はゲート電極１５０からゲート配線３０に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極１５０の温度を上昇させる。このため、ゲート電極１５０上の非晶質シリコン層１０６ａで発生した熱は、主に非晶質シリコン層１０６ａを溶融させて結晶化するために使われ、微結晶シリコン層１０６ｂの結晶粒径が大きくなり、移動度も大きくなる。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層としてのＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のモル比〔Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ〕を２．０−ｘ：ｘ：ｙ（但し、０．０＜ｘ＜２．０、０．０＜ｙ）で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記ｙの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記ｙが大きい領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】光によるＴＦＴのオフ電流の増加を抑制する。
【解決手段】基板１０ａに設けられたゲート電極１１ａａと、ゲート電極１１ａａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａａに重なるように島状に設けられた半導体層１３ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１ａａにそれぞれ重なるように設けられたソース電極１４ａａ及びドレイン電極１４ｂａとを備えた薄膜トランジスタ５ａが画素Ｇ毎に設けられた薄膜トランジスタ基板２０であって、半導体層１３ａの周端は、ゲート電極１１ａａの周端よりも平面視で内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 移動度特性及び特性安定性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを具備し、少なくとも前記ソース電極及びドレイン電極の一部が前記半導体膜を挟んで前記ゲート絶縁膜の反対側に位置する薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記半導体膜は、１−８ｎｍの厚さの微結晶Ｓｉ膜と、前記微結晶Ｓｉ膜の前記ゲート絶縁膜側とは反対側に位置する非晶質Ｓｉ膜とを含む積層からなる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光リークに起因した表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された半導体層と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置されそれぞれ第１方向に延在した第１ゲート線及び第２ゲート線と、前記第１ゲート線及び前記第２ゲート線を覆う第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置され第２方向に延在し前記第１ゲート線とクロスする第１クロス部及び前記第２ゲート線とクロスするとともに前記第１クロス部より小さい第２クロス部を有するソース線と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に向かい合う対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する半導体層と、半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、を有し、半導体層において、ゲート絶縁層側に形成されるドナーとなる不純物を含む微結晶半導体領域と、当該ドナーとなる不純物を含む微結晶半導体領域を覆う窒素を含む微結晶半導体領域とを有し、窒素を含む微結晶半導体領域は錐形状である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面上にゲート電極と、酸化シリコンを含む酸化物半導体層と、ゲート電極と酸化物半導体層の間に絶縁層と、酸化シリコンを含む酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層との間にソース領域またはドレイン領域とを有し、ソース領域またはドレイン領域は、縮退した酸化物半導体材料または酸窒化物材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、表示装置、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ＳｉＮ膜からなる第１ゲート絶縁膜３１及び第１ゲート絶縁膜３１上に形成されたＳｉＮ酸化層からなる第２ゲート絶縁膜３３を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも第２ゲート絶縁膜３３と接する界面部に微結晶半導体膜（第１半導体層４１）が形成された半導体層４と、半導体層４上に、オーミックコンタクト膜６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を駆動するための画素電極と共通電極が、平面視上、重畳領域を有するＴＦＴアレイ基板において、製造工程の短縮化を実現する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、ドレイン領域１０Ｄから延在される画素電極１１を備える島状の結晶性半導体層３と、結晶性半導体層３の上層に形成されたゲート絶縁膜２１と、ゲート絶縁膜上２１であって、チャネル領域１０Ｃと対向配置されるゲート電極１２と、ゲート電極１２より上層に配置され、絶縁層２５に形成されたコンタクトホールＣＨを介してソース領域１０Ｓと電気的に接続されたソース電極１３と、絶縁層２５より上層に形成され、画素電極１１と重畳する領域を有する共通電極１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａおよび素子基板１０は透光性を備え、共通電極２１は光反射性を備えている。このため、素子基板１０側から入射した光を共通電極２１で反射して素子基板１０から出射することができる。素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう光は遮光層７ａで遮られるので、画素トランジスター３０の能動層に強い光が入射することはない。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能な新規のＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。詳細には、Ａｌ合金膜をＴＦＴの半導体層と直接接続しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を防止でき、良好なＴＦＴ特性が得られると共に、ＴＦＴの製造工程でＡｌ合金膜に約１００〜３００℃の熱履歴が加わった場合でも、低い電気抵抗と優れた耐熱性が得られる新規なＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜４原子％；Ｌａ、ＧｄおよびＮｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜１原子％；並びにＴａ、Ｎｂ、Ｒｅ、ＺｒおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する。 （もっと読む）

【課題】少ないマスク数で表示特性が良好な表示装置を作製する。
【解決手段】第１の導電膜と、該第１の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第１のエッチングにより前記第１の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成し、第３のエッチングにより第２の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、電源電位と接続された出力ノードと、出力ノードと電源電位より低電位である接地電位との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスター、第２のｎチャネル型トランジスターおよび第３のｎチャネル型トランジスターを有し、第１のｎチャネル型トランジスターの一端は、接地電位に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスターの一端に接続され、ゲート端子は、入力ノードに接続され、第２のｎチャネル型トランジスターの他端は、第３のｎチャネル型トランジスターに接続され、ゲート端子は、電源電位と接地電位との間に位置する第１中間電位に接続され、第３のｎチャネル型トランジスターの他端は出力ノードに接続され、ゲート端子は電源電位に接続されている。 （もっと読む）