【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。このゲート絶縁層３は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第１単量体（α−メチルスチレンなど）と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第２単量体（メタクリル酸グリシジルなど）とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したように当該トランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にｉ型（真性）化されたものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電を防止するための金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過して酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ＴＦＴで発生する光リーク電流を低減させ
る。
【解決手段】電気光学装置は、表示領域（１０ａ）に設けられた複数の画素電極（９ａ）
と、画素電極に画像信号を供給するデータ線（６ａ）と、画素電極に電気的に接続された
画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソー
スドレイン領域（１ｄ）、並びに画素電極側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースド
レイン領域間に位置するチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層
のチャネル領域にゲート絶縁膜（２ａ，２ｂ）を介して対向配置されたゲート電極（３ｂ
）とを備える。半導体層は、チャネル領域の膜厚が、画素電極側ソースドレイン領域及び
データ線側ソースドレイン領域の膜厚より薄くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部
よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を
熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が
０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の
酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、
を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜
を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られ
たものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体（ドナー）となる不純物（水素又は水など）を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流（オフ電流）を少なくすることができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域における寄生容量を削除することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高価な機材である真空チャンバーを用いることなくキャリア移動度の高いポリシリコン膜を製造する。
【解決手段】ポリシリコン膜の製造方法において、少なくともシリコン粒子を分散させた液体を基板に塗付する工程と、塗布した液体を乾燥させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をポリシリコン膜にするための熱アニール処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極とチャネル領域を挟んで対向する第２のゲート電極とを有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域の形成方法において、結晶粒の間に非晶質半導体が充填される微結晶半導体膜を形成する第１の条件で第１の微結晶半導体膜を形成した後、結晶成長を促進させる第２の条件で、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路規模を縮小する、または半導体装置の駆動能力の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体によりチャネル領域が形成されるトランジスタをプルダウントランジスタとして適用する。当該酸化物半導体は、２．０ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する。そのため、トランジスタにおけるホットキャリア劣化を抑制することができる。その結果、当該プルダウントランジスタを有する半導体装置の回路規模を縮小することができる。また、プルアップトランジスタのゲートを、当該トランジスタのスイッチングによって浮遊状態とする。なお、当該酸化物半導体を高純度化することで、トランジスタのオフ電流を１ａＡ／μｍ（１×１０^−１８Ａ／μｍ）以下とすることが可能である。その結果、半導体装置の駆動能力の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜との接触抵抗を低減し、移動度特性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、少なくとも各々の一部が前記半導体膜上に形成され、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極と、を具備する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜は、ＧｅあるいはＳｉ及びＧｅを含有し、前記一対の電極の各々は、ボロンあるいはＶ族元素を含有する金属膜で形成され、前記一対の電極の各々と前記半導体膜との間に、ジャーマノシリサイドあるいは金属−Ｇｅ間化合物が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作を可能にする。
【解決手段】基板１上に、島状で且つ端部にテーパーを有する膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。そして、レーザーアニールにより非晶質半導体膜を結晶化させる。島状で且つ端部にテーパーを有する膜２または無機絶縁膜３の材料及び膜厚を適宜調節することによって半導体膜の冷却速度を遅くして結晶粒径の大きな第１領域４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気的特性を実現できる薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、窒化膜を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも窒化膜と接する界面部に微結晶半導体層４１が形成された半導体層４と、を備え、微結晶半導体層４１は、少なくとも窒化膜との界面付近において、窒化膜からの拡散により含有された窒素よりも高濃度の酸素を含むものである。 （もっと読む）