【課題】本発明は、光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器を提供する。また、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を挟持してなり、スイッチング素子基板１０の液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板ＴＦＴの液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極２２と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで成膜でき、不純物散乱を低減して高い移動度を有する酸化物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅元素（Ｃｕ）を含有する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）を含む酸化物半導体薄膜を、銅元素の原子比が下記式を満たすスパッタリングターゲットを用いて基板温度を５００℃以下で成膜し、５００℃以下でアニール処理する。０．００１≦Ｃｕ／（Ｃｕ＋Ｘ）≦０．１（式中、Ｘは、Ｉｎ又はＳｎ） （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 フィードスルーを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１・第２スイッチング素子に供給する走査線（３）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の優れた光センサを備える表示装置の提供。
【解決手段】基板上に光センサが形成された表示装置であって、
前記光センサは、前記基板の側から、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層の順序で、あるいは、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順序で積層され、前記半導体層の両側からそれぞれ電極が取り出されて構成され、
前記半導体層は、結晶性半導体層、非晶質半導体層の積層体で構成され、前記結晶性半導体層は前記ゲート絶縁膜側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、寄生トランジスタの発生に基づくトランジスタの特性劣化を改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、所定種類のイオンが注入されることにより、第１の濃度で不純物領域が形成された本体部（４１０ｃ１）、及び本体部の縁部のうち所定の方向に延びる部分に沿って設けられ、第１の濃度より第２の濃度で不純物領域が形成されたエッジ部（４１０ｃ２）を有する第１チャネル領域（４１０ｃ）を含み、所定の方向に沿って長手状に形成された第１半導体層（４１０）、並びに第１チャネル領域に対向配置された第１ゲート電極（４３０）を有する第１トランジスタ（４００）と、第１チャネル領域と同じ導電型を有し、第１の濃度より高い第３の濃度で不純物領域が形成された第２チャネル領域（１ａ´）を含む第２半導体層（１ａ）、並びに第２チャネル領域に対向配置された第２ゲート電極（３ａ）を有する第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、その製造方法、表示装置、及び半導体装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成され、ゲート電極２の対面に配置された半導体層４と、半導体層４上に、ｎ型不純物を含むｎ型オーミックコンタクト層６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、ソース電極７の下のｎ型オーミックコンタクト層６と半導体層４との間、ドレイン電極８の下のｎ型オーミックコンタクト層６と半導体層４との間にそれぞれ形成されたｐ型半導体層５と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性及び信頼性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁物（絶縁性酸化物、絶縁性窒化物、若しくは酸窒化シリコン、酸窒化アルミニウムなど）、代表的にはＳｉＯ_２を含む酸化物半導体ターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度が、ゲート電極に近い側からゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有する半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】例えば、蓄積容量の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることの両方を可能にする。
【解決手段】容量電極（７１）は、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極と共に、蓄積容量における一対の容量電極を構成している。容量電極（７１）は、画像表示領域の略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線（６）の上層側に延びている。データ線（６）及び走査線（１１）は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線（６）及び走査線（１１９によって区分けされている。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られたものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第１の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第１の酸化物半導体より導電率が低い第２の酸化物半導体領域を形成することによって、第２の酸化物半導体領域は第１の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第１の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、第１電位ノード〔VDD〕と接続された第１ノード〔VOUT〕と、第１ノード〔VOUT〕と第１電位ノードより低電位である第２電位ノード〔VSS〕との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕および第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕を有し、第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕の一端は、第２電位ノード〔VSS〕に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスタの一端に接続され、ゲート端子は、第２ノード〔VIN〕に接続され、第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕の他端は、第１ノード〔VOUT〕に接続され、ゲート端子は、第１電位ノード〔VDD〕と第２電位ノード〔VSS〕との間に位置する第１中間電位〔VM1〕に接続されている。第２のｎチャネル型トランジスタにより分圧され、各トランジスタに印加される電圧を低減できる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】マスク数やフォトリソグラフィ法の回数を減らし、プロセスの簡略化及びコストの低減ができ、封止性能を向上する薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極に接続されたゲート配線と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極と、ソース電極に接続されたソース配線と、ソース電極に離間して形成されたドレイン電極と、ドレイン電極に接続された画素電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体層と、半導体層上にソース電極、ソース配線、ドレイン電極及び画素電極のパターンと逆のパターンに形成された封止層と、からなる要素をアレイ状に形成したことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）