説明

Fターム[2H092QA06]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 誘電異方性型 (2,775)

Fターム[2H092QA06]の下位に属するFターム

Fターム[2H092QA06]に分類される特許

201 - 220 / 873


【課題】オフ時のリーク電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板GAの上側に積層されるゲート電極GTと、ゲート電極GTの上側に積層されるソース電極ST及びドレイン電極DTと、ゲート電極GTとソース電極ST及びドレイン電極DTとの間に積層されて、ソース電極ST及びドレイン電極DT間の電流を制御する第1半導体膜MSと、第1半導体膜MSの全体を上側から覆うように積層されてソース電極ST及びドレイン電極DTとの間に介在する第2半導体膜ASと、を含み、第1半導体膜MSは、ゲート電極GTと重複してゲート電極GTの平面的に内側に位置するとともに、第2半導体膜ASによってドレイン電極DT側の端部とソース電極ST側の端部とが被覆され、第2半導体膜ASは、第1半導体膜MSよりも小さい粒径の結晶で形成される、ことを特徴とする表示装置。 (もっと読む)


【課題】セルギャップのばらつきを抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アレイ基板ARに配置され隣接する第1画素電極EP1及び第2画素電極EP2と、対向基板CTに配置され第1画素電極及び第2画素電極に対向するとともに第1画素電極と交差する第1切欠部SL1及び第2画素電極と交差する第2切欠部SL2が形成された対向電極ETと、アレイ基板において第1画素電極と第2画素電極との間に配置され対向電極の第1切欠部と第2切欠部との間の電極部EDに対向し対向基板を支持する柱状スペーサSPと、アレイ基板の第1画素電極及び第2画素電極と対向基板の対向電極との間に保持された負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層LQと、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】 IPS方式であり、かつ、ノーマリブラック表示である液晶表示装置における、黒表示時の色目の青みを低減する。
【解決手段】 IPS方式であり、かつ、ノーマリブラック表示である液晶表示装置であって、液晶層が下記構造式1で表される化合物を含有する液晶組成物でなり、構造式1におけるmおよびnは、それぞれ、0または1であり、Z、Z、Z、およびZは、それぞれ、シクロヘキサン環またはベンゼン環であり、A、A、およびAは、それぞれ、原子を介さない直接的な単結合または飽和結合のみでなる置換基であり、かつ、Z、Z、Z、およびZのうちのいずれかに電子供与性基を有する液晶表示装置。
【化21】
(もっと読む)


【課題】製造性を低下させることなく薄型化を可能としつつ視野角を必要に応じて制御できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶分子LCの配向方向を長手方向に沿って制御する長手状の櫛歯部32を備えた対をなす画素電極28a,28bを互いに対向して配置した副画素SPを、画素毎に櫛歯部32の長手方向に対をなすように配置する。薄膜トランジスタ26a,26bによって画素電極28a,28bの櫛歯部32を介して各画素の対をなす副画素SPのそれぞれで液晶分子LCの配向方向を互いに反対方向に対向させたり同一方向に偏らせたりする。別途部材を要することなく薄型化を可能としつつ視野角を必要に応じて制御できる。薄膜トランジスタ26a,26bおよび画素電極28a,28bの櫛歯部32のみで液晶分子LCの配向方向を制御できるので、配向膜のラビングを細かく制御するなどの必要がなく、製造性を低下させることがない。 (もっと読む)


【課題】透過率の低下および厚みの増加を防止しつつ効果的な視野角制御が可能な液晶パネルを提供する。
【解決手段】白色を構成する原色のいずれかにより着色した表示用副画素21r,21g,21bに対応して、表示用副画素21r,21g,21bと別個に、表示用副画素21r,21g,21bに対してそれぞれ補色で着色した妨害用副画素22c,22m,22yを設ける。妨害用副画素22c,22m,22yにて、正面方向を除く方向に光を透過可能とする。正面方向以外の方向に対して、表示用副画素21r,21g,21bに表示した画像と妨害用副画素22c,22m,22yに表示した画像とを混色させてコントラストを低下させつつ画像を無彩色に近づけることができ、透過率の低下および厚みの増加を防止しつつ視野角を効果的に制御できる。 (もっと読む)


【課題】開口率を小さくすることのない垂直配向型の薄膜トランジスタアレイ基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上に形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層を含む前記絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、前記パッシベーション層に形成されるとともに前記エッチング停止層に通ずる凹部と、前記凹部を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記凹部に対応して凹んだ画素電極と、を備え、前記エッチング停止層は、透明半導体よりなる。 (もっと読む)


【課題】画素電極を構成する電極部材間からの電界漏れによる液晶分子の配向乱れが防止可能で、これにより光漏れのない表示特性の良好な液晶表示装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】走査線5、信号線7、および電源線9などの配線を覆う絶縁膜上に画素電極11が設けられ、この画素電極との間に液晶層を挟持して共通電極が設けられた液晶表示装置である。そして特に、各画素電極11は、枠状の連結電極11aを有し、その枠内に連結電極11aに接続支持された電極部11bを平行に配列してなる。また連結電極11aは、走査線5、信号線7、および電源線9上に重ねて配置される。 (もっと読む)


【課題】検知すべき対象物の像を正確に検知する。
【解決手段】液晶表示パネル60の液晶パネル20には、液晶パネル20に入射する光の強度を検知し、当該検知によって、ペン70の像を検知する複数の光センサ素子30が配されており、光センサ素子30の光の入射面側であって、液晶パネル20の表面に、光の反射率を変化させるPNLCパネル50が配されている。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示パネルの表示面にタッチパネルを設置した液晶表示装置において、外部からの静電気や、液晶パネル側からの電磁波の放射によるタッチパネルの誤動作を防止する。
【解決手段】 画像が表示される表示領域DAを含む表面12と表面を区画する側面16を有する液晶パネル14と、表面の上部に設置されるタッチパネル13とを備えた液晶表示装置1であって、液晶パネル14とタッチパネル13の間に透光性の導電層10を形成し、この導電層10の側端部の全周囲から液晶パネル14の側面16の全周囲にわたって導電材11を形成した。これにより、液晶パネル14側から放射される電磁波によりタッチパネル13に誤動作が発生することを防止した。 (もっと読む)


【課題】バックライトとして複数の発光ダイオード(以下、LEDと呼ぶ)を用いて時間分割表示方式(フィールドシーケンシャル駆動方式とも呼ぶ)を行い、高画質な動画表示が可能な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、ピーク輝度の変調による高画質、フルカラー表示、または低消費電力を実現する液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】一対の基板間に液晶層を封入した後、一対の基板の上下両側から同時にUV照射を行って高分子安定化処理を行い、一対の基板間に挟まれた液晶層に含まれる高分子を均一に配置させ、液晶表示装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】ボトムゲート型自己整合型のTFTにおいて、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度の幅とし、寄生容量が小さいTFTを提供する。
【解決手段】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に、ゲート電極をマスクにして紫外線を裏面照射することにより、自己整合型のTFTを形成する。紫外線照射された半導体層は紫外線の回折の影響によりゲート電極より少し内側までソース電極、ドレイン電極として機能する程度に高導電化し、チャネル長はゲート電極の幅よりも少し短い長さとなる。これにより、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度に短縮することが可能となり、その結果、TFT寄生容量も低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】寄生容量を抑制した状態で開口率を向上させることが可能な液晶表示素子および表示装置を提供する。
【解決手段】第1基板10上にマトリクス状に配置された複数の走査線11および複数の信号線12と、走査線11および前記信号線12の交差部に配置されたTFT1と、TFT1を覆う状態で、第1基板10上に設けられた第1絶縁膜13と、第1絶縁膜13上に配置された共通電極14と、共通電極14を覆う状態で、第1絶縁膜13上に配置された第2絶縁膜15と、画素領域1A内の第2絶縁膜15上に配置され、第2絶縁膜15および第1絶縁膜13に設けられたコンタクトホールを介してTFT1と接続された複数のスリット16aを有する画素電極16とを備え、共通電極14は、第1絶縁膜13上のコンタクトホールの形成領域を除く画素領域10Aと、走査線11および信号線12の少なくとも一方とを覆う状態で配置されている。 (もっと読む)


【課題】空間周波数の高い映像を鮮明に表示することを可能とするアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本アクティブマトリクス基板は、第1副画素電極と第2副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に、該画素内の第1および第2副画素電極を異なる実効電位にすることで第1副画素電極に対応する第1輝度領域を第2副画素電極に対応する第2輝度領域よりも高輝度とする液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板であって、1つの画素領域に、第1副画素電極とこれを取り囲む第2副画素電極とを備え、第1または第2副画素電極に接続された配線、トランジスタを介して第1または第2副画素電極に接続された走査信号線、第1または第2副画素電極と容量を形成する保持容量配線のいずれかの一部が、第1および第2の副画素電極の境界部分と重畳している。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第1のソース電極層または第1のドレイン電極層上方の第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と接しており、第1のソース電極層または第1のドレイン電極層は、第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と電気的に接続している。 (もっと読む)


【課題】額縁領域近傍において、良好な光検出精度を確保することが可能な表示パネルを提供する。
【解決手段】表示装置1は、表示画面のうちの有効表示領域Bに表示画素としての液晶素子を有し、有効表示領域Bの周辺の額縁領域Aには、非可視光を選択的透過して可視光を遮断する非可視光透過ブラック24が配置されたものである。少なくとも有効表示領域Bには、所定のピッチで非可視光を検出するフォトセンサ12Bが配設されている。位置判定部では、フォトセンサ12Bからの出力に基づいて、表示画面に接触した指2の位置を判定する。額縁領域Aに非可視光を透過させる非可視光透過ブラック24が設けられていることにより、有効表示領域Bの額縁領域Aとの境界付近における光検出強度の低下を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 対向基板や偏光板の帯電を速やかに除電することができ、DC成分の印加による焼き付きを軽減することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 共通電極14と当該共通電極14上に透明絶縁膜16を介して形成される画素電極15とを有するアレイ基板11と、カラーフィルター層17及びブラックマトリックス層18が形成された対向基板12とを備え、これらアレイ基板11と対向基板12の間に液晶層13が挟持されている。共通電極14と画素電極15との間に発生する電界により液晶層13の液晶分子の配向方向が制御される。対向基板12の液晶層13とは反対側の面には導電膜20が形成され、導電膜20の電位は共通電極14の電位と略同電位とされている。 (もっと読む)


【課題】 階調により所望の色が変化するのを回避した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶を介して配置される各基板のうち一方の基板の画素内に形成された画素電極と対向電極とを備え、これら電極のうち少なくとも一方は並設された複数の電極群から構成され、この画素の第1区分領域と第2区分領域に色味の異なるカラーフィルタが形成されているとともに、前記第1区分領域と前記第2区分領域における前記電極群の各電極が仮想の線に対して傾く角度が異なっている。 (もっと読む)


【課題】横電界表示型の液晶パネルでは、リバースツイスト現象を自然に消失することができない。
【解決手段】互いに一定の距離を挟んで対向配置される第1及び第2の基板と、第1及び第2の基板間に封止される液晶層と、配向膜と、第1の基板側に形成される対向電極パターンと、前記第1の基板側に形成され、複数本の電極枝を有する画素電極パターンとを有する液晶パネルであって、複数本の電極枝間に形成されるスリットのうち両端部分に形成されるスリットの少なくとも一方の延設方向が、液晶の配向方向に対して7°以上の角度で交差するように形成されるものを提案する。 (もっと読む)


【課題】開口率、透過率の改善が図られる電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提
供する。
【解決手段】電気光学装置2は、基板12上に電極34を有する電気光学装置であって、
基板12上に設けられた絶縁膜76と、絶縁膜76上に設けられた線状部80を有する下
地層78と、少なくとも下地層78の線状部80の一部を覆うように設けられ、線状部8
0に沿った方向に延在する電極34と、を含み、下地層78は、絶縁膜76より電極34
の成膜時に電極34の結晶の成長を促進させる。 (もっと読む)


【課題】横電界表示型の液晶パネルでは、リバースツイスト現象を自然に消失することができない。
【解決手段】互いに一定の距離を挟んで対向配置される第1及び第2の基板と、第1及び第2の基板間に封止される液晶層と、配向膜と、第1の基板側に形成される対向電極パターンと、第1の基板側に形成される画素電極パターンであって、画素領域の中央よりもコンタクトが形成された連結部寄りに設けられた1つの屈曲点を境に延設方向が屈折する複数本の電極枝を、少なくともコンタクト側の終端部において連結した画素電極パターンとを有する液晶パネルを提案する。ここで、画素電極パターンに形成されるスリットのうち、屈曲点を境にコンタクト寄りに形成されるスリットの延設方向と液晶層の配向方向とが7°以上の角度で交差するように形成する。 (もっと読む)


201 - 220 / 873