【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが第１の支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、第１の支持基板１と対向する第２の支持基板２が設けられており、第２の支持基板２における第１の支持基板１側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在せず、第２の支持基板２における第１の支持基板１と反対側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】被読み取り物の検出精度が高い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置に、光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサと、外光の照度を検出する照度センサとを設ける。そして、当該照度センサによって検出された照度情報に基づいて光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサのいずれを用いて撮像を行うかを選択する。すなわち、２種のタッチセンサの中から適切なタッチセンサを選択する。これにより、被読み取り物の検出精度が外光の影響によって低下することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０と、画素に配置された透光性の画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられ、誘電体層１６ｂを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量１６と、蓄積容量１６と画素電極１５との間に設けられた第３層間絶縁膜１４と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素電極の間に重なる領域にデータ線や、画素電極と異なる電位が印加された第１容量電極が設けられている場合でも、画素電極の端部周辺に余計な電界が発生することを防止することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａの間の第２画素間領域１０ｈに平面視で重なる領域にデータ線６ａおよび第１容量電極５ａが設けられているが、これらの電極（第１容量電極５ａおよびデータ線６ａ）より画素電極９ａの側には、画素電極９ａに導通する中継電極７ａが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第１容量電極との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、第１基板の電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、第１電極及び第２電極の枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ電気光学物質層と第１基板との界面における電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】反射部を構成する溝の構造を改良して、入射した光をより効率よく画素電極に向かわせることのできる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、第２基板２０の基板本体２０ｗ（透光性基板）には、隣り合う画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向けて開口する第１溝２６０が形成されている。また、基板本体２０ｗの一方面２０ｓおよび第１溝２６０の側面２６１、２６２には透光膜２５が形成されており、かかる透光膜２５によって、第１溝２６０と平面視で重なる領域には、第１溝２６０より深くて第１溝２６０より幅が狭い第２溝２６５が形成されている。このため、第２溝２６５の側面２６６、２６７を反射面として利用し、画素間領域１０ｆに向かおうとする光を画素電極９ａに向かわせる。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、溝２６０を中空に封止するにあたって、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、第１封止膜２７の貫通部２７５を介して犠牲膜を除去する。そして、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成し、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐ。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】低温硬化可能な感放射線性樹脂組成物を用いて絶縁膜を形成してアレイ基板を提供し、そのアレイ基板を用いて液晶表示素子を提供する。
【解決手段】不飽和カルボン酸または不飽和カルボン酸無水物から形成される構成単位およびエポキシ基含有不飽和化合物から形成される構成単位を含む共重合体と、式（１）または式（２）の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用いて低温硬化によって絶縁膜１２を形成し、アレイ基板１を製造する。アレイ基板１から液晶表示素子を構成する。
（もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）