説明

Fターム[2H092QA07]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 誘電異方性型 (2,775) | ねじれネマチック(TN)型 (659)

Fターム[2H092QA07]に分類される特許

41 - 60 / 659


【課題】低温硬化されて色特性に優れたカラーフィルタ層を有するアレイ基板を提供し、カラーフィルタオンアレイ構造の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】ジケトピロロピロール系顔料、ハロゲン化亜鉛フタロシアニン系顔料、トリアリールメタン系染料およびアゾ系染料からなる群より選ばれる1種以上の着色剤と、カルボキシル基と熱架橋性基を有する重合体と、式(1)または式(2)の化合物とを含有する着色組成物を用い、スイッチング能動素子8を有する基板4にカラーフィルタ層13を形成し、スペーサ10を低温で形成してアレイ基板を構成する。アレイ基板から液晶表示素子を構成する。
(もっと読む)


【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 (もっと読む)


【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極203a〜203bの一部を凸部204に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える(図1(c))。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第1の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】フリッカの発生を抑制しつつ、低消費電力化を実現することの可能な表示装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】表示装置は、液晶層と、液晶層との対向領域に配置され、液晶層に電圧を印加する複数の画素電極と、液晶層との関係で環境光の入射する側に配置された位相差層および偏光板と、複数の部分電極からなる画素電極を駆動する駆動回路とを有している。駆動回路は、液晶表示パネルが白表示となる定電圧を印加する部分電極を映像信号に応じて選択するとともに、フレームレートを60Hz未満にして各画素の発光面積を変調することにより階調表示を行うようになっている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層
する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置1Aは、駆動側基板10および対向基板18間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部10Aと、駆動側基板10上において、画素部10Aの周辺の額縁領域10Bに配設されたトランジスタTFT11と、額縁領域10Bにおいて、トランジスタTFT11を被覆して設けられた平坦化膜13(絶縁膜)と、画素部10Aを封止すると共に平坦化膜13の端縁部13eを覆って設けられたシール層19とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード13、第1のトランジスタ14、及び第2のトランジスタ15を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ18を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第1のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第1のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第2のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】短チャネルを実現し、薄膜トランジスタの性能を向上させる酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板110上に第1導電膜からなるゲート電極121及びゲートライン116を形成する段階と、ゲート電極121及びゲートライン116が形成された基板110上にゲート絶縁膜115aを形成する段階と、ハーフトーン露光を用いて、ゲート絶縁膜115aが形成されたゲート電極121の上部に第2導電膜からなるソース電極122、第1ドレイン電極123、及び第1データライン117を形成し、かつ第1ドレイン電極123の延長部及び第1データライン117上に第3導電膜からなる第2ドレイン電極123’及び第2データライン117’を形成する段階と、ソース電極122及び第1ドレイン電極123上に酸化物半導体からなるアクティブ層124を形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 (もっと読む)


【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧CVD法による窒化シリコン膜は、膜厚の10%程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板(1)上に反射電極(14)がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜(17)として、膜厚が500〜2000オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 (もっと読む)


【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10の製造方法では、画素電極9aと同一の層あるいは画素電極9aより下層側にモニター用反射パターン7z、9zを形成しておき、画素電極9aおよびモニター用反射パターン7z、9zの上層側に第1透光膜181、および第2透光膜182を形成する。また、第2透光膜182のモニター用反射パターン7z、9zに重なる部分を除去した後、第3透光膜17を形成する。この状態で、モニター用反射パターン7z、9zに光を照射し、膜厚を測定する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】画像表示領域内でのイオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、第1期間と第2期間とにおいて、素子基板10側の画素電極9aと対向基板20側の共通電極21との極性を反転させ、かかる反転駆動に対応させて、素子基板10側の第1電極81および第2電極82を駆動する。その際、対向基板20側の第3電極83に対する第1電極81の極性は、共通電極21に対する画素電極9aの極性とは反対であり、対向基板20側の第3電極83に対する第2電極82の極性は、共通電極21に対する画素電極9aの極性と同一である。 (もっと読む)


【課題】画素がデルタ配置し、映像信号線が画素のひとつおきに形成され、2本の走査線が組みになって配列している構成の画面において、画面の透過率を向上させる。
【解決手段】TFT基板には、赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)に対応する画素がデルタ配置され、対向基板には、TFT基板の赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)に対応して赤カラーフィルタ201、緑カラーフィルタ201、青カラーフィルタ201が形成され、カラーフィルタ201が存在しない部分にはブラックマトリクス202が形成され、2個の青カラーフィルタ201は前記第1の方向に隣り合って連続して形成され、青カラーフィルタ201と青カラーフィルタ201の間にはブラックマトリクス202が形成されていない。 (もっと読む)


【課題】ある程度の色域を確保しつつ、より輝度の高い画像を表示することができる表示装置を提供する。
【解決手段】本開示に係る表示装置は、2次元マトリクス状に画素が配列されている表示部を備えている。表示部の画素は、第1原色を表示する副画素と第1原色とは異なる第2原色を表示する副画素との組から成る。これによって、本開示に係る表示装置は、ある程度の色域は確保しつつ、より輝度の高い画像を表示することができる。 (もっと読む)


41 - 60 / 659