【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル駆動により３Ｄ画像を表示する際に、低消費電力化を図るための具体的な駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】左目用画像と右目用画像とを切り替えて表示する液晶表示装置と、左目用画像または右目用画像の表示に同期して視認者の左目または右目において左目用画像または右目用画像が選択的に視認されるようにするための切替手段つき眼鏡と、により立体画像を視認できる液晶表示装置の駆動方法において、左目用画像及び右目用画像は、バックライト部から照射される複数の色に対応した光を所定の期間内で切り替えることで左目または右目において混色させて視認されるものであり、バックライト部から照射される光は、左目用画像及び右目用画像を構成する複数の色毎の画像信号に応じて、連続して照射される構成とする。 （もっと読む）

【課題】迷光の発生あるいはヒロックの発生を防止しつつ、素子基板に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型の液晶装置１００において、反射性の画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なるアルミニウム配線からなる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。データ線６ａおよび容量線５ｂの表面には、隙間領域９ｓ、９ｔと重なる領域を露出させる遮光性保護層８６ａ、８５ｂが窒化シリコン膜等により形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部４０を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向（Ｘ軸方向）における吐出ノズル１，２の間隔を、高表面エネルギー部４０のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴ｄを滴下してソース電極２３０、ソース電極線２９０、ドレイン電極２４０となる導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の反転駆動において、より簡易な構成により、他の画素に充電するための電力を使用することなく、また、開口率を低下させることなく書込性能を向上させる。
【解決手段】画素２６０は、各画素の階調値に対応する階調電圧が印加される画素電極２６２と、画素電極２６２との間で電界を形成し、各画素で共通の電位を有する共通電極２６３と、走査信号線Ｇ［Ｎ］がゲートに接続され、ソース及びドレインのいずれか一方がデータ信号線Ｄ［Ｍ］に、他方が画素電極２６２に接続された画素トランジスタ２６１と、走査信号線Ｇ［Ｎ＋１］がゲートに接続され、ソース及びドレインがそれぞれ画素電極２６２及び共通電極２６３のいずれか一方に接続されている電位均等化トランジスタ２６４と、共通電極２６３に接続され、共通電位に保たれた共通電極配線２６５とを有している。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において画素の狭ピッチ化、高精細化と共に高開口率を実現する。
【解決手段】ＴＦＴ（３０）の半導体層（１ａ）は、交差部（Ｃｒ）に重なる開孔部（３
５）内から開孔部（３５）外にまで連続的に形成されると共に、開孔部（３５）の底面に
露出するデータ線（６）の表面部分と電気的に接続される第１のソースドレイン領域（１
ｂ）と、開孔部（３５）の側壁に配置されたチャネル領域（１ａ'）と、開孔部（３５）
外に形成され画素電極（９）と電気的に接続される第２のソースドレイン領域（１ｃ）と
を有し、ＴＦＴ（３０）のゲート電極（３ａ）は、少なくともチャネル領域（１ａ'）に
重なるように開孔部（３５）内に形成され、走査線（１１）と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示板アセンブリは、共通電極を含む上部表示板と、共通電極と向かい合う複数の画素を含む下部表示板と、画素の各々に含まれ、相互に離隔した第１及び第２の領域と、第１及び第２の領域の第１及び第２の副画素と、第１の副画素に含まれ、上部表示板又は下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第１の角度方向に配列され、第１の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第１の微細ブランチを含む第１の副画素電極と、第２の副画素に含まれ、偏光子の偏光軸に対して第２の角度方向に配列され、第２の角度方向は、実質的に２０°内で第１の角度方向と異なり、第２の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第２の微細ブランチを含む第２の副画素電極と、上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子基板と対向基板とを貼り合わせるシール材が硬化時に収縮しても、素子基板と対向基板との離間距離がばらつくことを防止することができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、周辺領域１０ｂの外側領域１０ｂ2については、内側領域１０ｂ1に比して第１スルーホール７２ｂの開口密度および第２スルーホール７３ｂの開口密度が低い。このため、層間絶縁膜７２、７３を研磨すると、外側領域１０ｂ2と内側領域１０ｂ1との間には、外側領域１０ｂ2における素子基板１０と対向基板２０との間隔を内側領域１０ｂ1における素子基板１０と対向基板２０との間隔よりも狭くする段差７２ｘ、７３ｘが構成され、かかる段差７２ｘ、７３ｘより外側（外側領域１０ｂ2）にシール材１０７の内周縁１０７ａが位置する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。このため、層間絶縁膜７２表面に段差７２ｘが形成されるが、かかる段差７２ｘは、層間絶縁膜７３の表面を研磨する際の研磨速度の差によって相殺される。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】素子基板全体にわたって、画素電極の上層側に連続した平坦面を備えた絶縁膜を形成することができるとともに、各画素電極上に均等な膜厚の絶縁膜を設けることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００およびその製造方法において、画素電極９ａの上層側に第１絶縁膜１６１を形成した後、第２絶縁膜１６２を形成し、その後、第１絶縁膜１６１において画素電極９ａと平面的に重なる領域が露出するまで第２絶縁膜１６２を研磨する。その結果、第１絶縁膜１６１の上層のうち、隣り合う画素電極９ａの間の境界領域９ｓと平面的に重なる領域に第２絶縁膜１６２が残される。かかる研磨工程で行なう研磨の速度は、第１絶縁膜１６１の方が第２絶縁膜１６２よりも低い。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】対向基板上にカラーフィルタ層を形成する場合と同様に、複雑な工程によることなくカラーフィルタ層を形成し、アレイ基板上にカラーフィルタ層が設けられた表示装置を得る。
【解決手段】表示装置１０は、各画素毎にスイッチング素子２６が形成されたアレイ基板２０と、アレイ基板２０に対向して配置された対向基板３０と、を有する。アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】 表示品質の高い液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 第１の電極を備え、配向処理された第１の基板と、第１の基板と平行に対向配置され、第２の電極を備え、配向処理された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置され、カイラル剤を含み、ツイスト配向する液晶層とを有し、液晶層がカイラル剤を含まなかった場合に、液晶分子が捩れる旋回方向を第１旋回方向とするとき、カイラル剤は液晶層の液晶分子に、第１旋回方向とは反対の第２旋回方向への旋回性を与え、第１の基板と第２の基板とは、２０°以上４５°以下のプレティルト角が発現するように配向処理され、液晶層には、第１の電極と第２の電極とに電圧を印加することで、液晶層の厚さ方向の電界を生じさせることが可能であり、第１の基板、第２の基板の少なくとも一方には、電圧の印加により、液晶層の厚さ方向と直交する方向の電界を生じさせることが可能な電極が形成されている液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消する。
【解決手段】第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８ａと、前記第二画素電極５ｂとの間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１８ｂと、隣接する一方の画素の第一画素電極５ａと他方の画素の第二画素電極５ｂとの間の領域に共通電極と対向させて配置された補助電極１９とを備え、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧とは異なる第二電圧を印加し、補助電極１９に、共通電極との電位差が第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）