【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】タッチセンサを一体化した表示装置で透明電極の不可視化を達成する。
【解決手段】複数の画素電極２２は、駆動電極と対向して行列配置され、複数の検出電極４４も駆動電極と対向して配置されている。複数の検出電極４４は、画素電極２２の自然数倍のピッチで分離配置されている。複数の検出電極４４は、それぞれが駆動電極と容量結合している。この配置では検出電極の配置ピッチが画素電極ピッチと適合するため、表示装置全体で透明電極パターンの不可視化が達成される。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、画素への信号の書き込み時間を短縮すること、また、高い電圧を印加する場合でも、信号の書き込みを高速に行うことを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された液晶素子とが設けられた画素を有し、前記トランジスタは、半導体材料として真性又は実質的に真性な酸化物半導体が用いられており、且つオフ電流が１×１０^−１７Ａ／μｍ以下であり、前記画素には、容量素子が設けられていない。容量素子を設けなくてもよいため、信号の書き込み時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】 走査ラインの延伸方向に対して垂直な方向成分に画素電極の位置ズレが発生した場合であっても画質が低下することを防止できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 所定方向に隣接する第一画素Ｐ（ｉ，１）と第二画素Ｐ（ｉ，２）が１本のデータラインＳ（ｉ）を共用し、第一画素Ｐ（ｉ，１）が第一走査ラインＧ（１）に接続され、第二画素Ｐ（ｉ，２）が第二走査ラインＧ（２）に接続され、第一画素Ｐ（ｉ，１）に第二画素Ｐ（ｉ，２）とは異なるタイミングで表示信号電圧Ｖｄを書き込むとともに、表示信号電圧Ｖｄが所定の階調レベルに対して２つの異なる電圧レベルを有する液晶表示装置であって、当該画素へ表示信号電圧Ｖｄを書き込む際に、第一画素Ｐ（ｉ，１）と第二画素Ｐ（ｉ，２）との間で、前記２つの電圧レベルの中心電圧Ｖｄｃとの電圧差Ｖｃ１、Ｖｃ２が異なるように、共通電極Ｇｎにコモン信号Ｖｃｏｍを供給する。 （もっと読む）

【課題】液晶層が適正に交流駆動され、明るい表示が得られる液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、ＦＦＳ方式の第１電極１９と第２電極９とを備え、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向に配置された複数の画素７における前段走査線３Ｆが、後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４における一方の電極を兼ねており、前段走査線３Ｆに対向配置された第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、後段画素のＴＦＴ１１に繋がる第１引き回し配線部１３ｂを有し、前段走査線３Ｆに対向配置された第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、後段画素のＴＦＴ１２に繋がる第２引き回し配線部１４ｂを有し、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、帯状電極部９ａのエッジ部と平面的に重ならないように、後段画素の第２電極９におけるスリット９ｂ内を通過して設けられている。 （もっと読む）

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する
半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレ
イン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形
成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導
体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層
によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良
好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】デジタル駆動方式を採用するにあたって、温度センサーを後付けしなくても、温度変化に起因する階調不良の発生を防止することのできる電気光学装置、並びに当該電気光学装置を備えた電子機器および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、駆動部１１０は、データ変換部１１３において画像データをデジタル駆動信号に変換してデータ線駆動回路１１１を介して画素電極９ａに供給する。素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どないＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】透明な第一基板上にゲート電極及びゲートアドレス線７を形成するステップと、前記ゲート電極を含む前記第一基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層上にドレーン電極及びソース電極とドレインアドレス線５、補助記憶コンデンサ電極１２を形成するステップと、前記補助記憶コンデンサ電極１２を含む前記第一基板上にフォトイメージ形成可能な有機絶縁層を設けるステップと、前記有機絶縁層にフォトイメージ工程を実施して前記補助記憶コンデンサ電極１２の表面が露出するコンタクト・ホール３６を形成するステップと、前記コンタクト・ホールを通じて前記補助憶補助コンデンサー電極１２の上部と電気的に接続されるピクセル電極３を形成するステップ、を有するＴＦＴアレイ。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサによる撮像機能を有する半導体装置において、各画素に設けられたフォトセンサの特性ばらつきに起因するノイズを低減し、高精度の撮像を行うことを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された入力部と、画像処理回路とを有し、前記フォトセンサは、黒画像、及び被検出物の画像を撮像し、前記画像処理回路は、前記黒画像の画像データＸ、及び前記被検出物の画像の画像データＹを用いて、画像データ（Ｙ−Ｘ）を有する画像を生成する半導体装置である。また、上記入力部が表示パネルとして機能する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性（オン特性や周波数特性（ｆ特性と呼ばれる））に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。真性又は実質的に真性な半導体は、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去し、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。該酸化物半導体層の上下に絶縁膜を介して配置した一対の導電膜の電位を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに配置されたフォトセンサにおいて、対象物からの反射光を正確に検出し、画像取り込みの精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルでは、対象物の画像を取り込む際、光源から対象物に光が照射され、反射された光がフォトセンサに入射される。その際、フォトセンサの感度に対して入射光が強すぎる場合には光源の輝度を小さくし、逆にフォトセンサの感度に対して入射光が弱すぎる場合には光源の輝度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタへの外部光の入射を遮光できるとともに、画素の開口率の向上を図った液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の画素領域における薄膜トランジスタＴＦＴはゲート電極ＧＴと前記ゲート電極ＧＴの上方に配置した半導体層ＡＳと、前記半導体層ＡＳの上層に配置したドレイン電極ＤＴおよびソース電極を有し、前記半導体層ＡＳは、ドレイン信号線ＤＬの延在方向においてゲート電極ＧＴの形成領域からはみ出して形成される延在部を有し、前記ゲート電極ＧＴは、ゲート信号線の延在方向において前記半導体形成領域からはみ出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】スペーサと同時に形成された非表示領域の遮光部が光漏れを遮断する機能を十分に果たす液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画面表示領域と非表示領域と、第１基板及び前記第１基板と対向する第２基板と、第１開口部を含む有機膜と、前記第１開口部の中に配置し、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔を維持するスペーサと、前記非表示領域に配置する第１遮光部とを含み、前記スペーサと前記第１遮光部は同じ物質を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、視野角
制御を行う際に直視方向の光漏れを低減させた視野角制御機能が良好な液晶表示パネルを
提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、表示用サブ画素１６Ａ及び視野角制御用
サブ画素１７Ａを備え、それぞれのサブ画素の上電極２８には、それぞれ複数のスリット
状開口２９Ａ、３０Ａが形成され、上電極２８の表面及びスリット状開口２９Ａ、３０Ａ
内に形成された第１配向膜のラビング処理の方向ＲＡは、視野角制御用サブ画素１７Ａの
スリット状開口３０Ａの延在方向の垂線に対してα２傾斜している。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを構成する複数の着色層がブラックマトリクス上で互いに延出して重なり合う場合に、ブラックマトリクスと着色層とを覆う透明電極層にクラックを発生させないカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】透明な基板１と、該基板上に設けられた、開口部を有するブラックマトリクス２と、該開口部の各々に配置された色画素を構成する複数の着色層３と、前記ブラックマトリクスと前記着色層とを覆う透明電極層４とを有し、隣り合う２以上の着色層がブラックマトリクス表面上に延出して互いに重なり合う重なり部を有するカラーフィルタであって、前記重なり部の延出端部上を含むブラックマトリクス上の領域の一部を前記透明電極を設けない領域４ｎとする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）