【課題】高画質で立体表示することができる立体表示装置を提供する。
【解決手段】画像を表示するための複数の画素１２０を有する表示パネル１００と、表示パネルに対向し、画像の３次元表示を行うための視差バリア２１０を有する液晶シャッタパネル２００とを備える立体表示装置１であって、複数の画素のそれぞれは、光を発する領域である発光領域１２１と当該発光領域以外の領域である非発光領域１２２とからなり、液晶シャッタパネルは、視差バリアの遮光部２１１に対応する第１の透明電極２２１と、第１の透明電極に対向する第２の透明電極２３１と、第１の透明電極及び第２の透明電極の間に配置された液晶層２４０と、第１の透明電極及び第２の透明電極の少なくとも一方と電気的に接続され、表示パネルと液晶シャッタパネルとの並び方向において非発光領域と重なるように形成される補助電極２６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置に含まれるＴＦＴのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分等の異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性と表示装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】信号線は、第１の信号線と、第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、第２の絶縁膜を介して第２の信号線の上層に形成される透明導電膜ＣＨＬとからなり、透明導電膜ＣＨＬは、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを貫通して第１の絶縁膜に至る第１の接続孔ＴＨ１と、第２の絶縁膜を貫通して第２の信号線に至る第２の接続孔ＴＨ２とを覆うようにして形成され、第１の接続孔ＴＨ１又は第２の接続孔ＴＨ２の内で、基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、第１の絶縁膜又は／及び第２の絶縁膜に形成される溝部ＤＣＨを備え、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が、溝部ＤＣＨの底部まで伸延してなる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧を最適な値に保持可能な半導体回路を提供すること。またトランジスタのしきい値電圧を制御可能な半導体回路、及びその駆動方法を提供すること。また上記半導体回路を適用した記憶装置、表示装置、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】被制御トランジスタのバックゲートに接続されるノードに、ダイオードと第１の容量素子を設け、トランジスタのしきい値電圧が最適になるように所望の電圧を印加可能で且つその電圧を保持することができる構成とし、さらにダイオードに並列に接続された第２の容量素子を設け、当該ノードの電圧を一時的に変化させられる構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化し、表示装置の大型化又は高精細化するための技術を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスター群の位置に依存したスジを抑制すること。
【解決手段】電気光学装置は、ゲート信号入力端子と、ゲート信号入力端子に接続され、ゲート信号が供給されるゲート信号線と、ソース信号入力端子と、複数のソース信号入力端子の各々に接続され、ソース信号が供給される複数のソース信号線と、ゲート信号線に接続されたゲート電極、および複数のソース信号線のうち第１ソース信号線に接続されたソース電極を有する第１トランジスター群と、第１トランジスター群よりも下流側の位置においてゲート信号線に接続されたゲート電極、および複数のソース信号線のうち第２ソース信号線に接続されたソース電極を有する第２トランジスター群と、第１ソース信号線に挿入された第１抵抗と、第２ソース信号線に挿入され、第１抵抗と異なる抵抗値を有する第２抵抗とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰと、半導体層１２の一部を含み画素電極ＥＰへの映像信号Ｖｓの書き込みを切替えるスイッチＷと、半導体層１２と対向して補助容量Ｃｓを形成する補助容量線ＣｓＬと、を備えた第１基板ＡＲと、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリアＤＳＰの両端部に配置された端部画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰは、他の画素電極ＥＰよりも大きくなるようにアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤ側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制することが可能な非平面形状ディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 非ガラス素材によって形成された非平面形状の絶縁基板、前記絶縁基板に接着された下地絶縁層、前記下地絶縁層上に形成されたスイッチング素子、及び、前記スイッチング素子に接続された画素電極を備えたアレイ基板と、非ガラス素材によって形成され、前記アレイ基板に貼り合わせられた対向基板と、を備えたことを特徴とする非平面形状ディスプレイ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、一画素内において、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、第２の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、その第２の基板は、液晶層側に画素電極を有し、第１の基板は、液晶層側に共通電極を有し、複数の画素からなる液晶表示装置であって、複数の画素の各画素は、第一の副画素と、第二の副画素とを有し、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合は０％以上１００％以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）