【課題】電極の引出し加工が容易であり、かつマイグレーションの発生を抑制できる画像表示素子を提供する。
【解決手段】前面パネル１と、これに対向する裏面パネル２と、前面パネル１及び裏面パネル２間に配置された複数の画素と、画素を制御する複数の電極とを有し、前面パネル１と裏面パネル２が画素及び電極を挟んで貼り合わされて構成され、金属膜配線５を介して電極を駆動回路に接続する画像表示素子において、電極端子４が露出するように分割されると共に、この分割部分に断面Ｖ字型の溝部３が形成されており、金属膜配線５は、裏面パネル２の上部２ａの面に形成されており、電極端子４と金属膜配線５は、溝部３を構成する傾斜面に沿って塗布された導電ペースト１０により接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示媒体が載せられる面に表示媒体を固定し、表示媒体の着脱時には容易に表示媒体を着脱できるようにする。
【解決手段】磁石２２が磁石１２Ａおよび磁石１５Ａと対向すると、磁石２２と磁石１２Ａとの間に斥力が発生し、蓋部１Ｂと表示装置２との間に隙間が生じる。また、磁石１５Ａと磁石２２との間にも斥力が発生する。磁石２２が、磁石１２Ｃおよび磁石１５Ｃと対向すると、磁石２２と磁石１２Ｃとの間に引力が発生する。また、磁石１５Ｃと磁石２２との間にも引力が発生する。磁石２２と磁石１２Ｃおよび磁石１５Ｃとの間に引力が発生すると、この引力によって表示装置２が本体部１Ａに密着すると共に、蓋部１Ｂが表示装置２に密着する。 （もっと読む）

【課題】電極引出し加工を容易に行えるようにした画像表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前面パネル１と、この前面パネルに対向する裏面パネル２と、両パネル間にマトリクス状に配置されて表示又は非表示の状態が選択される複数の画素と、この画素を制御する複数の電極とを有し、両パネルが画素及び電極を挟んで貼り合わされて構成され、電極を、金属配線５を介して駆動制御回路に接続する画像表示素子において、裏面パネル２は、隣り合う複数の画素列の間で電極に繋がる電極端子４が露出するように分割されると共に、この分割部分に表面パネルとの対向面の裏側（裏面側）にある上部が底部より幅広の形状を有する溝部３が形成され、金属配線５は、溝部の露出した電極端子４に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光の照射により画像の書き込みが行われる表示媒体において、手書きの画像が表示されるまでの時間を短縮する。
【解決手段】追記装置３を点Ｐ１から点Ｐ２の位置に移動させると、点Ｐ２と点Ｐ１を結ぶ線の下方にある第１画素群は、表示媒体２１のコレステリック液晶の配向状態を変化させ且つ安定させる時間の間、表示媒体２１に対して光を出力する。また、追記装置３が移動する位置として点Ｐ２１の位置を予測し、点Ｐ２と点Ｐ２１を結ぶ線の下方にある第２画素群から、第１画素群が光を出力した時間より短い時間の間、光を出力する。次に追記装置３が点Ｐ２１に移動すると第２画素群が光を出力するが、この光が到達する部分は、既に光が照射されていて反射率が低下しているため、コレステリック液晶の配向状態が変化するまでの時間が短く、使用者は、追記装置３の軌跡が表示されるまでの時間を短く感じる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルおよびフロントウインドウが取り付けられた液晶表示装置製造コストを低減する。
【解決手段】フロントウインドウ２００の下には図示しないタッチパネルおよび液晶表示パネルが配置されている。タッチパネルにはタッチパネル用フレキシブル配線基板が接続５０し、液晶表示パネルにはメインフレキシブル配線基板４０が接続している。タッチパネルを制御するタッチパネル用制御ＩＣ５２およびタッチパネル用電子部品群５１はメインフレキシブル配線基板４０に搭載し、タッチパネル用フレキシブル配線基板５０は配線のみとする。これによって電子部品を搭載するフレキシブル配線基板はメインフレキシブル配線基板４０のみとなり、液晶表示装置全体の製造コストを低減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】低温環境下においても表示特性の優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１００は、液晶分子を駆動する電極対１３，１４を備える第１の基板１と、第１の基板１と所定の間隙を持って対向配置される第２の基板２を備える。第２の基板２は、第１の基板１と対向する側の表示領域５１、及び額縁領域５２に配設されたヒーター用電極２１と、ヒーター用電極２１より上層に、当該ヒーター用電極２１を被覆するように配設され、少なくとも平坦化機能を有するオーバーコート層２４を有する絶縁層２５とを具備する。また、ヒーター用電極２１に対して、外部から電位の供給可能な電位供給手段を有する。 （もっと読む）

【課題】大きな検出光量、広スペクトル帯域、光学素子数の低減、小型化が実現できる光学フィルタおよびそれを用いた画像撮影装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光学フィルタ２０２は、２つの直交する偏光成分の位相差を制御する機能を有し、直交する２つの偏光成分に異なる位相差を与える液晶層１０２４と、該液晶層１０２４を支持する誘電体基板１０２１を備えるとともに、該誘電体基板１０２１の境界面または内部の面に入射光の波長以下のサイズを有する金属微細パターンにより構成される偏光選択構造１０２５を備える構成としたことにより、検出光量の増加、広スペクトル帯域化、光学素子数の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】シールド層を用いずに物体の検出精度を向上させることが可能な静電容量型のタッチセンサを備えた表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量の変化に応じてタッチ検出電極から得られる検出信号Ｖdetに基づいて、物体の接触位置を検出する。このとき、検出回路８において、検出信号Ｖdetの取得時における画像信号の階調に応じて、その検出信号Ｖdetを補正して検出動作を行う。これにより、従来のようなシールド層を用いることなく、内部ノイズの影響を低減（除去）しつつ検出動作を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低く抑え、表示特性を向上させることができる表示素子を提供する。
【解決手段】共通電極１３および画素電極１６を有する駆動用基板１１と、対向基板２１と、駆動用基板１１および対向基板２１の間に設けられ、電界無印加時に光学的等方性を示すと共に、電界の印加に応じて光学的異方性の程度が変化する光変調層３０とを備えている。画素電極１６は、櫛根部分１６Ａと櫛歯部分１６Ｂとからなる櫛型構造を有している。櫛根部分１６Ａおよび櫛歯部分１６Ｂは、不透明材料からなり、断面形状の角部で丸みを帯びている。画素電極１６と共通電極１３との間に駆動電圧を印加すると電界Ｅが発生する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡単な回路構成で走査回路と複数の走査線との間の配線数を低減する。
【解決手段】１番目のトランジスタの第１電極は、第１群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、ｊ（１≦ｊ≦Ｎ−１）番目のトランジスタの制御電極は、第（ｊ＋１）群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、走査線駆動回路は、ｋ１個の第１群のゲート配線に対して、各グループ内の走査線を１水平走査期間毎に選択する第１選択走査電圧を出力し、 ｋ２個の第２群のゲート配線に対して、ｋ２個のグループを１単位とする２段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、ｋ１水平走査期間毎に選択する第２選択走査電圧を出力し、ｋ（ｍ＋１）（２≦ｍ≦Ｎ−１）個の第（ｍ＋１）群のゲート配線に対して、ｋｍ個の第ｍ段目のグループを１単位とする（ｍ＋１）段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、（ｋｍ×・・・×ｋ１）水平走査期間毎に選択する第ｍ選択走査電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ホワイトバランスの悪化を防止しつつ表示領域の周縁部を滑らかに見せる。
【解決手段】仮想湾曲線４に沿うように配置される画素１０における一方の部分画素領域１０Ｕまたは１０Ｌが遮光部２１Ｂにより覆われる。これにより、周縁部Ｅを仮想湾曲線４に近づけるように配置する場合の自由度が増し、周縁部Ｅを滑らかに見せることができる。また、走査線Ｙにより部分画素領域１０Ｕおよび１０Ｌの境界の部分が遮光されるので、画素１０が分かれて見え、解像度が高まるので、周縁部Ｅをより滑らか見せることができる。また、遮光層２１で部分画素領域１０及び１０のいずれか一方を遮光するので、ホワイトバランスの悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる光書込装置を提供する。
【解決手段】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程として、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧を印加する「第１の初期化処理工程（明初期化）」を行い。明初期化の初期化光を消灯した後に、初期化光を消灯したままで、書込時と逆極性の負電圧を印加する「第２の初期化処理工程（暗初期化）」を行う。 （もっと読む）

【課題】視角制御画素１０２に対して十分な書き込みを確保する。
【解決手段】サブ表示画素１０１は、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して設けられたサブ表示画素１０１は、ＴＦＴと液晶容量とを備える。視角制御画素１０２は、サブ表示画素１０１に対応して設けられ、一端が視角制御線１１５に接続され、他端が共通線１０８ｅに接続された液晶容量を備える。視角制御線１１５は、例えば２列毎にまとめられて共通接続されている。視角制御回路１６０は、２列毎にまとめられた視角制御線毎に、視角制御に応じた電圧の視角制御信号をそれぞれ独立に供給する。 （もっと読む）

【課題】画素電極における走査線の電位変動の影響を抑制する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（３０１）上に、互いに交差する複数の走査線（４０）及び複数のデータ線（５０）と、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素電極（２１）と、複数の画素電極に夫々対応し、対応する画素電極をスイッチング制御する複数の半導体素子（２４）とを備える。基板上で平面的に見て、複数の半導体素子のうち少なくとも一の半導体素子は、一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】液晶層のイオン汚染による画質劣化の抑制された表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２によれば、液晶層１７と光吸収層１９との層間に、非水溶性樹脂から構成された非水溶性樹脂層３２が設けられている。このため、光吸収層１９側から液晶層１７側へ、または光吸収層１９の層形成のときに、イオン成分が光吸収層１９側から液晶層１７へ拡散することが抑制され、液晶層１７のイオン汚染による液晶層１７の挙動が不安定となることが抑制される。従って、液晶層１７のイオン汚染による画質劣化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】様々な入射角の光に対応した正確な感知が可能な光センサ内蔵表示パネルまたはこれを用いた表示装置を提供する。
【課題手段】光センサ内蔵表示パネルは、マトリクス状に画素が配置された画素領域を有するアクティブマトリクス基板１００を有し、画素領域の少なくとも一部に光センサ部４が形成される。光センサ部４は、画素領域の少なくとも一部の表面に設けられた開口面７と、開口面７を透過して入射する光を検出する感光部６と、開口面７と感光部６との間の領域の一部分に設けられ、開口面７に対して垂直な方向に延びて形成される遮光部５を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネルが形成される領域を含む半導体層と、ソース電極層及びドレイン電極層のコンタクト抵抗（接触抵抗）が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、配線の電気抵抗が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、ソース電極層及びドレイン電極層の端部に生じる段差の少なくとも一部を覆う半導体層をキャリアが滞りなく移動できる構造を有する薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、第１電極層上に第１配線層を設け、第２電極層上に第２配線層を設け、第１電極層が第１配線層の端部から延在し、第２電極層が第２配線層の端部から延在し、第１電極層の側面及び上面と第２電極層の側面及び上面に半導体層が電気的に接続するように設ける。 （もっと読む）

【課題】一枚の基板の両面にアクティブマトリックス回路が形成された基板の作成方法を提供すること。
【解決手段】アクティブマトリックス基板の製造方法は、基板１の第１面に第１のアクティブマトリックス回路を形成する第１工程と、第１工程の後に、基板１の第１面とは反対側の第２面に有機トランジスターを含む第２のアクティブマトリックス回路を形成する第２工程と、を有する。これにより、別々に作成した２枚の基板を貼り合わせるような方法と比べてより軽量かつ低コストで両面に機能を有するアクティブマトリックス基板を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することが可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】共通電極における開口部４６（間隙部分）には、共通電極を形成する際に、絶縁層７６よりもＩＴＯ膜の結晶化を抑制させる物質からなる下地層４６が形成されている。つまり、下地層４６が形成された間隙となる部分におけるＩＴＯ膜の結晶粒子は、絶縁層７６上におけるＩＴＯ膜の結晶粒子よりも小さくなっている。よって、透明電極材料としてのＩＴＯ膜をエッチングする際に、間隙となる部分におけるエッチングレートは、絶縁層７６上におけるエッチングレートより高くなるため、下地層４６上のＩＴＯ膜を選択的に除去することができる。従って、電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することができる。 （もっと読む）