【課題】フォトマスクの表面に付着した、ドライエッチングによる反応生成物であるクロムの塩化物が除去されたフォトマスクであって、石英基板は浸食されていない、従って、透光性の良好なフォトマスクを提供する。フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１の片面上に、パターン形成された遮光膜２’及び光触媒含有膜３’が順次に積層して設けられたこと。光触媒含有膜は、二酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、その他の光触媒を含有する膜であること。遮光膜２は、クロム（Ｃｒ）を含有する膜であること。チタン（Ｔｉ）を含有する膜であること。透明基板の片面上の開口部の幅が４００ｎｍ以下であること。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 （もっと読む）

【目的】 遮光膜付のハーフトーンマスクにおいて遮光膜とハーフトーン膜との位置ずれのないハーフトーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 透明基板上に露光光の位相をシフトさせるハーフトーン膜を選択的に形成するハーフトーン膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１１０）と、前記透明基板上に前記露光光を透過させない感光性材料膜を形成する感光性材料膜形成工程（Ｓ１２２）と、前記ハーフトーン膜をパターン形成用のマスクとして、前記感光性材料膜を感光させる感光工程（Ｓ１２４）と、前記感光させられた感光性材料膜を現像する現像工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板と位相シフト部は同一材料で、その表面は面一であり、サブスペースの表面は透明基板の表面から掘り下げた深さにあること。
【解決手段】（１）遮光膜、第一レジスト層の積層、（２）第一レジスト層パターンの形成、（３）遮光膜パターン（遮光部）の形成、（４）第一レジスト層パターンの剥離、（５）第二レジスト層の積層、（６）他面側から露光、現像による、第二レジスト層パターンの形成、（７）第二レジスト層パターンをエッチバックする、（８）透明基板をエッチングし、サブスペースを設ける、（９）第二レジスト層パターンを剥離し、位相シフト部を設ける、の各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】露光マスクと被露光基板を密着させる近接場露光に際し、露光マスクと基板との間に気体が封入されることを抑制し、露光マスクと基板を密着させて露光することが可能となる近接場露光方法、近接場露光用マスクの作製方法、及び近接場露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光光の波長サイズ以下の微小開口３０１を備えた遮光層を有する露光用マスク３０３を、被露光基板に密着させ、前記露光用マスクを介して露光光を前記被露光基板に向けて照射することで、前記露光用マスクの微小開口から滲み出る近接場光を用いて前記被露光基板を露光する近接場露光方法において、前記露光用マスクを前記被露光基板に密着させて露光する際に、前記露光用マスクと前記被露光基板間に封止される気体を外部に排出するガスリークパス３０２を形成し、露光するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するテストマスクにより半透明欠陥に対する欠陥検査装置の検出感度調整することを目的とする。前記テストマスクの製造方法とテストマスクを用いた欠陥検査装置の検出感度調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 テストマスクは、数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するようにしたものであり、テストマスクの製造方法は、ガラス基板上の遮光膜のパターン形成を行う工程と、パターンの遮光膜の膜厚を変える工程と、を備え、前記遮光膜の膜厚を変える工程を繰り返し、テストマスクを作製する。テストマスクをウェハーへ転写し、各種欠陥の保証欠陥寸法と決定し、欠陥検査装置にて、テストマスクにより半透明欠陥に対する欠陥検査装置の検出感度調整する。 （もっと読む）

半導体デバイスの半導体層を形成する方法であって、エネルギー源と半導体ウェーハとの間にレティクルを介在させることであって、レティクルは、それぞれが異なるバイアスを有する少なくとも２つの複製マスクパターンを含む、レティクルを介在させること、及び、エネルギー源を用いて、シャッタ内の開口部に、且つ少なくとも２つの複製マスクパターンのうちの一つに、エネルギーを通過させることであって、それによって、半導体ウェーハ上に像を形成する、エネルギーを通過させることを含む、半導体デバイスの半導体層を形成する方法。少なくとも２つの複製マスクパターンのうちの一つは、要求されるバイアスに基づいて選択される。少なくとも２つの複製マスクパターンは、互いに対して並置され、且つシャッタ開口部に対して平行に又は横向きに延在する。 （もっと読む）

【課題】光散乱ＥＵＶＬマスクおよびこれを形成する方法を提供すること
【解決手段】光散乱ＥＵＶＬマスクおよびこれを形成する方法は、超低膨張基板（１００）の上に結晶シリコン層（１１０）を堆積すること（３００）、この結晶シリコン層の上にハードマスクを堆積すること（３１０）、ハードマスクをパターン形成すること（３４０）、結晶シリコン層をエッチングすること（３５０）、ハードマスクを除去すること（３６０）、および結晶シリコン層の上にＭｏ／Ｓｉ層を堆積すること（３６０）を含み、結晶シリコン層のエッチングされた領域は、エッチングされた領域に平坦でない表面を含む。本方法は、さらに、ハードマスクの上にフォトレジスト・マスクを堆積すること（３２０）、フォトレジスト・マスクでパターンを作ること（３３０）、およびこのパターンをハードマスクに転写すること（３４０）を含む。Ｍｏ／Ｓｉ層（１６０）は、結晶シリコン層（１１０）の斜面と共形的な平坦でない表面を備え、Ｍｏ／Ｓｉ層の斜面は、粗面、ぎざぎざの表面、斜面、または曲面として形作ることができ、この平坦でない表面は、露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射極端紫外放射波を偏向させる。 （もっと読む）

リソグラフィのためのシステムおよび技術である。ある側面において、本方法は、ゼロ回折次数の放射線強度および位相を放射線の１波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャを含む装置で変調することにより、マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階を含む。 （もっと読む）

埋込減衰型位相シフトマスク（ＥＡＰＳＭ）の減衰特性及び位相シフト特性を個別に選択することができる。埋込位相シフト層の領域のプラウイング後又はプラウイング中に、基板の露出した部分が所定の深さまでエッチングされる。その後、埋込位相シフト層のさらに多くの領域が露出され、所望の減衰量を与えるために所定の厚さまでトリミングされ、基板の最終的にエッチングされる深さが、位相シフト層のトリミングによって引き起こされる相対的な位相シフトの変化を補償する。その際、減衰レベル及び／又は位相シフトが異なる複数のセルを有するマトリックステストデバイスを、単一のＥＡＰＳＭブランク上に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】原子間力顕微鏡を用いた極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の多層薄膜構造上に蒸着させた吸収体のパターニング時に原子間力顕微鏡の探針と吸収体間の陽極酸化現象を利用し、基板から所定の高さと幅を有する金属酸化物層を形成させ、この金属酸化物層をエッチング処理して超微細線幅の吸収体パターンを形成させる原子間力顕微鏡リソグラフィー技術を利用した極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法。
本発明によると、高い解像度を有する極紫外線露光マスクミラーを製造することができ、既存の方法に比べて微細の吸収体パターンサイズ（線幅３０ｎｍ未満）を有する反射型多層薄膜ミラーを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト型遮光膜マスクにおいては、現像のみでパタン短寸法が決定されるため寸法ばらつき、平均値の変動が小さくならないという課題があった。
【解決手段】 描画パタンに対して、寸法バイアスを入れる。このとき、寸法バイアス量は描画時のビーム照射量に対する寸法変化が最小となる照射量での寸法誤差分に設定する。又、予め遮光膜部分の短寸法を大きく形成し、酸素プラズマを使用したライトアッシングにより、所望の寸法を得る。これらの手段により、レジスト型遮光膜マスクにおいても低コストで歩留まり良く、所望の短寸法精度でマスク製作が可能となった。 （もっと読む）