【課題】表面が平坦で、微粒子の付着を効率良く防止することができる遮光パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】石英等からなる透明基板１の上にレジスト２を塗布する（ａ）。そして、リソグラフィ工程により、遮光部分となる部分のレジスト２を除去する（ｂ）。続いて、残ったレジスト２をマスクとして、ＲＩＥエッチングにより透明基板１をエッチングする（ｃ）。そして、残った透明基板１とレジスト２の表面に、Cr等の遮光膜３を成膜する（ｄ）。このとき、遮光膜３の成膜厚さは、ＲＩＥエッチングにより透明基板１が減厚された厚さと同一とし、透明基板１上の遮光膜３の表面と、エッチングされなかった透明基板１の表面が同一面となるようにする。最後に、残ったレジスト２を溶解することにより、レジスト２とその上に成膜された遮光膜３を除去すると、表面が平坦な遮光パターンが形成される（ｅ）。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緩衝膜をエッチングして露光転写パターンを形成する際の吸収膜パターンの検査波長に対する反射率上昇を防止することが可能でなおかつ少ない成膜チャンバーで作製可能な反射型フォトマスクブランク等を提供する。
【解決手段】反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成され、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上に形成され、多層反射膜２を保護する保護膜３と、保護膜３上で、露光光を吸収する吸収体層５と、吸収体層５と保護膜３との間に形成され、吸収体層５の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜４とを備え、保護膜３は、ＺｒとＳｉとを含んだ化合物、若しくは、Ｚｒ及びＳｉと、ＯまたはＮのうちの少なくともいずれか１つとを含む化合物である。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを確実に認識でき、かつ製造工程を簡素化できる新規な多階調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスクは、アライメントマーク形成領域となるアライメントマーク部（Ｉ）とデバイス形成領域となるデバイスパターン部（ＩＩ）とで構成された多階調フォトマスク（２０）であって、前記アライメントマーク部（Ｉ）は、透明基板上（１）に半透過膜（２）とエッチングストッパー膜（３）と遮光膜（４）とがこの順序に積層されて最上層に前記遮光膜（４）が露出した相対的に反射率の高い部分と、前記透明基板上に前記半透過膜が積層されて最上層に前記半透過膜（２）が露出した相対的に反射率の低い部分とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロムからなる遮光性膜（上層）をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成されたタンタルを含む材料からなる半透光性膜と、
前記半透光性膜上に形成されたクロムと窒素とを含む材料からなる遮光性膜と、
を備え、
ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの歪みや位置ずれ等の発生を抑止ないしは解消することを可能とした、荷電粒子線露光用マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】上側のシリコンウエハ２００と下側のシリコンウエハ１００とを重ね合わせてなる２段構造を備え、前記下側のシリコンウエハ１００の表側には転写用パターンを形成し、前記上側のシリコンウエハ２００の表側には前記下側のシリコンウエハ１００の表側に形成したパターンを左右反転または上下反転させた転写用パターンを形成し、前記上側のシリコンウエハ２００の表側と前記下側のシリコンウエハ１００の表側とを、当該両シリコンウエハ１００、２００の転写用パターン３、６同士が合致するように貼り合せる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上のハーフピッチ６５ｎｍ以下のフォトリソグラフィにおいて、１枚のマスク上にバイナリパターン領域と、複数の位相シフトパターン領域とを有し、寸法精度、位置合わせ精度に優れた高品質の位相シフトマスクの製造方法とその製造方法による位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、半透過膜と遮光膜と、必要に応じて塩素系ガスのエッチングを停止する中間膜とを設け、ドライエッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスを交互に組み合わせて、順次、下層に損傷を与えないようにパターン化していく製造方法を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。
【解決手段】 基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの半透過領域に屈曲部が設けられている場合でも、露光量を適切に調整することができる薄膜トランジスタアレイ基板製造用フォトマスクを提供することである。
【解決手段】透明基板上に、ソース電極3b形成領域を覆うように配置される第１遮光パターン16と、ドレイン電極3c形成領域を覆うように配置される第２遮光パターン17と、第１遮光パターン16と第２遮光パターン17の間に配置され半透過領域19を構成する線状パターン18が形成されたフォトマスク15の半透過領域19には、屈曲部19aが設けられると共に、この屈曲部19aにおける第１遮光パターン16の角部16a、第２遮光パターン17の角部17a、線状パターン18の角部18a，18bの少なくとも一つの角部には、第１遮光パターン16と第２遮光パターン17と線状パターン18とから形成される隙間20，21を狭めるように膨出部16b，17bが形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光用マスク等の製造において、微細パターンを高いパターン精度で形成することができるマスクブランクを提供する。
【解決手段】基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を６０原子％以上含有する保護層を有する。前記ドライエッチング処理は、例えば酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理である。 （もっと読む）

【課題】 ハーフトーンマスクの製造が容易で多大な設備投資を必要としないハーフトーンブランクスを提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、半透過膜２、エッチングストッパー膜３、遮光膜４が順次形成されている。エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにするものである。遮光膜４はクロム又はクロム化合物で形成されている。エッチングストッパー膜３は、アルミニウムを主成分とする膜であり、にシリコン又はチタンが少量添加されている。 （もっと読む）

【課題】安いコストで１００％近いフィルファクターを達成するマイクロレンズを作製するためのグレイスケールレチクルの製造方法を提供する。
【解決手段】クオーツウエハ基板を準備するステップと、クオーツ基板の表面にＳＲＯ層を堆積するステップと、多段式のリソグラフィを用いて、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、最初のマイクロレンズを形成するステップと、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、ＳＲＯ層に凹部パターンを形成するステップと、ＳＲＯ層上に不透明薄膜を堆積するステップと、不透明薄膜をパターニングし、エッチングするステップと、平坦化層を堆積し、平坦化するステップと、クオーツウエハを選択したレチクルブランクよりも小さい大きさの長方形片に切断するステップと、を含む。撮像機器のマイクロレンズアレイは、以上のように製造したグレイスケールレチクルを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】マスク製造時に総合的に発生する大局的寸法変動を補正し、より高精度なマスクを製造する。
【解決手段】設計パターンに基づいて、パターン露光に供されるマスクを製造するためのマスクの製造方法であって、マスクの製造に使用する装置群（電子線露光装置，現像装置，エッチング装置）を用いた時の、マスク上の位置と寸法変動との相関関係及びパターンの特性と寸法変動との相関関係を予め調べておき、装置群を用いてマスクを作製する際に、各相関関係のデータを利用して、寸法変動が許容範囲となる小さな領域毎に設計パターンの寸法を一律に補正し、この補正したパターン寸法に基づいてマスクに所望パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】正確な階調表現が可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板(42)と、この基板に形成された一定ピッチ(P)の複数の溝からなる位相格子と、を備え、この位相格子の各溝の深さ又は幅が露光パターンを担うようにする。そして、このフォトマスクを照射する露光装置の露光光の波長をλ、結像系レンズの入射側開口数をＮＡｉとすると、Ｐ＜λ／ＮＡｉに設定する。それにより、格子が結像されなくなり、位相格子の各溝の深さや幅等で表現された露光パターンが感光材料に転写される。 （もっと読む）

【課題】中間調フォトマスクの形成時にアライメントマークを確実に認識できるようにする。
【解決手段】
透明基板の最表面に相対的に反射率の高い遮光膜が露出したマスクブランクスを準備して、マークパターン部に相対的に反射率の高い遮光膜４を含むアライメントマークパターン２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを形成すると共に、前記デバイスパターン部に第１のデバイスパターンを形成し、前記マークパターン部を遮蔽しつつ前記デバイスパターン部の表面に、相対的に反射率の低い半透過膜５を形成する工程と、前記アライメントマークパターンによってアライメントをとりつつ前記第２のレジスト膜に対して第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半透過膜及び前記遮光膜を一括してエッチングすることにより、前記デバイスパターン部に第２のデバイスパターン６を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスク表面に亘るエッチング速度の極めて均一な分布を実現するプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】プラズマリアクタは、円筒形側壁と、側壁の上にある天井と、側壁の上端上に支持され、天井を支持し、外面と内面とを備えたリングとを備えた真空チャンバを含む。複数の通路が外面から内面へとリング内を半径方向に延び、リングの円周に沿って間隔をあけて配置されている。チャンバ外部に在る外部ガス流導管装置はチャンバの円周に沿って延び、処理ガス供給源に結合されている。チャンバ外部に在る複数のガス流バルブは導管に沿って間隔をあけて配置された各々の位置でもって外部導管に結合され、その各々は（ａ）リングの外面の複数の通路の各々に結合された制御されたガス出口ポートと、（ｂ）バルブ制御入口とを有する。ガスバルブ構成コントローラは各バルブのバルブ制御入口を制御する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパラメータの複数の周波数制御を有するプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】リアクタは、リアクタチャンバと、チャンバ内のワーク支持部とを備えており、チャンバは、ワーク支持部に面する天井と、誘導結合ソース電力アプリケータ及び容量結合プラズマソース電力アプリケータとを有している。光ファイバのアレイは、その底面を通じてワークを見るために、ワーク支持部の支持面を通じて延びている。光学センサは、光ファイバの出力端に結合されている。リアクタは、誘導結合プラズマソース電力アプリケータ及び容量結合プラズマソース電力アプリケータによってチャンバ内のプラズマに同時に結合される電力の相対量を調整する光学センサに応答するコントローラを更に備えている。 （もっと読む）

【課題】平面なワークピースを処理するプラズマ処理システムは、前記システムのプラズマ処理チャンバに対するワークピースの回転位置を変更する能力を有するように提供される。
【解決手段】前記システムのワークピース搬送装置は、前記システムのリアクタチャンバに結合される。前記ワークピース搬送装置は、前記チャンバの各々の間でワークピースを搬送することが可能である。前記システムは、前記プラズマ処理システムの外部のファクトリ環境との間でワークピースを搬送する、前記ワークピース搬送装置に結合されたファクトリインタフェースをさらに備えている。前記ファクトリインタフェースは、（ａ）内部容積を規定するフレームと、（ｂ）前記内部容積内の前記フレーム上に支持された回転可能及び並行移動可能なアームと、（ｃ）該アームの外側端に取り付けられたワークピースハンドリングブレードと、（ｄ）ワークピースの回転を容易にする静止ワークピース保持用支持ブラケットとを備えている。 （もっと読む）

【課題】層又は層積層体内に異なる構造深さを有する構造が製造されかつ露光工程を１工程しか必要としないフォトマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板表面１０上に第１の露光感度を有する第１のレジスト材料２と第１の感度より低い感度の第２のレジスト材料３を塗布してレジスト積層体２０を製造する工程、レジスト積層体を局所的に異なる露光量に暴露する工程、レジスト積層体が第２の露光量に暴露された位置のみ基板表面を暴露させてレジスト積層体を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第１及び第２の構造層１１、１２をエッチングする工程、第２のレジスト材料を除去する工程、レジスト積層体が第１の露光量に暴露された位置の基板表面を露出させて第１のレジスト材料を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第２の構造層をエッチングする工程および第１のレジスト材料を除去する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能なフォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１０と、半透過性を有する半透過層２０と、半透過層２０上に形成され照射光を実質的に遮光する遮光層３３と、を備えたフォトマスク用基板２であって、半透過層２０は、遮光層３３よりもエッチング液Ａに対して不溶性又は難溶性であり、エッチング液Ｂに対して易溶性である窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ：ここで０＜ｘ＜１．３３）で形成される。一方、遮光層３３は、半透過層２０よりもエッチング液Ａに対して易溶性であり、エッチング液Ｂに対して不溶性又は難溶性の金属クロム（Ｃｒ）で形成される。エッチング液に対する各層のエッチング耐性が異なるため、他の層に損傷を与えることなく半透過層２０と遮光層３３を選択的にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）