【課題】回収溝に回収される処理液への他の種類の処理液の混入を防止することができる基板処理装置、高さ方向における小型化を図ることができる基板処理装置、大幅なコストアップを招くことなく、回収される処理液の種類の増加に対応できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。そして、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、互いに独立して昇降可能にされている。 （もっと読む）

【課題】転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜し、この薄膜の上方に化学増幅型のレジスト膜を成膜するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜が成膜される薄膜上の面に存在する有機酸の総量を１μｇ／ｃｍ²以下
とし、この面の上に前記レジスト膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に形成されたパターン化フィルムスタックを含む位相シフトフォトマスク及びフォトマスクを製造する方法が開示されている。
【解決手段】一実施形態において、フィルムスタックは、リソグラフィーシステムの照明光源の光に対して所定値の透明度を有する第１の層と、その光に実質的に透明でその光における所定の位相シフトを促す第２の層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デザインルール（ＤＲＡＭ ｈｐ６５ｎｍ以下）の転写用マスクを作製する際、レジストパターンの消失を防止し、パターン欠陥を防止できるマスクブランク、及びマスクを提供する。
【解決手段】基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるトポグラフィ効果から生じる限界寸法の変動を修正するように適合されたフォトレジストマスクのセットを作成する方法を提供する。
【解決手段】所定の構造的な組み合わせに関連するトポグラフィ効果から生じる限界寸法の変動を修正するために複数のルールが定められる。その後、製造されるべき半導体装置に存在する構造的な組み合わせに対応するルールにしたがってフォトレジストマスクのセットを作成する。前記複数のルールは、複数の試験パターンにしたがってリソグラフィプロセスにより試験ウェハ上に層を順次形成すること、形成された層及び１つまたはそれ以上の予め形成された層に関連するトポグラフィ効果から生じる限界寸法の変動を決定することおよび１つまたはそれ以上の以前の層を形成するために使用された１つまたはそれ以上の試験パターンを変更して前記限界寸法の変動に対して修正をすることにより定められる。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有する基板用石英ガラス基板の垂直方向の凹凸パターンの寸法を極力精度良くかつ基板全面にわたり均一に制御する。
【解決手段】石英ガラス基板の仮想温度分布が４０℃以下であり、かつハロゲン濃度が４００ｐｐｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】露光精度の向上を図ることができるＥＵＶ露光用ステンシルマスクを提供する。
【解決手段】ＥＵＶ露光用ステンシルマスク１９の少なくともＥＵＶ光が照射される側にＥＵＶ光を反射する多層膜反射層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過率の設計が比較的容易であり、複数のエッチング技術を要することなく、比較的簡便な工程で製造可能な多階調の階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜および透過率調整機能を有する半透明膜とを有する階調マスクであって、上記透明基板のみを有する透過領域と、上記透明基板上に上記遮光膜のメインパターンが設けられた遮光領域と、上記透明基板上に上記半透明膜の補助パターンのみが設けられ、上記半透明膜の補助パターンおよび開口部の少なくともいずれか一方が解像限界以下の寸法をもつ第２半透明領域とを有することを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】安価な製造コストで製造でき、残渣による位相欠陥を検出でき、かつ３次元形状効果を抑制できるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクのパターン設計方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０において、ハーフトーン位相シフト膜２は、透明基板１の主表面の一部を露出するように主表面上に選択的に形成され、３％以上３０％以下の透過率を有し、かつ露光光を実質的に逆位相にして透過するものである。遮光膜３は、透明基板１の主表面を露出する第１の開口部Ｒ１と、ハーフトーン位相シフト膜２の表面を露出する第２の開口部Ｒ２とを有し、第１および第２の開口部Ｒ１、Ｒ２の間に少なくとも位置している。 （もっと読む）

【課題】光透過率が互いに異なる５個以上の領域が存在する多重トーン光マスク、これの製造方法、及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法が開示される。
【解決手段】多重トーン光マスクは、ベース基板上に形成された光遮断層パターン、及び２個以上の半透過層パターンを含む。多重トーン光マスクは領域にしたがって互いに異なる値の少なくとも５種以上の光透過率を有する。したがって、製造工程の生産性及び薄膜トランジスタ基板の収率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法、およびそれに用いられるフォトマスクブランクスを提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスであって、前記遮光膜上に非感光性のシリコン系ポリマー層が塗布形成されており、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感光体を立体的に露光可能で、露光可能な面の制約が少ないフォトマスクを提供する、このフォトマスクを用いた感光体の露光方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクについては、露光ビームＢの透過領域５ａ及び非透過領域５ｂを有するマスク本体２と、当該マスク本体２の片面に設けられた反射構造体３を備える構造とする。露光方法については、反射構造体３にて反射された露光ビームＢを基板２１の表面と角度をなす面に導くという構成にする。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンを形状精度よく形成でき、パターン検査において十分なコントラストが得られ、高精度のパターン転写が可能な反射型マスク及び反射型マスクブランクスを提供する。
【解決手段】基板１１上に順次、露光光を反射する多層反射膜１２、バッファ層１３及び露光光を吸収する吸収体層を備え、該吸収体層は、最上層１５と、それ以外の下層１４とからなる積層構造となっており、最上層１５は、吸収体層に形成されたパターンの検査に使用する検査波長の光に対する反射率が２０％以下であり、かつ下層へのパターン形成の際のエッチング条件に対し耐性を有する無機材料で形成されている。多層反射膜１２表面、バッファ層１３表面、吸収体層表面の順に、検査光に対する反射率が順次下がる。 （もっと読む）

本開示は、露光波長において放射に対して透明である、または放射を透過する基板２１０に塗布された放射感応性層中に潜像を形成することに関する。特に、それは、いわゆる裏面リソグラフィに関し、そこでは、透明基板１１０の第１の面を通して電磁放射を投射し、透明基板の第１の面とは反対側の第２の面を覆う放射感応性層２１４を露光するために、露光システムの最終レンズ１０１が配置される。潜像（画像又はその反転画像）に対応する放射不透層を形成する、さらに処理するための５つの代替の実施例が説明される。これらの方法及びそれに対応するデバイスは、マスク（時にはレチクルと呼ばれる）を生成し、半導体デバイス中に潜像を生成し、マスクを使用して半導体デバイスのフィーチャを形成するために有用である。
（もっと読む）

【課題】吸収体層をエッチングして露光転写パターンを形成する際の反射率低下を防止可能な反射型フォトマスクブランク及び製造方法、反射型フォトマスクブランクに露光転写パターンを形成した反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成され、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上に形成され、多層反射膜２を保護する保護膜３と、保護膜３上で、露光光を吸収する吸収体層５と、吸収体層５と保護膜３との間に形成され、吸収体層５の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜４とを備え、保護膜３は、ＺｒとＳｉとを含んだ化合物、または、Ｚｒ及びＳｉと、Ｏ若しくはＮのうちの少なくともいずれか１つとを含む化合物、または、Ｒｕ、Ｃ、若しくはＹのうち少なくともいずれか１つを含む単体若しくは化合物である。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用のフォトマスクに適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク１０であって、基板１２と、金属シリサイドを材料として基板１２上に形成された遮光膜１４と、酸化又は酸窒化された金属シリサイドを材料として遮光膜１４の上に形成された上層膜１６とを備え、遮光膜１４及び上層膜１６は、上層膜１６上に形成されるレジスト膜１８をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、レジスト膜１８は、上層膜１６上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、上層膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて形成され、上層膜１６の膜厚は、５０〜３００オングストロームである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板のエッチング時における遮光膜の断面形状の劣化を抑える。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光用のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランク１０であって、透光性のガラス基板１２と、ハーフトーン膜１４と、遮光膜１６とを備え、ハーフトーン膜１４は、露光波長における透過率が１０％以上４０％以下、かつ透過光の位相シフト量が１４０°以下となる膜厚の、金属と珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主たる構成要素とする膜であり、遮光膜１６は、窒素及びクロムを含む層を少なくとも有し、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、光透過部２２の透過光と、半透光部２４の透過光との位相差が略１８０°となるように、ガラス基板１２において光透過部２２となる部分はエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】今後のＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクの高品質化の障害を抑制したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク１０であって、透光性の基板１２と、基板１２上に形成された、ｉ線からｇ線に渡る波長領域の光に対して透光性の透光性膜１４と、透光性膜１４上に形成された、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料で形成された遮光膜１６とを備え、遮光膜１６は、ウエットエッチングによりパターニングされる膜であり、透光性膜１４は、遮光膜１６とエッチング選択性を有する材料の膜である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、階調マスクを高精度に作製することができる階調マスクの製造方法、およびそれにより得られる高精度な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板上に遮光膜と透過率調整機能を有する半透明膜とがこの順に積層され、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に上記遮光膜および上記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、上記遮光領域および上記半透明領域が少なくとも一辺で接する境界部分を少なくとも有し、上記境界部分近傍にて、上記半透明膜のパターンの少なくとも一辺が上記遮光膜のパターン上に配置されており、上記遮光膜および上記半透明膜が互いに異なる種類の金属を含有することを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】転写マスクで発生するＢＯＸ層の圧縮応力及び致命的欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスク及び転写マスクブランク並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することを目的とする。
【解決手段】転写マスクブランク１０は、開口部１２が形成された単結晶シリコンからなる支持基板１１の開口部１２上にメンブレン形成領域６１とメンブレン支持領域６２とからなるメンブレン３１ａが設けられており、メンブレン３１ａのメンブレン支持領域６２はＢＯＸ層２１ａを介して支持基板１１に接合されている。なお、支持基板１１には表裏重ね合わせ用マーク５１ａが形成されている。 （もっと読む）