【課題】半導体素子等の製造プロセスにおいて、フォトマスクを用いた複数の露光工程でそれぞれ形成されるパターン間のずれを抑制する。
【解決手段】フォトマスク６０を、デュアルダマシン配線構造のトレンチ及びその内側に配置されるコンタクトホールそれぞれのパターニングに共用可能とする。フォトマスク６０は、第１遮光層６４及び第２遮光層６６を積層される。第１遮光層６４は、第１照射光に対して遮光性を有すると共に、トレンチに対応した開口部６８を有する。第２遮光層６６は、第２照射光に対して遮光性を有し、かつ第１照射光に対して透過性を有すると共に、コンタクトホールに対応した開口部７０を有する。フォトマスク６０に第１照射光を照射すれば、トレンチのパターンを露光でき、第２照射光を照射すればコンタクトホールのパターンを露光できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板２１と、この基板の一面に設けられて所定のパターン形状を有する遮光膜１６ａと、基板の一面に、遮光膜が設けられている領域を残して設けられた凹部２４と、を有するアライナ用露光マスク２０である。凹部は、このアライナ用露光マスクを用いて被露光物を露光する際に、被露光物の表面に付着した異物を収容する収容部となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク等の遮光材料の製造に好適であり、表面の平滑性が高い金属パターン材料が得られる製造方法、及び、該製造方法により得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）ガラス基板上に、金属粒子との相互作用を形成しうる官能基、或いは、金属イオン又は金属塩との相互作用を形成しうる官能基を有し、且つ、少なくとも該ガラス基板に片末端で直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（Ｂ）前記ポリマー層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンの形成領域及び非形成領域のいずれか一方の領域におけるポリマー層に、金属粒子を含有する領域をパターン状に形成する工程と、を有することを特徴とする金属パターン材料の製造方法、及び該製造方法により得られた金属パターン材料。 （もっと読む）

【課題】
高精度のパターンを備え、迷光を低減できるフォトマスクを効率的に製造できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】
フォトマスクの製造方法は、（ａ）透明基板上方に、遮光膜、ハードマスク膜を含む積層を形成する工程と、（ｂ）積層上に、ネガ型レジスト層を形成し、主転写パターンを含む第１のレジストパターンを形成する工程と、（ｃ）第１のレジストパターンをエッチングマスクとしてハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、第１のレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）透明基板上方にポジ型レジスト層を形成し、ハードマスクパターンを露出する開口と周辺領域に配置された遮光パターンを含む第２のレジストパターンを形成する工程と、（ｅ）開口内のハードマスクパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光吸収層上にハードマスク層を形成することにより、光吸収層の形状変化を生じさせないようなエッチング条件であるために反射コントラストの低下を防止し、微細な光吸収層パターンを形成でき、歩留まりの向上が図れる反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射層と、多層反射層上に形成された保護層と、保護層上に形成された光吸収層と、保護層と光吸収層との間に形成された緩衝層と、光吸収層上に形成されたハードマスク層と、を有し、ハードマスク層は、光吸収層のエッチング条件に対して耐性を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、目的とするパターン状に高精細に遮光膜および半透明膜が形成された階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、および上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜もしくは窒化金属膜であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク上に、垂直側面プロファイルを有する微細なエッチング対象膜パターンを形成するためのブランクマスク及びこれを用いるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】石英基板のような透明基板１００上に光遮断膜１１０、炭素膜１２０、レジスト膜１４０が配置される。光遮断膜１１０は、透過される光を遮断できる物質、例えば、クロム（Ｃｒ）膜からなる。ここで、炭素膜１２０とレジスト膜１４０の間に、酸化膜１３０がさらに配置されることができる。炭素膜１２０は、例えば、非晶質炭素膜からなる。製造方法は、レジスト膜に露光し、レジストパターンを形成、次に、該レジスト膜パターンをマスクに、酸化膜をエッチング、次に、酸化膜パターンをマスクに炭素膜をエッチング、次に、炭素膜パターンをマスクに光遮断膜をエッチングし、光遮断膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】グレートーンブランクマスク、グレートーンフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に少なくとも金属を主成分とする半透過膜と、遮光膜または反射防止膜が積層されてなるグレートーンブランクマスクにおいて、半透過膜の湿式エッチング工程時に低いエッチング液温度でエッチング速度を高めるために、本発明の半透過膜は、金属を主成分とし、前記半透過膜を製造時に金属の化合物で製造されることが好ましい。上記の方法による本発明のグレートーンブランクマスクは、エッチング選択比に優れており、エッチング後に半透過膜の残膜が全く残らなく、半透過膜の表面粗さ及び面抵抗が良好であり、湿式エッチング工程が安定しており、エッチング速度調節が容易であり、クロムエッチング液及び洗浄液などの化学薬品に対する耐化学性に優れている。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、マスクブランクス上に遮光部及び透光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、半透光部に対応する領域の透明基板を露出させる工程と、残存したレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜することにより、半透光部を形成する工程と、遮光部及び半透光部に対応する領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンデータを短いターン・アラウンド・タイムで設計でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【解決手段】本発明の例に関わるパターンデータ作成方法は、パターンデータを含む修正対象箇所を修正するための修正案を少なくとも１つ以上生成するステップ（ＳＴ２）と、修正案に基づく修正により生じる修正対象箇所のパターンデータの形状の変化又はパターンデータに基づいて形成されるパターンの電気的特性の変化を評価項目として、修正案の評価を行うステップ（ＳＴ３）と、修正案の評価結果に基づいて、前記修正案の中から所定の修正案を選択するステップ（ＳＴ４）と、修正対象箇所を選択された修正案によって修正するステップ（ＳＴ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面へのビーム照射若しくはレーザ光照射を伴う方法で仕上げ加工されるガラス基板表面から異物を除去する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板表面から異物を除去する方法であって、前記ガラス基板表面に対して、加速電圧５〜１５ｋｅＶでガスクラスタイオンビームエッチングを施すことを特長とするガラス基板表面から異物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】 チップの設計段階でＯＰＣ処理結果を得ることができ、マスク作製に要するトータルの時間を短縮する。
【解決手段】 半導体集積回路の設計レイアウトからウェハ上で所望形状が得られるようにマスクパターンを生成するマスクパターン作成方法であって、入力した設計レイアウトに対しプロセス近接効果補正を行い（Ｓ11）、その結果に基づいて、ウェハ上での仕上がり平面形状に対する評価値を算出し（Ｓ12）、評価値が所定値を満たしているか否かを判定し（Ｓ13）、評価値が所定値を満たさないと判定された場合に、その位置座標と評価値の少なくとも一つに基づいて、設計レイアウトの修正を部分的に行った後にＳ11の工程に戻り、評価値が所定値を満たすと判定された場合に、Ｓ11で得られたプロセス近接効果補正の結果又はＳ12で得られた評価値のうち少なくとも一つを出力する（Ｓ15）。 （もっと読む）

【課題】 パターンの形状や寸法差や粗密差に関係なく、変換差を低減でき、しかもホール・ドットの形状差を低減できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 クロムを含む材料からなるクロム系薄膜を有する被処理体における前記薄膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、かつ、ハロゲン含有ガスと酸素含有ガスを含むドライエッチングガスに、プラズマ励起用パワーを投入してプラズマ励起させ、生成した化学種を用いて前記薄膜をエッチングする。前記薄膜のエッチングを、前記プラズマ励起用パワーとして、プラズマの密度ジャンプが起こるプラズマ励起用パワーよりも低いパワーを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することが可能とする。
【解決手段】第１工程が、第１のレジスト膜４に、主開口部５及び補助開口部６に対応するパターンを露光し、現像して第１のレジストパターン４ａを形成する工程を有する。第２工程が、第１工程において得られた基板上に第２のレジスト膜７を形成する工程と、補助開口部６に対応するパターンを露光し、現像して第２のレジストパターン７ａを形成する工程と、第２のレジストパターン７ａをマスクに、透明基板１の一部を、主開口部５と補助開口部６とを通過する光の位相が所定角度異なるような深さにエッチングする工程と、残存した第２レジストパターン７ａを剥離する工程とを有する。第３工程が、第２工程で得られた基板におけるエッチングマスク層３ａの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】遮光部２１と、透光部２２と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部２３とを有するグレートーンマスク２０の欠陥修正方法であって、半透光部２３が半透光膜２６により形成され、半透光部２３において欠陥領域を特定する工程と、欠陥領域に半透光膜と異なる組成の修正膜２７を形成する工程とを有する。この修正膜形成工程においては、所定波長の露光光に対する修正膜の光透過率特性を予め把握し、把握した修正膜の光透過率特性に基づき、所定波長の露光光に対する修正膜２７の光透過率が半透光膜２６と略等しいものとなる条件を適用する。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパ層に起因した反りを低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造が可能なマスクブランクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のマスクブランクは、基板上に凹部を設け、該凹部を埋めるようにエッチングストッパ層を設け、該基板および該エッチングストッパ層の上部に平坦な薄膜層を設けたことを特徴とする。本発明の構成によれば、転写マスクの開口部を設ける部位に、凹部を設けることで、該凹部を埋めるエッチングストッパ層は、開口部を形成する位置のみに形成されることになる。このため、基板全面にエッチングストッパ層を形成するよりも、エッチングストッパ層に起因した反りを低減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のパターニングを行う工程に際して、半透過膜であるＩＴＯ膜が損耗することを抑制できる露光マスクブランクを提供する。
【解決手段】露光マスクブランクは、ＩＴＯ半透過膜と遮光膜との間に、エッチングストッパ膜を備えたことを特徴とする。本発明の構成によれば、遮光膜のエッチングに対して耐性のあるエッチングストッパ膜を設けた構成となるため、遮光膜のエッチング時にＩＴＯ半透過膜が損耗することを抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】高品質のＴＦＴを製造することが可能なハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜をパターニングすることによって形成された遮光部、透光部及び半透光部を含む薄膜トランジスタ基板用パターンを有する薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであって、該マスクを使用して薄膜トランジスタ基板におけるチャネル部形成領域がソース及びドレイン形成領域よりも薄くなるようなレジストパターンを形成するためのグレートーンマスクにおいて、上記薄膜トランジスタ基板用パターンは、ソース及びドレインに対応するパターンが遮光部から形成され、チャネル部に対応するパターンが半透光部から形成され、遮光部は透明基板上に形成された遮光膜上の少なくとも一部に半透光膜が積層してなり、半透光部は透明基板上に半透光膜が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの額縁部の透明導電膜からの電圧リーク防止用の絶縁膜を透明導電膜上に形成する際に、工数を増やさず絶縁膜を形成するフォトマスク、電圧リーク防止したカラーフィルタの製造方法。
【解決手段】周辺駆動回路６２と対向するカラーフィルタ上の部位に設ける電圧リーク防止用の絶縁膜５７に対応したフォトマスク上にハーフトーン部３２を有すること。透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】帯電によるパターンの描画異常を抑制し、かつ多段の微細な３次元構造パターンを形成するのに適したパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、段差を有する基板上に、導電性を有する非水溶性の樹脂からなる樹脂層を形成することを特徴とする。本発明の構成によれば、段差を埋める樹脂層は非水溶性かつ導電性を有するため、樹脂層は帯電防止層として働く。このため、荷電粒子線を用いてパターニングを行うとき、樹脂層上のレジストに描画異常が発生することを抑制することが出来る。 （もっと読む）