【課題】遮光性膜のパターニングの解像性を高める。
【解決手段】化学増幅型レジスト膜２０が形成されるマスクブランク１０であって、基板１２と、基板１２上に形成された遮光性膜１３と、化学増幅型レジスト膜２０の失活を抑制するために遮光性膜１３上に形成されたレジスト下地膜１８とを備え、パターニングされた化学増幅型レジスト膜２０をマスクといて遮光性膜１３をエッチングする場合に、失活抑制膜１８のエッチングレートが化学増幅型レジスト膜２０のエッチングレートよりも速い。 （もっと読む）

【課題】パターン異常を生じさせずに繰り返しパターンが描画できるパターン描画方法及びフォトマスク製造方法、並びにフォトマスクを得、パターン描画の精度向上を図る。
【解決手段】基板上の描画領域に所定のビーム幅を有するエネルギービームを走査させ、前記基板上の描画領域に所定のパターンを描画する際に、エネルギービームを第１の方向（Ｘ方向）に主走査するスキャン動作を第１の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、描画領域に所定のパターンを描画し、次いで、基板とエネルギービームとを基板平面の法線方向を軸として相対的に所定角度回転させ、さらに、エネルギービームを第１の方向とは異なる第２の方向（Ｙ方向）に主走査するスキャン動作を第２の方向とは異なる副走査方向に沿って繰り返し行い、先のパターンを所定角度回転させて得た変換パターンを描画領域に描画するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターンを食刻するに用いられるハードマスクを形成する物質として非晶質炭素の代わりに用いることができる耐熱性の強い有機系高分子、及びこれを含む組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、次世代半導体素子の製造に必要なハードマスク用高分子、及びこれを含む組成物に関し、半導体素子の被食刻層パターンを形成するにおいて耐熱性の強いポリアミック酸を利用し、簡単なスピンコーティング方式及び追加的な熱工程によりポリアミック酸膜を形成させてハードマスクに利用することにより微細パターンの食刻を容易にする。 （もっと読む）

本発明は真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する方法を提供する。同方法は、真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する前に同基体を目標温度にまで冷却し、同真空室に少なくとも１種類のプロセス・ガスを導入し、同基体が目標温度に達したならば同プロセス・ガスからのプラズマを着火してそれによって同基体を処理し、そして同処理が終了したならば同基体を同真空室から取り出す。
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【課題】レジスト膜を剥離する工程に必要な時間を低減する。
【解決手段】マスクブランク１０であって、基板１２と、基板１２の主表面上に形成された遮光性膜（転写パターンとなる転写パターン用薄膜）１４と、基板１２の主表面のうち、基板１２の端面に沿った基板周縁部３２を除いた領域において、遮光性膜１４上に形成されたポジ型のレジスト膜１６とを備え、レジスト膜１６における基板周縁部３２に沿った外周部３４は、露光処理されている。 （もっと読む）

【課題】 位相シフトマスクの製造において、基板を掘り込んで位相差を形成するためのエッチングマスクを提供する。
【解決手段】 位相差を形成するためのエッチングスマスク３００はガラスもしくは石英の層３１０、エッチング停止層３８０、ポリマー層３３０、ハードマスク３２０より構成される。レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。このエッチングマスクを用いてガラスもしくは石英の層３１０をエッチングして１８０°の位相差を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ６５ｎｍ以下といった微細なデザインルールに対応することができるマスクブランクスおよび転写マスクを提供すること。
【解決手段】 透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。このため、ライン幅あるいはスペース幅が６５ｎｍ程度のデザインルールに対応する際、レジスト膜１４の現像時にレジストパターン１４０の倒壊が発生しないようにレジスト膜１４の膜厚を低減してアスペクト比を４以下、好ましくは３以下に抑えた場合でも、遮光性膜１２のエッチングが完了するまで、レジストパターン１４０はエッチングされずマスクとしての機能を発揮する。 （もっと読む）

【課題】デバイスのリソグラフ処理に適した位相シフトマスク、そのようなマスクを作る方法を提供する。
【解決手段】位相シフトマスク１００は、
位相シフト領域１０６，１０８を備え、位相シフト領域をエッチングして形成する際に、溝バイアス、光阻止バイアスなどのマスクパラメータを、位相シフトマスク１００を用いるリソグラフ処理に使用されるしきい値または照射量を考慮して選択して作られるようにして、イメージ不均衡を、焦点露出処理ウィンドウ内で低減させる。 （もっと読む）

【課題】炭素ハードマスクを用いてクロムをエッチングし、微小寸法を制御したフォトマスクの形成方法が提供する。
【解決手段】クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。パターン化された炭素ハードマスク層を介してクロム層をエッチングする方法は、フォトマスクを製造するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】吸収膜の大幅な低反射率化、成膜工程の複雑化を必要とせずに、吸収膜の欠陥検査が可能であるとともに、緩衝膜の剥離時に生じる欠陥に対しても、検査が可能な極端紫外線露光用マスクを提供すること。
【解決手段】基板上に形成された多層膜からなる露光光の高反射部と、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に緩衝膜を介してパターン状に形成された吸収膜からなる低反射部とを具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝膜を剥離する前の、前記多層膜、キャッピング膜及び緩衝膜からなる部分の、波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの紫外線に対する反射率が、前記吸収膜を含む部分の反射率より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハに転写される回路パターンの高いパターニング精度を実現しつつ、大幅なコストアップ無しに“迷光”の影響を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板２０１上に、位相シフト層２０２、遮光層２０３およびネガ型のレジスト層２０４を順次形成する工程と、次いで、前記ネガ型のレジスト層に対して第１の露光および現像を行い、前記転写パターンに応じたパターンを含む第１のレジストパターン２０４Ｐを形成する工程と、次いで、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光層をエッチングして遮光帯を含む遮光パターンを形成する工程と、次いで、前記第１のレジストパターンを除去した後、前記遮光帯の外側の光吸収パターンに応じたパターンを含むポジ型のレジストパターンを用いて、位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 転写するためのパターンとして、貫通孔パターンをメンブレンに配設したステンシルマスク型の荷電粒子線用転写マスクで、所望とする貫通孔パターン形成領域の形状の変形を小さくすることができる荷電粒子線用転写マスクを提供する。
【解決手段】 各貫通孔パターンＰａｉがメンブレンに形成されたことにより、メンブレン面における剛性のバランスが崩れて、各貫通孔パターンを構成する各貫通孔に位置ずれが生じた際に、その位置ずれを低減する為の、マスクにおける剛性分布調整構造として、前記貫通孔パターンＰａｉの外周側であり、かつ、他の貫通孔パターンとは重ならないメンブレン領域に、該貫通孔パターンＰａｉの、貫通孔の密度（粗密）に依存して、メンブレンを貫通しない所定の深さにて、メンブレンにパターン状にあるいはベタ状に、エッチング加工により薄肉化された１以上の、転写されない薄肉部群からなる付加薄肉パターンを設けている。 （もっと読む）

【課題】自立メンブレン内のマージン領域（スカート部）に非貫通の位置座標測定用パターンを設けることにより、ウェハ上に転写される回路パターン位置を補正できるようにした荷電粒子用転写マスク及びその製造法並びにその荷電粒子用転写マスクを用いた転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】荷電粒子用転写マスク１００は、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凹部からなる未貫通の位置座標測定用パターン１５ａ、もしくは凸部からなる未貫通の位置座標測定用パターン５１ａとが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】パターンの寸法ばらつきを改善するドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】真空中に多層膜を有するエッチング対象物を配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングするドライエッチング方法であって、上層膜側から数えて第ｎ層（ｎは２以上の自然数）の膜（３）のエッチングと第ｎ＋１層の膜（２）のエッチングとの間に、第ｎ−１層の膜（４）のパターン寸法をほとんど変化させずに前記第ｎ層の膜のテーパ部分を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の特徴を含むパターンをプリントするためのマスクを作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 （もっと読む）

【課題】基板１上に、露光光の高反射部となる多層膜２と、多層膜を保護するキャッピング膜３と、多層膜２及びキャッピング膜３を保護する緩衝膜４と、低反射部となる吸収膜５とが順次形成された極端紫外線露光用マスクブランクにおいて、光吸収膜５と緩衝膜４の材料を特定してドライエッチングガス条件での選択性を持たせることによって緩衝膜４のオーバーエッチングを防ぐことのできる極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びにそのマスクを用いたパターン転写方法を提供する。
【解決手段】前記緩衝膜４がTa又はNbのいずれか一方と、酸素とを主たる成分元素とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるＥＵＶマスクの不都合点を克服するＥＵＶマスク、特に、より容易に検査できるＥＵＶマスクを提供する。
【解決手段】隆起部と、この隆起部の間にある溝部とを有するＥＵＶマスクであって、熱膨張係数が非常に低い基板と、例えばモリブデンおよびシリコンからなる多層と、例えばシリコンからなるキャッピング層と、を少なくとも有している。ＥＵＶマスクの隆起部は、連続した導電性の層の上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程に用いる露光装置で使用されるマスクを短時間で簡易に製造することを可能とするマスク製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの製造方法において、露光パターン形成装置を制御して露光パターンを形成し、前記露光パターンをエマルジョンプレート１１に照射してその照射部分を露光し、現像することによって、エマルジョンプレート１１からエマルジョンマスクを製造する。前記露光パターン形成装置には光源３が縦横に並設され光源３の各々の発光を独立制御可能な光源アレイを使用し、光源３の各々の発光を独立に制御して前記光源アレイの光源３によって露光パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】透明基板の両面にパターンを有する両面マスクの作製方法において、透明基板の一方の面に形成されたパターンを保護するための保護層を設けた両面マスクの作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１１の一方の面にメインパターン２１ａを形成し、透明基板１１の他方の面に遮光層２２及びレジスト層３２を形成し、パターン描画してパターン潜像が形成されたレジスト層３２ａを形成した後に透明基板１１の一方の面に保護層４３を形成し、透明基板１１の他方の面の遮光層２２をパターニング処理して、保護層４３を除去し、透明基板１１の一方の面にメインパターン２１ａが、他方の面にパターン２２ａが形成された両面マスク１００を作製する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用石英基板を均一性良くエッチングする方法を提供する。
【解決手段】エッチングチャンバにフィルムスタックを提供するステップであって、該フィルムスタックが、パターン層を介して部分的に暴露された石英層を有するステップと、少なくとも１つの過フッ化炭化水素プロセスガスを処理チャンバに提供するステップ２０４と、６００ワット未満の複数の電力パルスによって該処理チャンバの基板サポート上に配置された石英層をバイアスするステップ２０６とパターニングされたマスクを介して石英層をエッチングするステップ２１０とを含む。 （もっと読む）