【課題】良好な導電性とレジスト膜の濡れ性を有する積層構成のハードマスク膜を備え、とくにＣＤ均一性に優れたマスク製造が可能であるマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板１上に、クロムを主成分とする材料で形成された遮光膜２を有し、該遮光膜２に転写用パターンを形成する際に電子線描画用レジスト膜５を用いるマスクブランク１０であって、上記遮光膜２の上面に、ケイ素の窒化物又は酸窒化物を含む材料で形成されるエッチングマスク膜３が形成され、該エッチングマスク膜３の上面に、フッ素系ガス及び塩素と酸素の混合ガスによってドライエッチングが可能である導電性材料で形成される導電性マスク膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクブランクの欠陥に由来するパターン欠陥を好適に低減させたフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】微細な位相シフト部を高いＣＤ精度で基板上あるいは位相シフト膜上に形成できるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板１に透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から前記基板を掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板表面の転写パターン領域の外周領域に形成され露光光を遮光する遮光部１３と前記透光性基板表面の転写パターン領域に前記掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜２０ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを形成しうるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上に、遮光材料、光重合開始剤、エチレン性不飽和化合物、及びバインダーポリマーを含む感光層と、酸素遮断性層とを順次備えるフォトマスブランクスを画像露光する露光工程と、感光性層及び酸素遮断性層の未露光領域を除去する現像工程と、水洗工程とを有し、該現像工程における、露光後のフォトマスクブランクスに、フォトマスクブランクス表面での圧力が１〜１０ｋＰａとなるように現像液を接触させる高圧現像処理工程、及び、該水洗工程における、現像後のフォトマスクブランクス表面に、表面での圧力が１〜１０ｋＰａとなるように水洗水を接触させる高圧水洗工程、の少なくとも一工程を実施するフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを形成しうるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上に、遮光材料、光重合開始剤、エチレン性不飽和化合物、及びバインダーポリマーを含む感光層と、酸素遮断性層とを順次備えるフォトマスブランクスを画像露光する露光工程と、感光性層及び酸素遮断性層の未露光領域を除去する現像工程と、水洗工程とを有し、該現像工程及び現像後の水洗工程の少なくとも一工程において、５０ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの超音波処理を実施するフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】透光部と、露光光を露光に寄与しない程度に遮光する遮光部と、露光光に対し、透光部の透過率より低く、遮光部の透過率より高い透過率を有し、露光に寄与する透過率を有する半透光部とを有するグレートーンマスクを、透明基板上に、半透光膜、半透光膜の反射率を調整する反射防止膜である第一反射防止膜、及び遮光膜を備え、これらの膜が、上記透明基板側から、半透光膜、第一反射防止膜、遮光膜の順に形成されてなるグレートーンマスクブランクを素材とし、半透光部と遮光部とを、各々、半透光膜及び第一反射防止膜を含み、遮光膜を含まない半透光部と、半透光膜、第一反射防止膜及び遮光膜を含む遮光部とで構成する。
【効果】半透光膜の上に半透光膜の反射率を調整する反射防止膜を形成することによってパターン形成後の半透光部の反射率を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に形成するパターンの寸法を精度良く制御できる反射型マスクおよび半導体デバイスの製造方法を得ること。
【解決手段】照射されるＥＵＶ光をマスクパターンの形状に応じた位置で反射することによってマスクパターンの形状をウェーハ上に縮小転写するマスクにおいて、ＥＵＶ光が照射される側の面である上面側に配置されてＥＵＶ光を反射する反射膜５と、反射膜５の上面側に配置されるとともに反射膜５の全面を被覆するバッファ層３と、バッファ層３の上面側に配置されるとともに、照射されるＥＵＶ光を吸収する吸収体２によってマスクパターンが形成された非反射層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】先端部を先鋭に尖らせ易い尖頭形状部の形成方法を提供すると共に、先端部を先鋭に尖らせた微細構造体を容易に製造することができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】濃度調整領域の濃度分布を調整してグレースケールマスク２５を作製し、基材２１上に形成されたフォトレジスト層２３を、グレースケールマスク２５を用いて露光して現像することにより、濃度調整領域及び濃度分布に応じて、先端部側ほど平面視形状及び側面視形状が細くなる尖頭形状部３０を基材２１上に形成する方法であり、グレースケールマスク２５は、尖頭形状部３０の目標形状に対応する基準濃度調整領域よりも先端部の角度を小さくしたり、尖頭形状部３０の目標形状に対応する基準濃度分布よりも先端部の濃度分布の勾配を小さくする。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ（ｈｐ）３２−２２ｎｍ世代に必要なエッチングマスク層の薄膜化と、遮光帯の光学濃度設計の自由度確保を両立できる位相シフトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】位相シフト部は、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜１０を備え、前記透光性基板の反対側の表面には、エッチングによって転写パターン領域以外の領域で透光性基板を透過する露光光を遮光する遮光部（遮光帯）を形成する遮光膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの粗パターンと密パターン間の大きさの差が発生するローディング効果の減少のために、透明基板上に少なくとも湿式エッチングが可能なエッチング阻止膜と遮光膜または遮光膜と反射防止膜を積層した後、少なくともエッチング阻止膜または遮光膜と同じエッチング特性のハードマスク膜を積層し、フォトレジスト厚さを薄くコーティングしたのち露光、現像及びハードマスク膜のエッチング後に、フォトレジストパターン及びまたはハードマスク膜をマスクとして少なくとも遮光膜パターンの形成時にエッチングマスクとしたハードマスク膜を除去することを特徴とするブランクマスクと、フォトマスク及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】より高精度なパターン寸法及び位相差の制御を損なうことなく、表面におけるヘイズの発生を十分に抑止し、信頼性の高い高品質の位相シフトマスクを実現する。
【解決手段】遮光膜３をハードマスクとして用いて位相シフタ層２を加工するに際して、ステップＳ４₁では、ＳＦ₆及びＨｅの混合ガスを第１のガスとしてエッチングガスに用い、位相シフタ層２をドライエッチングし、ステップＳ４₂では、ＣＦ₄及びＨｅの混合ガスを第２のガスとしてエッチングガスに用い、Ｓ層１ａをドライエッチングしてこれを除去する。 （もっと読む）

【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。
【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。 （もっと読む）

【課題】マスク再作成を行わなくてもドライエッチングによって所望の寸法のパターンが得られるマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマスクの作製方法は、ドライエッチング装置のエッチング条件の過去のエッチング実績であるパターン密度と変換差を用意し、前記パターン密度と前記変換差を基に、パターン密度と変換差の関係による依存傾向を導き出し、マスクを作製しようとしている対象製品のパターン密度を設計データから算出し、その算出されたパターン密度と前記依存傾向から変換差を決定し、前記変換差を用いてマスクのパターン寸法を設計し、その設計に基づいてマスクを作製することを特徴とする。前記パターン密度とは、ウエハの全面積に対するパターンの合計の開口面積の割合（％）であり、前記変換差とは、レジストパターンの寸法と、得られたパターンの寸法との差である。 （もっと読む）

【課題】３階調を超えるフォトマスクとして用いることが可能な多階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、遮光部、透光部、及び露光光透過率を所定量低減させる半透光部からなるマスクパターンを有し、上記遮光部は、少なくとも透明基板上に形成された遮光膜により形成され、上記透光部は、露出した透明基板により形成され、上記半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によりなる第１半透光部と、透明基板上に半透光膜の微細パターンと遮光膜の微細パターンと微細隙間とからなる露光条件下における解像限界以下の線幅をもつ微細パターンが形成されてなる第２半透光部、又は半透光膜の微細パターンと遮光膜の微細パターンとからなる露光条件下における解像限界以下の線幅をもつ微細パターンが形成されてなる第３半透光部とを有している多階調フォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。
【解決手段】光学的に透明な基板１１の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜１５上に遮光性膜１２が設けられており、この遮光性膜１２が第１の遮光性膜１３と第２の遮光性膜１４を順次積層させて構成されている。第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、Ｃｒを主成分とする膜厚３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の層からなる。また、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする膜である。そして、第１遮光性膜１３と第２遮光性膜１４と光学膜１５は、光学濃度の総和が２．５以上となるように選択される。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果を引き起こすことを回避できる位相シフトマスクブランク等を提供する。
【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素を含む位相シフト膜と、前記位相シフト膜のエッチングに対して耐性を有する材料で構成された遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機材料で構成されたエッチングマスク膜と、が順に形成された位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜の膜厚をｔ_１、前記位相シフト膜を、前記エッチングマスク膜及び前記遮光膜をマスクとしてエッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ_１、前記エッチングマスク膜の膜厚をｔ_２、前記エッチングマスク膜が、前記エッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ_２としたときに、（ｔ_１／ｖ_１）≦（ｔ_２／ｖ_２）であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】トップハーフ型の多階調フォトマスクにおける遮光膜及び半透光膜の形状精度を高め、かつ膜構成を簡単にする。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスク２７は、透明基板２１上に形成され、露光光の一部を透過させる半透光部Ａ、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の全部を透過させる透光部Ｃとを含んでいる。そして、遮光部Ｂは、少なくとも２層の遮光膜のパターン２３ａ，２４ａが上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有している。上層遮光膜のパターン２４ａの材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、下層遮光膜のパターン２３ａの材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、透明基板２１の一部及び上層遮光膜２４のパターンの表面に半透光膜のパターン２２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバークリーニングの前半はＣｌ₂ を用いたＣｌ₂ クリーニングであり、後半はＯ₂ を用いたＯ₂ クリーニングであり、該Ｃｌ₂ クリーニングと該Ｏ₂ クリーニングとの間に真空引きを行うこと。前記Ｃｌ₂ クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うこと。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できる真空紫外光用メタルマスクを提供する。
【解決手段】パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク１０であって、金属薄板からなり、開口部２を有するメタルマスク本体１と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分３とを有し、かつ、上記パターン形成用基板１０１上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されている。 （もっと読む）