【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】３次元構造パターンを形成するパターン形成方法であって、基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第１の異方性エッチングを行う工程と、既に段差を備えた前記第１の異方性エッチングによって段差を備えた基板に第２のハードマスク層を形成する工程と、前記第２のハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第２の異方性エッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによるキャッピング膜の表面あれや膜質の変化を起こさず微細なパターン形成することが可能な反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成され、多層反射膜を保護するキャッピング膜と、キャッピング膜上に形成され、ドライエッチングに対して耐性を有するドライエッチングストッパ膜と、ドライエッチングストッパ膜上に形成され、露光光を吸収する吸収膜と、吸収膜上に形成され、検査光の反射を防止する反射防止膜と、を有し構成されることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】角部を有する開口部が形成されたパターニング層を有し、上記角部の解像性に優れたパターン形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、上記基板上に形成されたパターニング層２と、を有するパターン形成用積層体１０を用い（Ａ）上記パターニング層に、少なくとも一辺が直線である第１パターン形状の開口部を形成する第１パターニング工程と（Ｂ）、上記開口部が形成されたパターニング層に、少なくとも１辺が直線である第２パターン形状の開口部を形成する第２パターニング工程と（Ｃ）、を有するパターン形成体の製造方法であって、上記第２パターニング工程が、上記第１パターニング工程において上記パターニング層に形成された第１パターン形状の開口部における直線部位と、上記第２パターン形状における直線部位とが互いに交差するように、上記パターニング層に第２パターン形状の開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】透明基板に回折光学素子パターンが形成されている両面フォトマスクの作製方法において、透明基板のエッチング状態を正確に把握して、回折光学素子パターンのエッチング深さおよびパターン寸法を高精度に形成し、所望の光学特性を得ることが可能な両面フォトマスクの作製方法および両面フォトマスクを提供する。
【解決手段】両面フォトマスクの作製方法であって、透明基板の他方の主面上に形成された遮光膜の開口部に露出した透明基板をエッチングして回折光学素子パターンを形成するに際し、両面フォトマスクのパターン露光時の有効面外にある前記透明基板の他方の主面上に形成された遮光膜の開口部に、回折光学素子パターンを作製するときのモニターパターンを形成し、前記モニターパターンのエッチング状態を参照しながら回折光学素子パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時の露光光に対するコントラストを向上させ、またパターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させて高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、バッファ膜３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０であって、吸収体膜４は、最上層４ｂと下層４ａからなる積層構造となっており、最上層はＴａの酸化物、酸窒化物又は炭化物のいずれかを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９５〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０３３〜−０．０２３であり、下層はＴａを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９４〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０５０〜−０．０３６である。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成して得られる。 （もっと読む）

【課題】両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】透明基板の一方の主面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、前記透明基板の外縁部の第１のレジスト膜を除去し、外縁部の第１の遮光膜を露出させる工程と、前記第１のレジスト膜をパターン描画し、現像し、第１の遮光膜をエッチングし、第１のレジスト膜を剥離して、第１の遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光膜と第２のレジスト膜を順に形成し、第２のレジスト膜をパターン描画し、現像した後、第２の遮光膜をエッチングし、第２のレジスト膜を剥離して、第２の遮光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４階調フォトマスクをフォトリソグラフィ工程により少ない描画回数で製造できること。
【解決手段】遮光部１３、透光部１４、及びそれぞれ異なる光透過率の第１半透光部１５Ａと第２半透光部１５Ｂを有し、被転写体上に膜厚が段階的又は連続的に異なるレジストパターンを形成する４階調フォトマスクの構成として、第１半透光部１５Ａは、透光性基板１６の表面に、光半透過性の第１半透光膜１７Ａが設けられて構成され、第２半透光部１５Ｂは、透光性基板１６の表面に、光半透過性の第２半透光膜１７Ｂが設けられて構成され、第２半透光部１５Ｂと第１半透光部１５Ａとは露光光の光透過率が異なり、遮光部１３は、透光性基板１６の表面に、第１半透光膜１７Ａ、遮光膜１８、及び第２半透光膜１７Ｂが積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられ、補助パターンとしての焦点深度拡大効果を保ちながら、補助パターンを解像させず、主パターンのコントラストの高い転写画像を形成できる補助パターンを有するハーフトーンマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクが、投影露光により転写対象面に転写される主パターンと、主パターンの近傍に形成され転写されない補助パターンとを設けたフォトマスクであって、主パターンと補助パターンとが同一材料よりなる半透明膜で構成されており、主パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に１８０度の位相差を生じさせ、かつ補助パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に７０度〜１１５度の範囲の所定の位相差を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの剥離を抑制し、黒欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 透光性基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成され、最上層に第１のレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成すると共に、第１のレジストパターン又は遮光膜パターンをマスクとして半透光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、第１のレジストパターンを除去して得られた基板の全面を覆う第２のレジスト膜を形成する工程と、第２のレジストパターンをマスクとして遮光膜パターンをエッチングして半透光部及び遮光部を形成する工程と、を有し、第２のレジスト膜を形成する工程は、第２のレジスト膜の形成に先立ち、透光部を形成することで露出した透光性基板の表面にＳｉ含有有機化合物による表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画時にレジストに再入射する不要なエネルギーによる露光の影響をなくし、ハーフピッチ４５ｎｍ、３２ｎｍ等の超微細パターンを転写するためのフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、薄膜と、レジスト膜とを形成したフォトマスクブランクを用意し、該フォトマスクブランクのレジスト膜上に描画機を用いて所望の転写パターンを描画し、描画後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとして、薄膜をエッチングすることを含むフォトマスクの製造方法において、上記描画後であって、レジスト膜の現像の前に、レジスト膜の表面に、酸素、又は酸素と水素からなる酸化物質を接触させる表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】遮光膜パターンの寸法制御をより正確に行う。
【解決手段】遮光膜上に遮光膜パターンの形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜のエッチングを開始し、レジストパターンに覆われていない遮光膜が除去された後にエッチングを停止する工程と、基板の他方の主面側から光を照射し、レジストパターンのエッジを遮光膜のエッジに一致させる工程と、エッジ位置を把握し、把握したエッジ位置を基に追加エッチング時間を決定し、遮光膜のサイドエッチングを行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被転写体上に所望のレジスト残膜値を得るために煩雑な条件出しが不要であり、しかも線幅が異なっても露光量をほぼ等しくして均一な残膜値を得ることができる多階調フォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板上に、それぞれ所定の透過率をもつ第１半透光膜及び第２半透光膜をそれぞれ形成し、それぞれ所定のパターニングを施すことにより、透光部、膜構成の異なる第１半透光部及び第２半透光部を含む少なくとも２つの半透光部と、を含む転写パターンを形成してなる多階調フォトマスクにおいて、前記第１半透光部のｉ線〜ｇ線の範囲内の波長に対する透過率波長依存性と、前記第２半透光部のｉ線〜ｇ線の範囲内の波長に対する透過率波長依存性とがほぼ等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩやＴＦＴ−ＬＣＤ等の製造において、ＴＦＴ等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半透明領域間の透過率差が小さい場合であっても透過率差の精度が良く、かつ、容易に形成することができる階調マスクを提供する。
【解決手段】透明基板１と、半透明膜３と、エッチングストッパー層４と、遮光膜２と、を有する階調マスクであって、上記透明基板からなる透過領域１１と、上記透明基板、上記半透明膜、上記エッチングストッパー層および上記遮光膜からなる遮光領域１２と、上記透明基板および上記半透明膜からなる第１半透明領域１４と、上記透明基板、上記半透明膜および上記エッチングストッパー層からなる第２半透明領域１３と、を備え、上記エッチングストッパー材料が、上記遮光膜形成材料および上記半透明膜形成材料とは選択性エッチングが可能なものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過膜の反射率特性によらず、描画機による位置合わせの際に、アライメントマークの検出を精度高く行うことができるフォトマスクブランクス、フォトマスクブランクスの製造方法、および上記フォトマスクブランクスを用いたフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された半透過膜と、上記半透過膜上に形成された遮光膜とを有するフォトマスクブランクスであって、上記半透過膜が、少なくとも当該フォトマスクブランクスを用いて形成されるフォトマスクにて、露光に用いられる有効露光領域には形成され、かつ、上記有効露光領域の外周に位置し、露光に用いられない領域である非有効露光領域内で、アライメントマークが形成されるアライメントマーク形成部を含むアライメント領域には形成されていないことを特徴とするフォトマスクブランクスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を基本的に適用した露光方法を提供する。
【解決手段】複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正に基づき作製された露光用マスクを使用して、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、前記設計パターンデータの補正には、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】遮光材料を大量に含有する場合であっても露光により高感度で硬化し、且つ保存安定性及びセーフライト適性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、高解像度で画像形成が可能であり、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、Ｘは、窒素原子又は−Ｃ（Ｒ^６）−を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の置換基を表す。但し、Ｒ^１〜Ｒ^８のうち隣接する２つ、Ｒ^８とＲ^５、Ｒ^７とＲ^６のうちの１又は２以上の組み合せで結合して環を形成していてもよい。
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【課題】高感度であり且つセーフライト性、保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はアルキル基を示し、Ｒ^２は水素原子又は１価の置換基を示す。
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【課題】高感度であり且つ保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを提供すること。
【解決手段】透明基材上に、遮光材料、増感色素、光重合開始剤、エチレン性不飽和化合物、及びバインダーポリマーを含有する感光性層と、２５℃における酸素透過性が５０ｍｌ／ｍ^２・ｄａｙ・ａｔｍ以上５００ｍｌ／ｍ^２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である酸素遮断性層と、をこの順に有することを特徴とするフォトマスクブランクス、及び該フォトマスクブランクスを用いて作製されたフォトマスク。 （もっと読む）