【課題】 多階調フォトマスクの半透光膜が減膜して透過率が変化する際における局所的な減膜量の変化を抑制し、光透過率の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 導電性を有する導電性膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、フォトマスクブランク上に形成した第１レジストパターンをマスクとして、少なくとも遮光膜をエッチングする第１エッチング工程と、第１レジストパターンを除去したのち、第１エッチング工程の行われたフォトマスクブランク上に第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターン及び遮光膜をマスクとして半透光膜をエッチングする第２エッチング工程と、第２レジストパターンを除去したのち、露出した半透光膜を所定量減膜する減膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に半透光膜と遮光膜、及びそれぞれ異なる分光感度特性を有する第１レジスト層と第２レジスト層を含むレジスト膜が積層されたフォトマスクブランクを準備し、レジスト膜に対して所定の分光特性を持つ第１の露光光を用いて描画し、次いで第１の露光光とは異なる分光特性を持つ第２の露光光を用いて描画後、現像によって、面内でレジスト残膜値の異なる第１レジストパターンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングし、第１レジストパターンを所定量減膜させることによって第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】寸法制御性を向上させることが可能な光反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板の上面に形成された光反射層１２と、光反射層上に形成され、所望のパターンを有する光吸収層１３と、基板の下面に形成された導電層１４と、基板の側面に形成され、光吸収層と導電層とを電気的に接続する導電部１４ａとを備え、導電部は、光吸収層のパターンに応じて配置されている。 （もっと読む）

【課題】遮光膜にダメージを与えることなく、オーバーエッチングによりエッチングマスク膜の断面形状を立たせることができ、解像性、ＣＤリニアリティ、スルーピッチを改善することができるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられ、透光性基板２上に、順次、遮光膜１０、エッチングマスク膜２０が形成されたフォトマスクブランク１であって、遮光膜１０は、少なくとも遷移金属シリサイドを含む遮光層１２と、遮光層１２の上に形成され、かつ酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むタンタル化合物からなる表面反射防止層１３とを備え、エッチングマスク膜２０は、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むクロム化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により遮光性を容易に安価に得ることのできる遮光性転写フィルムを用いた遮光性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）被転写基板に接着層を形成する工程、（２）仮支持体上に、感光性樹脂層、及び可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜が順次積層してなる遮光性転写フィルムの、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜面と前記（１）で形成された接着層面を貼り合わせ、遮光性転写フィルム積層基板を形成する工程、並びに（３）前記遮光性転写フィルム積層基板の感光性樹脂層の所定部を露光する工程と、を含む遮光性膜の形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】遷移金属を含有するケイ素系材料からなる上下層で構成され、上下層のうち少なくとも上層が酸素及び／又は窒素を含有し、かつ上層の酸素と窒素の合計の含有量が下層よりも高い遮光膜を、第１エッチング工程として、レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ドライエッチングにより、下層の少なくとも透明基板側の一部が残存するように遮光膜の一部を除去し、第２エッチング工程として、酸素を含有する塩素系ドライエッチングにより、第１エッチング工程で除去されなかった残部を除去してパターン加工する。
【効果】加工に用いるレジスト膜の膜厚を１００ｎｍ程度、又はそれ以下とした場合にも、エッチングマスク層として機能する上層の加工がフッ素系ドライエッチングにより行われるため、最小線幅５０ｎｍ以下のレジストパターンを形成するためのリソグラフィーに使用するフォトマスクの加工を高精度に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上へのパーティクルの付着を効果的に防止することが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程が効率的であって異物等の付着の可能性を低減し、ユーザーのニーズに迅速に応じて提供できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】半透光部と透光部は互いに所定の位相差を有する多階調フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に少なくとも半透光膜と遮光膜がこの順に形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、少なくとも半透光膜と遮光膜とをそれぞれパターニングすることによって、透明基板表面又は透明基板の掘り込み面が露出した透光部、透明基板上に形成された半透光膜の膜厚の一部が除去された半透光部、半透光膜と遮光膜が積層した遮光部とを形成するパターニング工程を有し、半透光部における半透光膜の残存膜厚は所定の透過率が得られるものとされ、かつ半透光部における半透光膜の残存膜厚と、透光部の透明基板表面又は掘り込み面位置は、所定の位相差が得られるものとする。 （もっと読む）

【課題】少ない半透光膜の膜数と少ない描画回数で製造できる５階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上１４に、遮光部１２、透光部１１及び第1半透光部１３Ａと第２半透光部１３Ｂと第３半透光部１３Ｃからなるマスクパターンを有する５階調フォトマスクである。遮光部１１は少なくとも透明基板上１４に形成された遮光膜により形成され、透光部１１は露出した透明基板１４により形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃは、透明基板上１４に形成された膜固有の露光光透過率の異なる第１半透光膜１６と第２半透光膜１７、及び第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層膜のうちのそれぞれいずれかにより形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃのうち２つは同一の実効透過率を有する線幅が異なるパターンである。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のＥＵＶ露光光に対するコントラストを向上させ、またパターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させて高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、ＥＵＶ露光光を反射する多層反射膜２と、バッファ膜３と、ＥＵＶ露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０であって、吸収体膜４は、最上層４ｂと下層４ａからなる積層構造となっており、最上層はＴａの酸化物、窒化物、酸窒化物又は炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０〜１１．０ｇ／ｃｍ^３であり、下層はＴａを含む材料で形成され、膜密度が１１．０〜１６．０ｇ／ｃｍ^３である。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成して得られる。 （もっと読む）

【課題】２種類の半透光膜と遮光膜の任意の組み合わせが可能な多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランクの遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜を形成し第２のレジストパターンを形成する工程と、少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜を形成し第３レジストパターンを形成する工程と、少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有する、多階調フォトマスクの製造方法で、第１レジストパターン形成は遮光部にレジストパターンを残存させ、遮光部のレジストパターンの寸法を、遮光部と隣接する透光部及び第１半透光部との境界において所定のマージン領域分広く形成する。 （もっと読む）

【課題】高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクスを提供し、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）分子内にビニルフェニル基を２個以上有する化合物、（Ｃ）重合開始剤、および（Ｄ）遮光材料、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクス。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーのレーザー光で紫外線遮蔽性樹脂層を精密かつ正確に除去した部分に、ムラのない光透過性が得られ、かつ紫外線遮蔽性樹脂層に傷が付きにくく、しかも大型印刷版の作製において、位置決め作業が容易で、かつ版と密着させる際に空気を抱き込みにくく版材に全面が密着しやすいマスクフィルムを与えるマスクフィルム用部材を提供する。
【解決手段】紫外線透過性の基材フィルムと、その片面にレーザー光線の照射による除去可能な平均厚さ０.１〜３０μｍの紫外線遮蔽性樹脂層とを有するマスクフィルム用部材であって、前記紫外線遮蔽性樹脂層が、カーボンブラックの含有量が多い樹脂層（Ａ）と、カーボンブラックの含有量が少ない樹脂層（Ｂ）とを有する２層以上の積層構造体であり、かつ基材フィルム側に上記（Ａ）層が、印刷版側に上記（Ｂ）層が位置すると共に、特定の光学特性を有するマスクフィルム用部材である。 （もっと読む）

【課題】高感度で硬化し、且つ、保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された高解像度で画像形成可能であり、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、（Ａ）分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。式（１）中、Ｙは隣接する窒素原子および炭素原子と共に含窒素ヘテロ環を形成する非金属原子団を表す。Ｘは一価の非金属原子団を表す。
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【課題】ステンシルマスクを低コストで製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。次に、第２シリコン層６の表面に、第１酸化シリコン層の厚みＴ２より大きい厚みＴ４を有する第２酸化シリコン層１０を形成し、半導体基板１２を形成する。次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。次に、残存している第１酸化シリコン層４と第２酸化シリコン層１０をウェットエッチングして除去し、２枚の同一のステンシルマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】３次元構造パターンを形成するパターン形成方法であって、基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第１の異方性エッチングを行う工程と、既に段差を備えた前記第１の異方性エッチングによって段差を備えた基板に第２のハードマスク層を形成する工程と、前記第２のハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第２の異方性エッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）