【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できる真空紫外光用メタルマスクを提供する。
【解決手段】パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク１０であって、金属薄板からなり、開口部２を有するメタルマスク本体１と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分３とを有し、かつ、上記パターン形成用基板１０１上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されている。 （もっと読む）

【課題】品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することを可能とする。
【解決手段】透明基板１上に、遮光性膜２、エッチングマスク層３ａを形成するための薄膜が順次形成されたフォトマスクブランクであって、前記フォトマスクブランクは、位相シフトマスクの製造に用いられるフォトマスクブランクであり、前記遮光性膜２は、露光光を実質的に透過しない機能を有する膜であり、かつ窒素を含む高融点金属のシリサイドからなり、前記エッチングマスク層３ａを形成するための薄膜は、前記遮光性膜２のエッチングに対して耐性を有する材料で、かつ窒素を含む金属化合物からなるフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に遮光部、透光部、及び光透過率の異なる半透光部からなる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜１６を形成し、その上に形成した第２レジストパターンをマスクとして少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う。第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜１７を形成し、その上に形成した第３レジストパターンをマスクとして少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に少なくとも２層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、タンタル窒化物を主成分とし、キセノンを含む材料からなる遮光層と、該遮光層の上面に積層されるタンタル酸化物を主成分とし、アルゴンを含む材料からなる反射防止層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白縁の発生を抑えるようにしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に第一の膜を形成し、その上に第一レジストパターンを形成し、該第一レジストパターンをマスクとして第一の膜をエッチングし、第一の膜パターンを形成する第一パターニング工程と、第一の膜パターンを含む面上に第二の膜を形成する工程と、第二の膜上に第二レジストパターンを形成し、該第二レジストパターンをマスクとして少なくとも第二の膜をエッチングし、第二の膜パターンを形成する第二パターニング工程とを有し、第一の膜は遮光膜及び反射防止機能膜の積層膜、第二の膜は半透光膜であり、エッチング工程に用いるエッチャントに対するエッチング速度が、半透光膜は反射防止機能膜とほぼ同一もしくはこれよりも速くなるように第一の膜及び第二の膜の材質を選択する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターン３ａをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 （もっと読む）

【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に少なくとも２層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、窒素を６２ａｔ％未満含有する窒化タンタルを主成分とする材料であり、かつ酸素を実質的に含まない塩素系ガスでドライエッチング可能な材労で形成される遮光層と、該遮光層の上層面に形成され、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされず、フッ素系ガスでドライエッチング可能である材料で形成される表面反射防止層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶＬマスク５０における吸収層５６に、フッ化キセノンガス７１を供給しつつイオンビーム２０Ａを照射して、吸収層５６の黒欠陥６０をエッチングするエッチング工程を有するＥＵＶＬマスクの加工方法であって、エッチング工程の後に、吸収層５６に酸化剤ガス７２を供給する酸化剤供給工程を有し、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線露光用マスクの製造工程である、ドライエッチング工程でのエッチング停止判断を行う装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドライエッチング終点判定装置は、該反射型マスクに波長２００ｎｍ未満の領域を含む光を入射させ、エッチング対象材料とその下地層の特定波長における反射率の差を利用してエッチング終点を検出することを特徴とする。これにより、エッチング終点を精密に判定することができ、マスクの製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】少ない半透光膜の膜数と少ない描画回数で製造できる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、エッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に、第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光装置の光学系の状態を測定可能な露光装置検査用マスク、及び製造プロセスを効率化させた露光装置検査用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】検査用マスク２０は、回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄを設ける。非対称回折格子領域２００Ａは、透過基板２１と、透過基板２１上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性の複数のハーフトーン膜２２と、ハーフトーン膜２２のそれぞれに形成された複数の遮光膜２３とを備える。ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、ハーフトーン膜２２及び透過基板２１を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。
【解決手段】フォトマスクの遮光性膜１２は、その側面により反射される露光光が透光部側へと全反射するような光学膜となっている。つまり、フォトマスクの表面に角度θで入射した露光光の透明基板１１中での光路上に遮光性膜１２の側面があった場合にも、当該露光光成分は遮光性膜１２の側面で透光部側へと全反射され、遮光性膜１２によって遮蔽されることなく露光に寄与することとなる。このような全反射を得るためには、フォトマスクへの露光光の入射角をθ、透光部の屈折率をｎ_ｔとしたとき、ｎ_ｆ＜ｎ_ｔ・ｓｉｎ（π／２−ｓｉｎ^−１（ｓｉｎθ／ｎ_ｔ））の条件を満足する屈折率ｎ_ｆの遮光性膜１２を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上１１に、少なくとも半透光膜１２、エッチングストッパー膜１３、遮光膜１４が順次形成され、レジスト膜１５が形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記レジスト膜に露光し、現像処理を行い、レジスト膜を加工する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングして除去する工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、残ったレジスト膜を除去する工程を含む、グレートーンマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制でき、万一静電破壊が起きてもデバイス形成に使用されるマスクパターンには影響が及ばないグレートーンマスクなどのフォトマスクを提供する。
【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板２４上に有するフォトマスク（例えばグレートーンマスク）であって、電気的に孤立する複数のマスクパターン１０ａ，１０ｂ，１０ｃからそれぞれ引き出された導電性パターン１１ａと１１ｂ，１１ｃと１１ｄ，１２ａと１２ｂ，１２ｃと１２ｄを有する。かかる導電性パターンは、互いに接触せず、かつ上記各マスクパターン間よりも互いに近接する部分を有し、例えば半透光膜または透光膜により形成される。 （もっと読む）

特に、本体上に導電層を形成し、導電層上に、突起部と導電層の部分を露出させる凹部とを有するパターン形成層を形成することによって、多層構造体を生成し、多層構造体上にハードマスク材料を異方性に堆積させ、パターン形成層の上面及び導電層の部分を覆うようにし、ハードマスク材料が導電層の部分上に残っている状態で、リフトオフ・プロセスによってパターン形成層を除去し、多層構造体上にレジスト・パターンを配置して多層構造体の領域を定め、ハードマスク材料をエッチング・マスクとして使用して、領域と重なり合う多層構造体の部分を選択的に除去するステップを含む、リソグラフィ・テンプレートを生成する方法である。 （もっと読む）

【課題】所望の寸法を持つ配線パターンが基板上に形成されるように、エッチング近接効果に対して精度良くマスクパターンの補正を行う。
【解決手段】マスクのマスクパターンを、上記マスクを用いた微細加工プロセスによって所望の寸法を持つ配線パターンが形成されるように補正する方法であって、上記微細加工プロセスを実施する前に、エッチング近接効果に対する上記マスクパターンの補正を、パターンサイズおよびパターン間スペースサイズをパラメータとする補正モデルを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。本発明の構成によれば、所望する３次元構造パターンを基板に形成する場合、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも小さくすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】加工性の向上と低コストを可能にしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。次いで、第一開口１１ａに、Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、及びこれらの酸化物、酸窒化物、窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか一種からなる半透光膜１４を成膜することにより第一開口１１ａに半透光部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】械的強度と熱耐性を高め、なおかつ優れた加工精度を有するステンシルマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第一薄膜層にステンシルパターンを形成する際に、同時にステンシルパターン配置領域の外周部に位置合わせ用パターンを形成する工程と、第一薄膜層に形成する位置合わせ用パターンが、第二薄膜層を貼り合せる領域より外周部領域であり、複数個の位置合わせ用パターンを用いて、第一薄膜層の表面に第二薄膜層を貼り合せる工程と、
第二薄膜層の表面にレジストを形成する工程と、位置合わせ用パターンを用いて位置決めをおこない、第一薄膜層のステンシルパターンデータを用いて、第一薄膜層のステンシルパターンの位置と同位置に、第一薄膜層のステンシルパターンと同一形状の開口パターンが重なるようにして、第二薄膜層のレジスト面上に重ね描画する工程と、を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制できるフォトマスクを提供する。
【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板２４上に有するフォトマスク（例えばグレートーンマスク）であって、マスクパターン１０ａ，１０ｂ，１０ｃ間を連結する、被転写体に転写されないような細線状の導電性パターン１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂを有する。かかる細線状の導電性パターンは、半透光膜または透光膜により形成される。 （もっと読む）