【課題】レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、疎密間でのレジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させる。
【解決手段】遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンに活性酸素を供給して第１レジストパターンを減膜する工程とを有し、第１レジストパターンに供給した活性酸素の一部を、露出した半透光膜により消費させる。 （もっと読む）

【課題】半透光膜がエッチングされてしまうことをより確実に防ぐ。
【解決手段】遮光部は、半透光膜、エッチングストッパ膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、エッチングストッパ膜は、半透光膜の表面粗さの１．５倍以上の膜厚を有している。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、疎密間でのレジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させる。
【解決手段】遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンにオゾンを過剰供給して第１レジストパターンを減膜する工程とを有し、第１レジストパターンに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第１レジストパターンを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くなるようにオゾンを供給する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる反射防止膜と、反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有し、エッチングマスク膜の膜厚が２〜３０ｎｍであるフォトマスクブランクから、レジストのパターニング、塩素系ドライエッチング、及びフッ素系ドライエッチングによりフォトマスクを製造する。
【効果】遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光
に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製
造方法を提供する。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用
いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板１上に薄膜２を備え、
前記薄膜２は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び／又は遷移金属炭
化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部１１０は、半透光膜１０１、中間膜１０２、及び遮光膜１０３が透明基板１００上にこの順に積層されてなり、半透光部１１５は、半透光膜１０１が透明基板１００上に形成されてなり、透光部１２０は、透明基板１００が露出してなり、遮光部１１０を構成する中間膜１０２の側部には、中間膜１０２が酸化されてなる変質部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーンマスクにおいて製造工程の負荷を減らしてコストダウンが図れ、かつパターンにダメージがない高品質なハーフトーンマスクおよびその製造方法、さらにこれに用いるハーフトーンマスクブランクスを提供すること。
【解決手段】透明基板上に、半透過膜、バリア膜、および一層または二層以上からなる遮光膜をこの順に積層して形成されたハーフトーンマスクブランクスであって、
前記バリア膜がＩＴＯ（酸化インジウムすず）を含む材料を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されている膜と、裏面に形成されている膜との導通を消失させることにより、反射層や吸収層を作成する際における層表面や層中へのパーティクルの付着を防止でき、結果的に欠点を減少させることが可能な反射層付き基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている面とは反対の面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上
である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】マスク製造段階での基板ダメージの発生が少なく、透光部の露光光透過率が高く、かつ露光光透過率分布の面内均一性の高い多階調マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部からなる転写パターンを有する多階調マスクの製造方法であって、透光性基板上に金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタル等から選ばれる１以上の金属を含有する材料からなる半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とをこの順に積層したマスクブランクを用意する工程と、遮光膜に透光部のパターンを形成する工程と、遮光膜に形成された透光部のパターンをマスクとして半透光膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質によってエッチングする工程と、遮光膜に遮光部のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】現像ローディング効果とエッチングローディング効果による寸法変動の両方を近接効果も補正しながら補正する。
【構成】描画装置１００は、それぞれ異なる近接効果密度の複数のパターン寸法マップデータを入力し、記憶する記憶装置１４２と、マップ位置毎に、照射量関数により得られる照射量で当該マップ位置を描画した際に、一部の近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差が補正され、残りの近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差に補正残りが生じる近接効果補正係数と基準照射量の組を選択する選択部１０と、マップ位置毎に、近接効果密度に依存した補正残りを補正する補正項を演算する補正項演算部１６と、マップ位置毎に、選択された組と補正項とを用いて照射量を演算する照射量演算部１８と、得られた照射量の電子ビームを用いて、基板上に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光による回路パターン（素子）の寸法変動を抑制することにある。
【解決手段】透光性基板１０´上に遮光機能膜２１´，２２´及びレジスト膜２３が形成されたフォトマスク用ブランクに、少なくとも描画、エッチング及びレジスト剥離等の処理を行って所望の回路パターンが形成されるフォトマスクであって、
エッチング雰囲気中の不活性ガスもしくは硫黄を含まないエッチャントを使用して前記エッチング処理を行って前記回路パターンを形成し、かつ、前記レジスト剥離洗浄もしくは最終洗浄、或いはその両方の洗浄する際に硫酸溶液以外の洗浄液を用いて洗浄し前記回路パターンの寸法変動を抑制するフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるパターンの微細化を比較的容易に図る。
【解決手段】基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン領域の周辺に吸収層を積層した遮光領域を設けた反射型マスクの製造において、マスク製造のスループットを低下させず、正常パターンや反射層に損傷を与えることなく、修正痕を残さずに欠陥修正を行い、高品質のマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法およびそれに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】第１の吸収層上に第２の吸収層が積層された吸収層上にハードマスクを設け、パターン領域のハードマスク、第２の吸収層、第１の吸収層をエッチングしてパターン化した後、前記パターン領域の外観欠陥検査を行い、黒欠陥部がある場合には、前記反射層に損傷が生じない程度の厚さに前記黒欠陥部の下層の前記第１の吸収層の厚さを残して前期黒欠陥部を修正し、前記黒欠陥部の修正残りの前記第１の吸収層をエッチングして除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精細かつウェハーへの転写特性への悪影響が小さいフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１の一方側表面に金属層２と第１レジスト層３とをその順に積層し、第１レジスト層３をパターニングする。その第１レジスト層３をマスクとして、開口領域である領域Ａの金属層２をエッチングする。その金属層２をマスクとして、エッチングにより透明基板１に凹部を形成する。金属層２を剥離した後、透明基板１の凹部も含めて表面全面に遮光層４を電解メッキ法を用いて形成する。透明基板１の表面と遮光層４の表面が面一になるように平坦化する。熱酸化処理を施して遮光層表面を酸化させ反射防止膜５形成する。以上の工程により、基板１上に設けられた凹部に遮光層４が形成され、透明基板１と遮光層４の表面は面一であり、遮光層４の表面にのみ反射防止膜５を有するフォトマスクが得られる。 （もっと読む）

【課題】 改良された位相シフトリソグラフィと、狭いトラック幅Ｄの書き込み極を画定するためのハーフトーン位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 磁気書き込みヘッドの書き込み磁極等の重要な対称２次元構造を生産できる、位相シフト光リソグラフィを使用するウェハのパターニング方法。本発明の１つの態様において、光リソグラフィマスクは、不透明部分を有し、この不透明部分の両側に狭い、透明の位相シフト領域がある。非位相シフト領域は、構造の両側の狭い位相シフト部分を越えて延びる。位相シフト領域は、不透明領域に関して対称であり、ウェハ上に生成される像は、完全に対称となる。本発明の他の態様において、透明媒体に位相シフト領域が形成され、位相シフト領域の両側に非位相シフト領域がある。位相シフト領域と非位相シフト領域の間の遷移だけで、ウェハ上のパターンを画定するため、マスク上の不透明構造は不要となる。 （もっと読む）

【課題】マスク開口率の差異に起因するパターンの寸法バラツキを低減させる。
【解決手段】フォトレジスト膜に転写される転写パターン１２と、転写パターン１２の周囲に配置され、転写パターンの解像度を向上させる第一のアシストパターン１３と、
前記フォトレジスト膜に転写されないように構成され、前記転写用パターンの解像度には影響しない第二のアシストパターン１４とをフォトマスク１１に設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光におけるシャドーイングの影響を低減しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部（重なり部分）のオーバー露光を抑制し、かつ、マスク洗浄等で多層膜の一部が側面から溶出してパターンが損傷する危険性を解消できるＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 不要なＥＵＶ光が被転写体へ照射されることを防止するための遮光枠を、表面活性化接合を用いて、反射型マスクの遮光領域に貼付することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）