【課題】ＥＵＶ光を使用するリソグラフィにおいて、マスクによる反射光の位相を補正して分解能を向上させ、微細パターンを具現するのに適した半導体素子の位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子の位相シフトマスクは、基板と、該基板上に所定深さの溝を有して形成された多層薄膜と、前記溝を所定の深さに埋め込む吸収体とを備え、これにより、本発明は、従来の基板、多層薄膜及び吸収体をそのまま使用することができるので、高価なＥＵＶ露光装置を変更せず、マスク補正だけで分解能を向上させ、工程マージンを向上させて微細パターンを形成できるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線リソグラフィ用マスクブランクの欠陥を検査する装置を提供すること。
【解決手段】 マスクブランクの欠陥を検査する装置において、第一の虹彩絞りが光源に位置されて光源から放出される光の照射角を制限し、散乱制限ユニットがマスクブランクから反射したのちの散乱光の散乱角を制限するために暗視野光学ユニットの出射口に位置される。欠陥検出器が光学的に暗視野光学ユニットに結合されており、散乱光の角度分布を生成する。その角度分布を用いてマスクブランク上にみつかった欠陥の重大性の特性評価が行われる。 （もっと読む）

【課題】透光性基板を容易かつ確実に所定位置に配置することを可能とする透光性基板の位置決め方法、マスクブランクスの製造方法、および位置決め装置を提供すること。
【解決手段】位置決め装置２０において、共通のレーザ光源２１から出射されたレーザ光を光路分離素子２２により２つのレーザ光束に分離して合成石英基板１０の２つの角部分１３ａ、１３ｂが位置すべき場所に向けて出射する。角部分１３ａ、１３ｂの端面１１は磨ガラス状であるため、光散乱性を備えており、角部分１３ａ、１３ｂが所定位置に到来すると角部分１３ａ、１３ｂが光るので、角部分１３ａ、１３ｂが所定位置に到来したことを容易かつ確実に監視できる。 （もっと読む）

本発明は、反射によって機能する極紫外線フォトリソグラフィマスクに関する。このようなマスクは、基板（２０）を被覆する下部ミラー（２２）と、複写するパターンを画定するエッチングされたパターンを成して下部ミラーに形成された吸収領域とを含む。本発明では、動作波長で顕著な吸収ピークを示すファブリ−ペロ共振空洞によって吸収領域を形成する。空洞は、下部ミラー（２２）、上部ミラー（２４）、動作波長で吸収ピークをもたらすように厚さが計算されたミラー間の透明媒質によって形成される。媒質はシリコン（２７）で形成してもよく、薄い酸化シリコン層（エッチングを容易にするためのバッファ層を形成する）およびシリコン層を積層することにより形成してもよい。 （もっと読む）

開示には約３００ｎｍより短波長におけるリソグラフィに用いるための光学素子に使用することができるＯＤドープ合成石英ガラスが含まれる。ＯＤドープ合成石英ガラスはＯＨ濃度が同程度の無ＯＤドープ石英ガラスよりもかなり小さい偏光誘起複屈折値を有することがわかった。ＯＤドープ合成石英ガラス、そのようなガラスからなる光学部材及びそのような光学部材を備えるリソグラフィシステムも開示される。ガラスは、約１９３ｎｍにおける偏光誘起複屈折値が極めて小さいことから、浸漬リソグラフィシステムに特に適する。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性が高く露光光反射率を高められ低欠陥の反射型マスクブランク用基板、低欠陥で多層反射膜の露光光反射率を高めた高品質の反射型マスクブランク、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、パターン転写性に優れた高品質の反射型マスクを提供する。
【解決手段】ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨した後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度２０度以上９０度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながらイオンビーム照射を行い、反射型マスクブランク用基板を得る。この反射型マスクブランク用基板上に多層反射膜と吸収体膜を形成して反射型マスクブランクとする。また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 （もっと読む）

【課題】合成石英ガラス基板に存在し、波長が２００ｎｍ以下の短波長光を露光光としたときのパターン転写に影響の大きな内部欠陥を簡単、確実に検出できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】波長が２００ｎｍ以下のＡｒＦエキシマレーザー光２５を導入する一端面２を含む表面を有する合成石英ガラス基板４を準備する準備工程と、この準備された合成石英ガラス基板の内部欠陥１６を検出する検出工程とを有し、上記検出工程で転写パターンに影響する内部欠陥が存在しない合成石英ガラス基板を用いてマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、上記検出工程は、合成石英ガラス基板の内部欠陥が変質するエネルギーを有するＡｒＦエキシマレーザー光２５を第１レーザー照射装置２１から当該合成石英ガラス基板４に導入して、内部欠陥１６を変質させる欠陥変質工程を有するものである。 （もっと読む）

【課題】検査用マスクを作製せずに破壊的検査を行うことや、非破壊検査をより正確に行うことが可能となるマスクおよびその検査方法を提供する。
【解決手段】露光用ビームの透過部と非透過部を所定のパターンで有する露光用薄膜２と、露光用薄膜の周囲に形成された、露光用薄膜を支持する厚膜部分３と、露光用ビームの透過部と非透過部を有し、露光用薄膜より面積が大きく、撓みが大きく、厚膜部分の一部に露光用薄膜と隔てて形成された検査用薄膜４とを有するマスクとし、また、この検査用薄膜を用いて検査を行う。 （もっと読む）

【課題】炭素ハードマスクを用いてクロムをエッチングし、微小寸法を制御したフォトマスクの形成方法が提供する。
【解決手段】クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。パターン化された炭素ハードマスク層を介してクロム層をエッチングする方法は、フォトマスクを製造するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】図１３に示すような「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」に伴う諸問題を解消する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域の表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成してなり、更に、このレーザ光照射によって形成された凹部の表面を、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」の剥離を防止する機能を有する膜で覆ってなるマーカとして用いられる凹部と、
前記マスクブランクス用ガラス基板上に形成された、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜と、
を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェハを用いて作成されるステンシルマスクにおいて、メンブレン形成によりステンシルマスクに発生する局所的な変形を抑制し、ステンシルマスクの平坦性を向上させ、高精度の転写精度を有するステンシルマスク及びそのためのステンシルマスクブランク並びにそのマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板１０３と、メンブレン形成領域に転写パターンを設けるための活性層１０１と、前記支持基板１０３と活性層１０１の間に形成された埋め込み酸化膜層１０２と、前記支持基板１０３のもう一方の側にメンブレン形成領域のみに対応して設けた局所変形防止層１０４とを有し、前記メンブレン形成領域に対応する開口部１０７を、前記局所変形防止層１０４と、前記支持基板１０３と、前記中間絶縁層１０２に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗が小さくなるよう改善してより高い荷重で効
率よく研磨できるようにする。
【解決手段】研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた
状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に
供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方
法であって、
前記研磨布を貼り付けた定盤は、
定盤１の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁
部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、
前記定盤１の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿
って貼り付けられた研磨布２と、で構成され、
この「研磨布を貼り付けた所定の定盤」３を用い、マスクブランク用基板４の研磨を行
うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域の表面にレーザ光を照射させ、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備えるマスクブランク用ガラス基板の製造方法において、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する微細な表面荒れに伴う諸問題を解消する。
【解決手段】 前記マーキング工程おけるレーザ照射中に、レーザ照射光周辺の雰囲気を介してレーザ照射部及びその周辺部に供給される物質であって、かつ、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する微細な表面荒れを生じさせる原因物質を、レーザ照射部及びその周辺部から排除した状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 被転写体へのパターン転写に影響の大きな主表面近傍の内部欠陥を含む、ガラス基板の全ての領域の内部欠陥を良好に検出できること。
【解決手段】 合成石英ガラス基板４の端面２に対し離間して設置され、導入面２８が平坦で鏡面研磨され、屈折率が上記ガラス基板と略同一である透光性を有する光導入補助部材２５と、上記ガラス基板の端面２と光導入補助部材との間に介在され、屈折率が上記ガラス基板と略同一な超純水２６と、光導入補助部材の導入面から、この光導入補助部材及び超純水を介し上記ガラス基板内へ、波長が２００ｎｍ以下の短波長光を導入するレーザー照射装置２１と、この短波長光により上記ガラス基板の内部欠陥１６が発する、上記短波長光よりも長い波長の光１５、１７を受光するＣＣＤカメラ２３と、このＣＣＤカメラが受光した光の光量に基づき、上記ガラス基板の内部欠陥を検出するコンピューター２７とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】図９に示すような「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」に伴う諸問題を解消する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域の基板表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備えるマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺の基板表面を、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」（図９参照）を生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】予備研磨の際にガラス基板表面に生じたうねりを除去して、ガラス基板を平坦度に優れた表面に仕上げ加工する方法の提供。
【解決手段】予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法であって、前記ガラス基板は、ドーパントを含み、ＳｉＯ₂を主成分とする石英ガラス製であり、前記予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法は、ガラス基板に含まれるドーパントの濃度分布を測定する工程と、予備研磨後のガラス基板の表面形状を測定する工程と、を有し、前記ガラス基板に含まれるドーパントの濃度分布を測定する工程および前記ガラス基板の表面形状を測定する工程から得られた結果に基づいて、前記ガラス基板表面の加工条件を前記ガラス基板の部位ごとに設定することを特徴とする予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板をチャックすることによりマスク基板の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決するために有効なマスク基板情報生成方法を実現すること。
【解決手段】マスク基板情報生成方法は、測定装置によりマスクパターン形成後のマスク基板の主面の表面形状に関する第１の情報を取得する工程（Ｓ１）と、前記第１の情報と露光装置のマスクチャックの構造に関する情報とから前記マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュレーションによる前記主面の平坦度に関する第２の情報を生成する工程（Ｓ３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】通常の透明樹脂感光層を近接露光（プロキシミティー）法にてパターン露光して柱状スペーサーを形成する際に使用する段差付フォトマスク及び段差付フォトマスクを使って全領域にわたって柱状スペーサーの高さを均一に形成したカラーフィルタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１１上にブラックマトリクス２１ｂと、遮光額縁層２１ａと、複数の着色フィルタからなる着色フィルタ層３０と、透明電極層４１と、柱状スペーサー５１ａ及びダミー柱状スペーサー５１ｂとが形成されており、着色フィルタ層３０からなるメインパターン領域上に形成された柱状スペーサー５１ａの上部と、透明基板１１周辺部に形成されたダミー柱状スペーサー５１ｂの上部とが同じ高さになるようにしてある。 （もっと読む）

【課題】極紫外線露出用の反射マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（２２）と、基板（２２）上に形成され、極紫外線を反射させる材料から形成される下部反射層（２４）と、下部反射層（２４）上に形成され、極紫外線を反射させる上部反射層（２８）と、上部反射層（２８）と下部反射層（２４）との間に形成され、上部反射層（２８）で反射した極紫外線と下部反射層（２４）で反射した極紫外線とを相互に干渉して消滅させる所定パターンの位相反転層（２６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用マスクの製造工程等において膜剥がれを生じない導電膜を基板側面に設けたＥＵＶ露光用マスクブランクスとその製造方法を提供し、ＥＵＶ露光後、ＥＵＶ露光用マスクが強固に静電チャックに付着してしまい、取り外しにくくなるということが無く、静電チャックに簡単に着脱できるＥＵＶ露光用マスクを提供する。
【解決手段】基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスであって、前記基板の他方の主面上に導電層が形成されており、前記基板の相対する主面上の前記パターン形成層と前記導電層が、前記基板の側面に設けられた一箇所以上の側面導電膜により導通されていることを特徴とする。 （もっと読む）