【課題】緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】吸収膜４のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の水平方向隣にある部分の吸収膜４のパターンの線幅を狭くする。パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。パターン欠陥修正部に隣接する吸収膜４のパターンの線幅を狭くすることにより、反射率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】吸収膜４のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の下方にある部分の緩衝膜３の膜厚を薄くして膜薄部５を形成する。パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。当該部分の膜厚を薄くすることにより、反射率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体フォトマスク用石英ガラス基板の製造工程において、基板洗浄後の乾燥時に、基板上に付着粒子を残さず基板を効果的に清浄化すると共に、コスト低減を図る。
【解決手段】基板Ｓを処理液Ｌに浸漬し基板洗浄を行う基板洗浄装置１であって、上端が開放され、基板を収容する洗浄槽２と、前記洗浄槽２内において基板Ｓを直立状態に保持する基板保持手段３と、槽内上部に設けた処理液導入口から、処理液Ｌを槽内に導入する処理液導入手段９と、前記洗浄槽２の底部から槽内の処理液Ｌを排出する処理液排出手段５と、前記処理液排出手段５により排出された処理液Ｌを浄化し、前記処理液導入手段９に浄化済処理液Ｌを供給する浄化手段７と、前記処理液導入手段９に対し新たに処理液Ｌを追加供給する処理液追加手段１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板側面に帯電する電荷を低減させる機構を提供する。
【解決手段】基板カバー１０は、電子ビームを用いて描画される基板１０１上に配置され、基板１０１の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成されたフレーム１２と、フレーム１２の下面側に設けられ、基板１０１と接続して導通させるアースピン１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板１０１側面に帯電する電荷によるビーム軌道のずれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 透明基板の透過率補正を高精度に行うことができ、ｈｐ４５ｎｍ以下という極微細な半導体デバイスの製造歩留まり向上をはかる。
【解決手段】 フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクを用意する工程（Ｓ４）と、パターンの寸法のマスク面内分布を測定することにより、パターン寸法マップを生成する工程（Ｓ６）と、パターン形成領域を複数の領域に区切り、該複数の各領域に透過率補正係数を決定し、透過率補正係数マップを生成する工程（Ｓ３）と、パターン寸法マップと透過率補正係数マップから各領域の透過率補正値を求める工程（Ｓ７）と、透過率補正値に基づいて、各領域に対応する透明基板の透過率を変化させる工程（Ｓ８）とを含む。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのたわみによるパターニングの精度悪化を抑制する。
【解決手段】重ね合わせた複数枚のガラス板と、少なくとも一枚のガラス板によって保持されるパターン形成層とを備えるパターニング用ガラスマスク。 （もっと読む）

結像ビーム経路内に、位相マスクとして形成され、上に設けられた誘電体層を有する連続表面を示すミラーを備えた、反射結像光学系を有する投影露光システムを用いたリソグラフィ法が提案される。位相マスクとして形成されたミラーの領域は、結像の点（ＤＯＦ）の像の軸方向の伸張が拡大し、又は／及び、結像の点の像の横方向の伸張が縮小するように構成されることが好ましい。解像度の向上、及び製造するトレース構造部（６１、６１’）の縮小をそれぞれ達成するために、同じ放射感受性層の複数回露光を実施することが好ましい。
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【課題】基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法を得ること可能にする。
【解決手段】ガラス基板に必要な加工処理を施し、表面を粗研磨した後に仕上研磨を行う方法において、その仕上研磨工程の中に、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液（スラリー）を用いて研磨する超精密研磨工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクブランクの無機膜の表面が高度に平坦化されたものであるフォトマスクブランクを製造することができるフォトマスクブランクの製造方法およびこれを用いたフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板上に無機膜を成膜する無機膜成膜工程を含むフォトマスクブランクの製造方法において、前記無機膜成膜工程後に少なくとも前記無機膜の表面を平滑化処理することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来のＴａ系材料よりも加工特性の良好な吸収体膜等を備え、転写精度の良好なパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上の保護膜６と、バッファー層３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランクス１０であって、吸収体膜４は、タンタル（Ta）を主成分とし、さらにハフニウム（Hf）またはジルコニウム（Zr）の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなる。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクスの吸収体膜に転写パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＴａＢＮ系材料よりも高コントラストのパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上の保護膜６と、バッファー層３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランクス１０であって、吸収体膜４は、タンタル（Ta）を主成分とし、さらにテルル（Te）、アンチモン（Sb）、白金（Pt）、沃素（I）、ビスマス（Bi）、イリジウム（Ir）、オスミウム（Os）、タングステン（W）、レニウム（Re）、スズ（Sn）、インジウム（In）、ポロニウム（Po）、鉄（Fe）、金（Au）、水銀（Hg）、ガリウム（Ga）、アルミニウム（Al）から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する材料からなる。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクスの吸収体膜に転写パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 投影光学系の開口数が異なる場合においても同一のレチクルで露光を行なうことができる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光光により照明されたレチクルＭに形成されているパターンを投影光学系ＰＬを介して感光性基板Ｗ上に転写露光する露光装置において、前記レチクルＭに対する前記露光光の主光線の入射角度θ（°）が、１０≦θ≦１６及び前記投影光学系ＰＬの像側開口数ＮＡが、０．２≦ＮＡ≦０．５の条件を満足する。 （もっと読む）

局所的な屈折率の変化を含まず且つ光学的用途に適した合成ガラス質シリカで出来た実質的に気泡を含まない物品の製造方法であって、ここで許容されない気泡を含む合成ガラス質シリカで出来たインゴットは１０ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲で１２５０℃〜１５００℃の範囲での熱間静水圧プレスからなる第一の熱処理プロセスを受け、１５５０℃〜１８５０℃の範囲の温度で且つ０．０１〜１ＭＰａの範囲の圧力での第二熱処理プロセスが続けられる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に他の膜を介して又は介さずに形成されたフッ素系ドライエッチングに対して耐性を有し、かつ塩素を含有するドライエッチングで除去可能な単層又は多層で構成されたエッチングストッパー膜と、該エッチングストッパー膜に接して積層され、遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された層を１層以上含む多層で構成された遮光膜と、該遮光膜に接して積層され、単層又は多層で構成された反射防止膜とを有するフォトマスクブランク。
【効果】本発明のフォトマスクブランクを用いることにより、遮光膜のドライエッチング加工時において、従来のクロム系材料の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層膜マスクブランクの欠陥の欠陥検出感度を高くして多種多様な微細欠陥まで高速に検査することが可能な技術を提供する。また、その欠陥が凸欠陥か凹欠陥か判別することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ドット状パターン１１０からの信号強度が最大となるフォーカス位置の設定と、ホール状パターン１１１からの信号強度が最大となるフォーカス位置の設定の２つの設定で欠陥検出を行う。また、予め設定した一定のフォーカス位置で欠陥検出を行い、検出された欠陥に対し、その位置でフォーカスを振って信号強度が極大となるフォーカス位置を調べ、そのフォーカス位置が信号受光系から離れる方向の場合はその欠陥の形状はドット状、近づく場合はホール状、中間の場合は細長状と判別する。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に成膜された光学膜の欠陥発生（フォトマスクブランクの不良率）を抑制してフォトマスクブランクの製造歩留まりを高めること。
【解決手段】フォトマスクブランクの製造に用いる石英基板１１の表面（成膜面）の欠陥数を表面検査装置を用いて計測し、成膜面上の所定のサイズ(例えば、直径０．１〜０．５μｍ)の欠陥数を求める（基板検査工程）。そして、直径０．１〜０．５μｍの欠陥数が所定の個数以下の石英基板１１のみを抜き取って成膜用基板とする（基板選別工程）。この「所定の個数」は５個以下とされ、好ましくは２個以下とされる。このようにして選別された成膜用基板上に、例えば遮光膜と反射防止膜とが順次積層された遮光性膜を形成する（成膜工程）。フォトマスクブランクを位相シフト型のものとする場合には、成膜用基板と遮光性膜との間に位相シフト層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を実質的に複雑化することなしに熱膨張による変形を補償できるステンシルマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンシルマスクは、シリコン基板の一面に形成した薄膜部２と、薄膜部に形成した一つ、もしくは複数の開孔部５と、荷電粒子線の入射によって発生する熱応力を緩和するための応力緩和構造６とによって構成され、少なくともＳＯＩ基板１を酸化する工程と、表面側の酸化膜に表面開孔部のマスクとなる開孔部５を開孔する工程と、酸化膜マスクを用いて薄膜部に開孔部を形成する工程と、薄膜部に形成した開孔部の側壁を酸化する工程と、裏面側の酸化膜に裏面開孔部のマスクとなる開孔を形成する工程と、裏面酸化膜マスクを用いて支持基板に開孔部を形成する工程と、表面側酸化膜と裏面側酸化膜と表裏面の開孔部によって露出した埋込酸化膜をエッチングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】静電チャックにより吸着を行った場合でも、強度の帯電を防止できるレチクルを提供する。
【解決手段】レチクル１のパターン部２以外の部分の表面に、薄膜４が設けられている。薄膜４は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、Ｃ、Ruが用いられる。酸化防止膜の機能を有する薄膜４が設けられた場合、レチクル１の酸化が押さえられ、その結果、レチクル１の導電性が阻害されないので、静電チャックによりレチクル１を吸着した場合でも、レチクル１が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。同様、帯電防止膜としての機能を有する薄膜４が設けられた場合も、レチクル１の帯電が押さえられるので、静電チャックによりレチクル１を吸着した場合でも、レチクル１が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。 （もっと読む）

【課題】基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法を得ること可能にする。
【解決手段】ガラス基板に必要な加工処理を施し、表面を粗研磨した後に仕上研磨を行う方法において、その仕上研磨工程の中に、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液（スラリー）を用いて研磨する超精密研磨工程を設ける。 （もっと読む）