【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、シリカやセリアで研磨された後に、表面に残存するシリカやセリアを効率よく洗浄液で除去し、またステンレス製の洗浄キャリアの腐食が少ない洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨した石英ガラス基板をｐＨが２〜５、シリカのゼータ電位が−３０ｍＶ以上−２０ｍＶ以下、セリアのゼータ電位が−２０ｍＶ以上−１０ｍＶ以下、室温における石英ガラスのエッチング速度が０．３〜３．０ｎｍ／分であるフッ素化合物とホスホン酸とを含んでなる水溶液からなる洗浄液に浸漬して洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】露光の際に裏面の傷の部位での乱反射を防止し、かつ、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができるフォトマスクの修正方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフォトマスクの修正方法は、フォトマスク１の裏面に存在する傷１ａに、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラス３を塗布する工程と、前記液体ガラス３を硬化する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高寸法精度、高耐久性のシリカ容器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シリカ粒子である第一原料粉、非晶質シリカからなり平均粒径が小さい第二原料粉、主成分がシリカであり、Ａｌ元素及び／又はＯＨ基を含有するか、結晶核材を含有する第三原料粉、及び、高純度結晶質シリカである第四原料粉の準備、（２）第一及び第二原料粉を含有する基体形成用混合スラリーの作製、（３）基体形成用混合スラリーを鋳込み型枠の中に導入、（４）鋳込み型枠内の基体形成用混合スラリーを加熱脱水して基体を仮成形、（５）基体の焼成、（６）基体の内側から第三原料粉を散布して供給しながら溶融し、基体の内表面上に中間層を形成、（７）中間層が形成された基体の内側から第四原料粉を散布して供給しながら溶融し、中間層の内表面上に内側層を形成、の各工程を有し、（５）と、（６）（７）とのいずれかを先に行うシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来不可能であったフォトマスクのランダムなマスクパターンの位置誤差を、簡便かつ有効な方法で補正するフォトマスクのパタン位置の補正方法およびパタン位置が補正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板の主面上にパタンを形成したフォトマスクのパタン位置補正方法であって、フォトマスクのパタン位置を測定してパタン設計位置からのずれ量を求め、前記ずれ量が予め定めた許容値を超えているパタン位置を位置補正の対象とし、前記補正対象のパタン位置の近傍にフェムト秒レーザを照射して前記透明基板の内部に空孔を形成し、該空孔形成による応力で前記ずれ量を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】主表面の平坦度が高いマスクブランク用基板を適切に製造する。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）の研磨面間にキャリア２０で保持された基板２２を挟持して基板２２の両主表面を研磨する研磨工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、研磨工程は、上下両定盤を同心の回転軸で同一方向に回転させ、１枚の基板２２を保持したキャリア２０を研磨面上の定盤の回転軸からずらした位置に配置して、研磨面上で基板２２を定盤の回転軸を中心に相対的に公転させ、基板主表面の中心を回転軸としてキャリア２０を上下両定盤と同じ方向に回転させて、基板２２を研磨面上で自転させることで基板２２の両主表面を研磨するものであり、基板２２の自転回転数と公転回転数とを等しくする。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩやＴＦＴ−ＬＣＤ等の製造において、ＴＦＴ等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上にハーフピッチ５５ｎｍ以下のパタンを形成するためのマスクにおいて、マスク立体効果がマスクパタン転写特性に与える影響を良い方向に制御し、コントラストが高く、ＭＥＥＦの値が小さい良好な転写画像が得られるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、高ＮＡレンズで四重極偏光照明による液浸露光に用いられるマスクにおいて、該マスクが透明基板上に露光光を所定の透過率で透過し位相を変える単層の半透明膜でパタンを形成したハーフトーンマスクであって、前記マスクパタンが、ウェハ上に転写されたときにハーフピッチ３８ｎｍ〜５５ｎｍノードの範囲となるパタンであり、前記半透明膜のマスクパタンを透過した透過光と前記透明基板を透過した透過光との位相差が１６１°以上１７２°以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凸状欠陥数を低減させ、非常に高いレベルの欠陥品質を要求される反射型マスクブランク用基板として好適なマスクブランク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン（Ｔｉ）の酸化物を含有する低熱膨張ガラス基板を研磨剤により研磨した後、フッ酸を含む水溶液を用いて処理し、次いでｐＨが４以下の酸性溶液を用いて洗浄処理し、更にアルカリ性溶液を用いて洗浄処理することによるマスクブランク用基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止する。
【解決手段】 マスクブランク製造部門が、マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造し、これをマスク製造部門に提供する際、マスクブランク用透明基板の光学特性情報（透過率ばらつき）と、マスクブランクの光学特性情報（透過率ばらつき及び／又は位相差ばらつき）をマスク製造部門に提供する。また、マスクブランク用透明基板の光学特性情報は、マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門からブランク製造部門に提供される。 （もっと読む）

【課題】高いフォトマスクの重ね合わせ精度を要求されるフォトマスクに好適な基板セットを提供すること。
【解決手段】本発明の基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、複数枚セットで用いられる基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、基準基板の基準主表面に対してフィティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を使用し、かつ、パターンを形成したマスクに斜め方向からＥＵＶ光を入射した後、マスクから反射したＥＵＶ光を半導体基板（レジスト膜）上に結像させることにより、マスク上に形成されたパターンを半導体基板（レジスト膜）に転写するリソグラフィ技術において、転写パターンの寸法精度を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ光を使用し、かつ、マスクにＥＵＶ光を斜入射する露光光学系を使用するリソグラフィ技術を前提とする。このリソグラフィ技術において、マスクＭに吸収体ＡＢＳと段差部ＤＬを形成し、かつ、入射光ＩＬ２の方向余弦成分のうちマスク面内に射影される射影成分を段差部ＤＬの延在方向とほぼ直交させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】加工精度を向上できる研磨処理物の製造方法、及びこの製造方法で製造される基板を提供すること。
【解決手段】研磨粒子を含む磁性流体３０を用い、対象物５０の被研磨部位５１を研磨して研磨処理物を製造する研磨処理物の製造方法は、磁力を発するホイール１１の円周面１１１上においた磁性流体３０に被研磨部位５１を接触させた状態で、円周面１１１及び対象物５０を相対移動させることで、被研磨部位５１を研磨する工程を有し、被研磨部位５１の研磨を２回以上行う。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクのパターン開口部と非開口部とのコントラストを大きく取ることができ、パターンの検査を容易に行うことのできる反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、その検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された反射膜と、反射膜上に形成された電圧を印加することにより発光する発光層と、発光層上に形成された露光光を吸収する吸収体と、を備えることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】高い平坦性を有するマスクブランク用基板を効率的に製造する方法及びパターン転写精度に優れたマスクブランク用基板を提供する。
【解決手段】基板４の両主表面を研磨する研磨工程を経てマスクブランク用基板を製造するマスクブランク用基板の製造方法であって、研磨工程は、基板４をキャリア１で保持し、基板を上下に対向して設けられた研磨面を有する上定盤２と研磨面を有する下定盤３の両研磨面５、６の間に挟持した後、上下定盤２、３を、上下定盤の研磨面５、６に対して垂直な上下定盤の垂直軸を回転軸Ｏ１、Ｏ２としてそれぞれ回転させるとともに、基板４を、下定盤の回転軸Ｏ２に対して平行に偏心し且つ基板４の一部が下定盤の回転軸Ｏ２上又はその近傍に位置するように基板の自転軸Ｏ３を定めて、キャリア１を回転させることで自転させるものにおいて、少なくとも上定盤の研磨面５が所定の曲率半径を有する球面の一部からなり、上定盤の回転軸Ｏ１が下定盤の回転軸Ｏ２に対して所定の角度θ１で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】微細な位相シフト部を高いＣＤ精度で基板上あるいは位相シフト膜上に形成できるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板１に透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から前記基板を掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板表面の転写パターン領域の外周領域に形成され露光光を遮光する遮光部１３と前記透光性基板表面の転写パターン領域に前記掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜２０ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのガラス基板の歪みなどにより撓んだフォトマスクを使用することにより、マスク製造工程での電子ビームによる描画パターンの位置ズレ誤差の発生や、回路パターンが半導体ウエハに転写される際のパターンの位置ズレ発生による歩留まりが低下するのを防ぐ。
【解決手段】フォトマスクの製造工程において、フェムト秒パルスレーザを照射することによりマスク６内にクラック１６の分布からなるクラック集合領域１７を形成させ、そこに働く引張応力によってマスク６の平坦度を改善することで、回路パターン５の描画位置精度および回路パターンが形成される半導体ウエハの歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

反射レチクルは、ＥＵＶ放射の吸収から生じるパターン歪みを実質的に減少または除去する一方、業界基準と一致するレチクルの厚さを維持する。反射レチクルは、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス層およびＵＬＥガラスの熱伝導率より実質的に大きい熱伝導率を有するコーディエライトの基板を含む。アルミニウム層はＵＬＥガラスの第１表面上に配置され、かつＵＬＥガラスの第２表面は実質的に平坦および欠陥を有さないように研磨される。コーディエライト基板は、陽極結合を用いてアルミニウム層に直接結合されて反射レチクルを形成することができる。あるいは、中間ゼロデュア層の第１表面をアルミニウム層に結合し、第２アルミニウム層を用いてコーディエライト基板をゼロデュア層の第２表面に陽極結合し、それによって反射レチクルを形成することができる。 （もっと読む）