【課題】フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。
【解決手段】露光光に対して透明な石英やフッ化カルシウムなどの透明基板１１の主面に掘り込み形成された凹部がパターニングされており、この凹部に遮光性膜１２が設けられている。この遮光性膜１２形成領域が遮光部、遮光性膜非形成領域が透光部となる。したがって、従来構造であれば遮光性膜１２によって遮られることとなる露光光の透過光量を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】コンパクション及び中央の複屈折に関して最適化された合成石英ガラスの光学部材を提供する。
【解決手段】石英ガラスブランクに、下記工程を含む多段階アニール処理を施す。（ａ）１１３０℃〜１２４０℃の高温度範囲で処理される第１の処理段階工程、（ｂ）第１の（高速）平均冷却速度で１１００℃未満の急冷温度まで石英ガラスブランクを冷却させる工程であって、１１００℃以上の高平均値を有する仮想温度が石英ガラス中で達成される、冷却させる工程、（ｃ）第２の（低速）平均冷却速度で石英ガラスブランクを冷却させることを含む第２の処理段階工程であって、石英ガラスブランクが、９５０℃〜１１００℃の低温度範囲で処理されることにより、工程（ｂ）に記載の仮想温度の高平均値よりも少なくとも５０℃低い低平均値を有する仮想温度が石英ガラス中で達成される、第２の処理段階工程。 （もっと読む）

【課題】基板１上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２及び露光光を吸収する吸収体層４を備え、前記吸収体層４が、ＴａとＳｉの他、Ｏ、乃至は酸素ＯとＮとを含む材料からなる上層膜４２と、ＴａとＳｉとを含む材料からなる下層膜４１から構成される積層構造とした反射型フォトマスクブランク１０において、検査波長における吸収体層表面での反射率を低く抑えることにより、精度の高い検査を可能とし、更に、吸収体層表面平滑性が高く、異方性の高い良好なドライエッチ加工性を有し、且つ、吸収体層最表面がチャージアップ防止されたＥＵＶフォトリソグラフィーにて使用される反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】前記上層膜４２の検査波長における消衰係数が１より小さく、前記上層膜４２のシート抵抗が５０ＭΩ／□より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板１上に形成された多層膜２と、前記多層膜２上にあり、前記多層膜２を保護するキャッピング膜３と、パターン状に形成された吸収膜５を少なくとも具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、キャッピング膜３の成膜時や、直上の緩衝膜４、または吸収膜５のエッチング後に、キャピッピング膜３の膜厚にばらつきが生じてもＥＵＶ反射率の変動が小さいＥＵＶ露光用マスク、及びそれを作製するためのブランクを提供する。
【解決手段】前記多層膜２と前記キャッピング膜３からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜３の２ｎｍから４ｎｍの範囲の厚さの変化に対して、１％以内の変化量であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射パターン形成による表面平坦度の劣化や静電チャック時の表面平坦度劣化を抑制することができ、ＥＵＶ露光などの露光精度の向上に寄与する。
【解決手段】 光反射型マスクの作製方法であって、表面側に反射型のマスクパターンが形成され、裏面側に静電チャックのための導電性膜が形成された基板に対し、表面側の平坦度を測定し（Ｓ３）、測定された平坦度に基づき、該平坦度が所望の値となるように、導電性膜を選択的に除去して開口を形成し（Ｓ５）、導電性膜の開口率をマスク面内で変化させる。 （もっと読む）

【課題】回折されないで透過する０次光成分を極力小さくして、転写した回折格子の回折光にノイズが発生しないようにする。
【解決手段】透明基板の１面に格子状の断面略矩形の凹溝２６と凸条２７の繰り返しパタ−ンが設けられ、その繰り返しパタ−ンによる露光光２３の回折光相互の干渉縞により光導波路２２のような感光性材料中に回折格子を形成する位相マスク２１において、凹溝２６の溝深さｄ、凹溝２６と凸条２７の繰り返し周期Λ、凸条２７のデューティ比ｆが式（１）〜（４）の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】基材同士の貼り合わせにおける相対的ズレ量を、再現性良く、高精度に検出することの出来るアライメント方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、撮像したバーニヤ画像の主尺／副尺の目盛り部分の等間隔な濃淡をコントラストの波形に変換し、両者の波形を合成し、合成した波形から最も波高が高い点を認識し、バーニヤの主尺、副尺が一致した点を求めることを特徴とする。本発明の構成によれば、バーニヤ画像のコントラストから得られる合成波形の最も波高が高い点は、バーニヤ画像に対して１点であるため、高精度に、再現性良く、基材同士の貼り合わせにおける相対的ズレ量を評価することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板内部に存在する欠陥を比較的簡単な作業で修正することができる欠陥修正方法及び装置を実現する。
【解決手段】本発明では、フォトマスクを構成するガラス基板（１）に向けて照明光を投射し、ガラス基板から出射した散乱光を検出することにより内部欠陥を検出する。ガラス基板表面の、内部欠陥（３０）の近傍に光学的に透明な液状の光硬化性樹脂（３１）を滴下する。ガラス基板表面に形成された液滴（３１）を硬化させると、表面張力の作用によりガラス基板上に集束性レンズ素子が形成される。ガラス基板内の気泡に向けて入射した露光光は、レンズ素子により屈折し、気泡を迂回する光路を経て出射し、ガラス基板は、気泡による悪影響を受けないフォトマスクに修正される。 （もっと読む）

【課題】大型板状シリカガラスを成形できるシリカガラスの成形方法を提供する。
【解決手段】本シリカガラスの成形方法は、シリカガラスの少なくとも一面が平面度５μｍ以下である面同士を重ね合わせて、複数個のシリカガラスをモールドの中空部に収容し、モールドおよびシリカガラスを加熱し、シリカガラスの自重あるいはシリカガラスへの加圧により所定形状にシリカガラスを変形させて成形する。 （もっと読む）

【課題】高品質のグレースケールマスクを低コストにて製造する。
【解決手段】石英ウエハー上にＳｉ_３Ｎ_４層を堆積する工程と、石英ウエハーの裏面上のＳｉ_３Ｎ_４層上にチタン／ＴＥＯＳ層を堆積する工程と、石英ウエハーの表面からＳｉ_３Ｎ_４層を除去する工程と、石英ウエハーの表面上にＳＲＯ層を堆積する工程と、ＳＲＯ層上にマイクロレンズアレイをパターニングする工程と、ＳＲＯ層内にマイクロレンズアレイを形成する工程と、チタン層を堆積する工程と、チタン層をパターンニングおよびエッチングする工程と、マイクロレンズアレイ上にＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層を堆積する工程と、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層を平坦化する工程と、石英ウエハーの裏面からチタン／ＴＥＯＳ層を除去する工程と、平坦化されたＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層を石英のレティクル板に接着させる工程と、接着構造からＳｉ_３Ｎ_４を除いてグレースケールマスク・レティクルを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レチクルにおける成長性異物の場所を特定して成長性異物を検査し、レチクルを管理するレチクルの管理方法又はレチクルにおける成長性異物の発生を予見し、レチクルを管理する。
【解決手段】透光性基板１１の表面に被転写体に転写するためのパターン１４を有するレチクル１０の使用を管理するレチクル１０の管理方法にあたり、成長性異物２０１、２０２の分析と成長していく過程を考慮して、レチクル１０の残留汚染物質とレチクル使用環境における環境物質と、これらの物質が結晶化して成長していくためのエネルギーとしての露光光とを検査することで、フォトリソグラフィ工程におけるレチクル１０を管理するものである。とくに、露光光として、波長が短くてエネルギーの強い紫外線２３の積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とで管理するものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する欠点を正確に検出できるＥＵＶマスクブランク用の検査膜付基板、ならびに該検査付基板を用いた反射膜付基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される検査膜付基板であって、前記検査膜の材料は、ＳｉおよびＣｒからなる群から選択される少なくとも１つよりなり、前記検査膜の膜厚は２〜５０ｎｍであることを特徴とする検査膜付基板。前記検査膜の反射率は、検査波長（４８８ｎｍ）において、入射角度が０（ゼロ）〜１０度のすべての範囲で４０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半透明領域および透過領域が隣接している領域で回折光の干渉等が生じ難いプロキシミティ露光用階調マスクを提供。
【解決手段】透明基板１と、前記透明基板１上に形成された遮光膜２と、前記透明基板１上に形成された半透明膜３とを有し、前記透明基板１が露出した透過領域、前記透明基板１上に前記遮光膜２が設けられた遮光領域、および前記透明基板１上に前記半透明膜３のみが設けられた半透明領域を有し、前記半透明領域および前記透過領域が隣接するパターンを有するプロキシミティ露光用階調マスクであって、 前記半透明膜の透過率が１０％〜３５％の範囲内の場合、前記半透明領域を透過する光の位相と前記透過領域を透過する光の位相との差が４０°〜７０°の範囲内であり、 前記半透明膜の透過率が３６％〜６０％の範囲内の場合、前記半透明領域を透過する光の位相と前記透過領域を透過する光の位相との差が２０°〜５０°の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ピットやスクラッチのような凹欠点を有するＥＵＶマスクブランク用の基板表面を平滑化する方法の提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法であって、凹欠点を有する基板表面に、ポリシラザン化合物を含む溶液を塗布し、加熱・硬化してシリカ被膜（またはＳｉＯ₂を主骨格とする被膜）を形成することにより、前記凹欠点を有する基板表面を平滑化することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法。 （もっと読む）

【課題】原料を安定した組成で供給可能であり、均質な組成のチタニア−シリカガラスを容易に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】同心円状多重管バーナの多重管の中心である第１導入管と、該第１導入管の外周に接する第２導入管と、該第２導入管の外周に接する第３導入管のいずれかから、シリカ源の液体原料を気化させたガスまたはチタニア源の液体原料を気化させたガスを別個に供給して、バーナの酸水素火炎中で加水分解し、ターゲット上にガラス微粒子を堆積させた後、加熱透明化処理することにより、チタニア−シリカガラスを製造する。 （もっと読む）

【課題】高平滑で、しかも基板表面の微小な表面欠陥（特に凹状欠陥）を低減した基板が安定して得られるマスクブランク用基板、これを用いたマスクブランク、及び転写マスクを提供する。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程によりマスクブランク用基板表面を研磨した後、該基板表面に高濃度のオゾンガスを作用させる。こうして得られたマスクブランク用基板の主表面に転写パターン用の薄膜を形成してマスクブランクとする。さらに、得られたマスクブランクの薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成し、転写マスクとする。 （もっと読む）

【課題】精密研磨を行っても基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しない電子デバイス用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを電子デバイス用ガラス基板１に押付け、研磨パッド７とガラス基板との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨パッドとガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する製造方法であって、精密研磨を行う前に、ダミー基板を用いて研磨パッドとダミー基板との間に水又は有機溶媒の溶液を供給しながらダミー基板を研磨加工する工程を有し、この工程において、研磨パッドは、研磨液と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により前記精密研磨工程における研磨砥粒がガラス基板に付着して微小な凸状の表面欠陥が発生しないように界面活性剤が除去される製造方法。 （もっと読む）

【課題】合成石英ガラスのコンパクション起因及びレアファクション起因の屈折率変化を個別に算出する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー光源１から出射されたレーザー光Ｌは、ビーム整形光学系２を通過し、ＮＤフィルタ３によりエネルギが調整され、更にアパーチャ４を介してサンプルＳに照射され、エネルギモニタ５によってエネルギ密度が測定される。
レーザー光Ｌの偏光方向に対し垂直方向の屈折率変化Δｎ₁はコンパクション起因の影響しか受けておらず、コンパクション起因の屈折率変化Δｎ_cと等しい。また、レーザー光Ｌの偏光方向に対し平行方向の屈折率変化Δｎ₂はコンパクション起因とレアファクション起因の双方の影響を受け、屈折率変化Δｎ_cとレアファクション起因の屈折率変化Δｎ_rの加算に等しい。このことから、Δｎ_c＝Δｎ₁、Δｎ_r＝Δｎ₂−Δｎ₁が得られる。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの多層反射膜の成膜方法の提供、およびバッファ層及び吸収層の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法を用いて、基板上にＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、多層反射膜の成膜により基板に加わる応力と逆方向の応力を前記基板が有するように、前記基板を変形させた状態で前記多層反射膜の成膜を実施し、前記多層反射膜の成膜後、前記基板を変形前の形状に戻すことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】マスクのパターン形成面のフラットネスに起因するパターン転写時の位置ずれを防止することができる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】主表面が精密研磨された基板上に多層反射膜と吸収体膜とを成膜することによりマスクブランクを得る工程と、マスクブランクの両主表面の所定領域内における表面形態情報を取得する工程と、マスクブランクをマスクステージにセットしたときにおけるマスクパターン形成面の表面形態情報を得る工程とを有する。また、得られたマスクパターン形成面の表面形態情報に基づき、半導体基板上にパターン転写する際のマスクパターン形成面の表面形態に起因する位置ずれ量を算出し、マスクブランクの吸収体膜をパターニングするためのマスクパターンを描画する工程において前記位置ずれ量を補正しながらマスクパターンを描画する。 （もっと読む）