【課題】 曲線の近似パターンを短時間に精度良く露光することができる電子ビーム用露光マスク、電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光方法を提供すること。
【解決手段】 断面が矩形状の電子ビームEBを生成する電子ビーム生成部１３０と、向きが異なる複数のスリットS_iを備えた露光マスク１１０と、電子ビームEBを露光マスク１１０上で偏向するマスク偏向部１４０と、電子ビームEBを偏向して基板W上に投影する基板偏向部１５０と、マスク偏向部１４０と基板偏向部１５０における偏向量を制御する制御部２００とを有し、制御部２００の制御下において、電子ビームEBを複数のスリットS_iに個別に偏向し、該スリットS_iのそれぞれを透過した電子ビームEBの投影像を基板W上で繋ぐことにより、該基板W上に曲線の近似パターンを露光することを特徴とする電子ビーム露光装置による。 （もっと読む）

【課題】 透明絶縁性基板上に微細なラインアンドスペース・パターンを露光する際に、深い焦点深度を実現することが可能な位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 本発明の位相シフトマスクは、光の位相を反転させる位相シフタ１１を配置したマスクパターンを用いて、遮光膜を併用せずに、等倍投影露光でラインアンドスペース・パターンを露光するための位相シフトマスクであって、前記ラインアンドスペース・パターンのライン幅Ｌが０．５μｍ以上０．８μｍ以下で、ピッチが２Ｌであるとき、前記マスクパターンは、ライン状の位相シフタ１１を互いに平行に並べたものであって、その幅Ｗが０．５Ｌ以上０．７５Ｌ以下、ピッチＰが２Ｌであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 位相欠陥となる微小な凸欠陥や、透過光量の低下を引き起こす微小な凹欠陥を低減できるマスクブランク用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 マスクブランク用基板１０の主表面１９に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた第１凍結体１１を接触させて摺動させ、上記主表面を研磨してマスクブランク用基板を製造する。上記主表面の研磨加工は、当該主表面を精密加工した後欠陥検査を行って当該主表面上の欠陥を特定し、この特定された欠陥に対して実施するものである。 （もっと読む）

【課題】従来の露光装置をマスク描画装置におけるマスクリピータとして使用する場合、マスクが載せられるステージ台の位置を計測する構成になっており、その結果、位置精度が１０ｎｍ以上あり、位置精度が問題であった。
【解決手段】本発明では、マザーマスクやマスクの側面を直接レーザ干渉計によって直接計測する構成とする。マスク位置を直接計測することで、ステージ台からの露光中の位置ずれや、ステージ台の熱膨張に起因する位置検出誤差が生じないことで精度よく位置制御が行える。 （もっと読む）

【課題】一部に薄膜部の形成不良が生じた場合においても、マスクパターン形成に影響を受けないパターン配置を得ることができるパターン配置方法およびそのプログラムを提供する。また、上記のパターン配置をもつマスクパターンを形成するマスク作製方法、並びに当該マスク作製方法により作製されたマスクを提供する。
【解決手段】メンブレンの形成に不具合がある領域を予めパターン配置禁止領域として特定する。そして、パターンの相補分割ならびに各マスク領域への配置が完了した後に（ステップＳＴ１，ＳＴ２）、パターン配置禁止領域内に配置された再配置対象パターン４４を抽出し（ステップＳＴ３）、別のマスク領域へ再配置することにより（ステップＳＴ４）、仮にマスクブランクスにパターン形成が困難な領域が存在しても、マスクパターン形成可能なパターン配置が得られる。 （もっと読む）

【課題】透光性基板表面にある凹欠陥を修正して転写パターン欠陥やマスクパターン欠陥の発生を防止するマスクブランク用透光性基板、マスクブランク及び露光用マスクの製造方法、並びに露光用マスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に転写パターンとなるマスクパターン２が形成された露光用マスクで、マスクパターン２が形成されていない基板表面１ａにある転写パターン欠陥となる透過光量の低下を引き起こす凹欠陥３の周辺部分を針状部材４で除去し基板表面と凹欠陥の深さとの段差を低減するように修正を行う。また、このような凹欠陥の修正を、透光性基板上にマスクパターン形成用の薄膜を形成する前の段階で行う。凹欠陥の修正を施した透光性基板を使用してマスクブランク、露光用マスクを製造する。 （もっと読む）

本発明は、例えば、コンタクトのアレイがアレイのロウ方向とカラム方向で異なるピッチであるような場合において、他と比べより円形形状のコンタクトを形成するのに用いることができる照射パターンツールを含む。交互の位相シフトは、小さいピッチ（密度が高い）方向において良好に画定されたコンタクトを提供することができる。コンタクト開口の円形形状をより確実にするために、リムシフターが大きいピッチ方向に付加される。本発明の更なる特徴は、隣接したリムの間にサイドローブ抑制パターンが設けられることである。本発明はまた、照射パターンツールの形成方法を含む。
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【課題】フォトマスク及びフォトマスクの透過率補正方法を提供する。
【解決手段】透明基板２０５及び遮光膜パターン２１０を備え、透明基板２０５は、前面に低透過率領域２３０を備えるフォトマスク２００である。また、透明基板２０５の前面に不純物イオンをドーピングするステップと、半導体基板上にフォトレジストパターンを形成して臨界寸法を測定した後、その分散を改善させるか、または臨界寸法の平均値を目標臨界寸法に合わせるために、対応するフォトマスク２００の全体または一部領域に不純物イオンをドーピングするステップと、を含むフォトマスクの透過率補正方法である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】 高強度のダイヤモンドライクカーボン(ＤＬＣ)で膜厚５０ｎｍ以下の極薄メンブレンを用いた電子ビーム投影露光装置用メンブレンマスクの位置や寸法の変動のない欠陥修正を行う。
【解決手段】 Ｇａ液体金属イオン源を用いた集束イオンビームではなく、電子ビームでＤＬＣメンブレンマスクの欠陥修正を行う。白欠陥４にガス７を供給し、試料裏面から電子ビームを照射して試料を透過した電子ビームによって、白欠陥表面に吸着した原料ガス７を反応させ局所ＣＶＤを起こして加工する。この時ガス供給系と電子ビーム鏡筒の間にメンブレンマスク１を配置させることで、電子ビーム鏡筒への原料ガス７の流れ込みを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板全面を高平坦化する加工方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板とプラズマにより基板上に発生させたラジカルとを反応させて、反応生成物の揮発量を制御してガラス基板を平坦に加工する方法において、Ｘ−Ｙ軸の一方向は直線走査させ、プラズマの加工領域以上の幅にステップ走査させた後、逆方向に直線走査させ、直線／ステップ走査の繰返しがガラス基板のサイズを超えた後、最初に直線走査開始した位置からステップ方向に所定の間隔プラズマを移動させ、再度直線走査とプラズマの加工領域以上の幅のステップ走査とを繰返すガラス基板の加工方法であり、また、ガラス基板の外周部に、静止プラズマにより加工される領域以上の幅をもつプラズマ安定化用ガラスを設置して加工を行なう。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】紫外光線を使用して、多孔質低誘電率半導体ウェハのような、基板を処理するシステム及び方法が開示されている。基板は、最初に、湿式処理モジュール内にて清浄化し、次に、減圧圧力及び１００℃以下、好ましくは８０℃以下の温度にて紫外線モジュール内にて乾燥させる。ロボット式モジュールが基板を湿式処理モジュールから紫外線モジュールまで搬送する。紫外線モジュールは、１７２ｎｍのインコヒーレントな真空紫外ＶＵＶ光線を提供するパルスキセノンエキシマーランプを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】小さな又は微細な構造を備えたフォトマスクの製造に適した極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー用マスクブランクの作製方法及びそのマスクブランクを提供する。
【解決手段】表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明基板と位相シフト部は同一材料で、その表面は面一であり、サブスペースの表面は透明基板の表面から掘り下げた深さにあること。
【解決手段】（１）遮光膜、第一レジスト層の積層、（２）第一レジスト層パターンの形成、（３）遮光膜パターン（遮光部）の形成、（４）第一レジスト層パターンの剥離、（５）第二レジスト層の積層、（６）他面側から露光、現像による、第二レジスト層パターンの形成、（７）第二レジスト層パターンをエッチバックする、（８）透明基板をエッチングし、サブスペースを設ける、（９）第二レジスト層パターンを剥離し、位相シフト部を設ける、の各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 被露光物へ露光するパターンのサイズ、間隔などを制御することが可能な露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】
弾性変形可能な保持部材１０１及び保持部材上に設けられた開口パターンを有する遮光膜１０２を備えた露光用マスク１００を撓ませ、被露光物２０６に接触させた状態で露光を行う。そして、距離検知手段２１４により、露光用マスク１００を撓ませる前の露光用マスク１００と被露光物２０６との距離を検知し、距離制御手段２０１により、距離検知手段２１４からの信号に基づき露光用マスク１００を撓ませる前の露光用マスク１００と被露光物２０６との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成した凹部を透過する透過光と、その隣接する透過光との位相差を反転する位相シフトマスクにおいて、基板表面に凹部を必要としない、複数層膜構造を必要としない、構造が単純な位相シフトマスクであり、位相シフトマスクの製造工程が増加しない位相シフトマスクおよびその製造方法およびパターン転写方法を提供することにある。
【解決手段】透明基板の内部に屈折率変化部を有し、屈折率変化部を透過する透過光と、透明基板を透過する透過光との位相差を１８０度とした位相シフトマスクであって、透明基板の内部に屈折率変化部の形成は、透明基板の内部のその位置にレーザ光を収束させ発現するレーザーアブレーションにより高密度化する又は空孔を形成する位相シフトマスクの製造方法。 （もっと読む）

本発明はチタンおよび／またはフッ素でドーピングされた、均一性が極めて高いことを特徴とする高純度の石英ガラスからなる波長が１５ｎｍ以下の放射線を透過させるための光学部品用石英ガラスブランクに関する。均一性は下記の指標に関するものである。ａ）（５μｍ）^３の容積要素で平均されたＴｉＯ_２分布の局所分散が石英ガラスブランク中のＴｉＯ_２含有量の平均値に対して０．０５％ＴｉＯ_２未満であることによるミクロ不均一性、ｂ）主要機能方向での熱膨張率△αが５ｐｐｂ／Ｋである絶対的最大不均一性、ｃ）最大０．４ｐｐｂ／（Ｋ・ｃｍ）である石英ガラスの有効面での熱膨張率の径方向分散、ｄ）最大２ｎｍ／ｃｍである６３３ｎｍでの主要機能方向における特別の特性曲線を有する応力複屈折（ＳＤＢ）、ｅ）（ｂ）に基づき平均された光学面上の△αの特別の特性曲線。この石英ガラスブランクは、珪素含有およびチタン含有および／またはフッ素含有化合物の火炎堆積法によって得られるドーピングされた石英ガラスを複数の変形加工段階によって大容積の棒状の原材料として均質の石英ガラスブランクに加工し、均一化する工程によってのみ得られる。
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基板上に少なくとも転写パターンとなる薄膜を含む複数の膜が形成されたマスクブランクのレジスト膜に対して、パターンデータに従ってパターン形成する際に、パターンと照合するための膜情報を、複数の膜それぞれについて取得する。 （もっと読む）

フォトマスク基板についての情報を伝達する方法が開示されている。この方法は、レーザを使用してフォトマスク基板の上面と底面の間に配置されたフォトマスク基板の領域を加熱するステップを含む。基板の領域に加えられた熱が、フォトマスク基板を識別する情報を蓄積するマークを基板の内側に形成する。

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