本発明は、深紫外線液浸リソグラフィを用いてトップコートを利用して深紫外線（deep uv）フォトレジストを像形成する方法に関する。本発明は更に、約−９〜約１１の範囲のｐＫａを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含むトップコート組成物に関する。また本発明は、環境汚染物からのフォトレジストの汚染を防ぐために、トップバリヤコートを用いてフォトレジストに像形成する方法に関する。 （もっと読む）

その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するための組成物及びプロセスを開示する。この組成物は、アルカリ又はアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基などの塩基成分、あるいは酸化剤との組み合わせの強塩基を含む。例えば、キレート剤、界面活性剤、及び／又は共溶媒種と一緒に水性媒体中でこの組成物を利用して、集積回路製造において基板上の銅、アルミニウム及び／又はコバルト合金などの金属種に悪影響のない状態で、かつ、半導体構築において利用されるＳｉＯＣをベースとする誘電材料に損傷のない状態でフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の非常に効率的な除去を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリアミド酸またはポリエステルのプラットフォームに基づく湿式凹部形成（現像）ギャップ充填および底反射防止コーティングを提供する。
【解決手段】ポリアミド酸のプラットフォームは、熱エネルギーが供給されると、イミド化が可能になり、ポリイミドを形成する。ギャップ充填および底反射防止コーティングは、標準の水性現像液に可溶であり、またデュアルダマシンパターン形成法において、半導体基板上のビア孔およびトレンチのパターン形成に有用である。１つの実施例では、各ビア列間の疎密偏りを改善するために、銅デュアルダマシンプロセスにおいて、ポリアミド酸からなる組成物を反射防止機能を持たないギャップ充填（ビア充填）材料として用いる。別の実施例では、同じ組成物を反射防止目的に用いることができる。ここでは、凹部が形成された表面にフォトレジストを直接コーティングし、基板上のビア孔を平坦化するための充填材料としても機能させる。ここに記述する組成物は、およそ３７０ｎｍ未満の露光波長の時に特に有用である。 （もっと読む）