【解決手段】ヒドロキシナフチル基及び／又はヒドロキシアセナフチレンを有する繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料で基板上に第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に上記レジスト膜を露光、現像し、その後高エネルギー線照射により第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第２のレジスト膜を露光、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジ型レジスト材料を用い第１パターンを形成後、波長２００nmを超え３２０nm以下の高エネルギー線による架橋反応によりアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に第２のレジスト材料で第２パターンを形成することでパターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行える。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにＬＷＲの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ骨格あるいはオキセタン骨格を有する化合物、及び（Ｂ）化合物（Ａ）及びレジストパターンに対して不活性な樹脂またはオリゴマー、を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】スルホ基又はそのアミン塩で置換された炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト下層膜形成材料。
【効果】本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃系ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有する。また、塩基性物質を吸着したポーラス低誘電率膜からの汚染に対する耐性（ポイゾニング耐性）に優れ、パターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるアセタール化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ²は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ²とＲ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｘ¹は単結合又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状の二価の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明のレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】光学特性及びエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたｎ値が高く、ｋ値が低く透明でかつエッチング耐性が高く、更に昇華性成分が極めて少ない下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位を有するポリイミド、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。


（式（１）中、Ｒは環状構造、非環状構造、または環状構造と非環状構造を有する炭化水素から誘導される４価の芳香族基または脂肪族基である。Φは炭素数２〜３９の構成単位であり、脂肪族構成単位、脂環族構成単位、芳香族構成単位、オルガノシロキサン構成単位、またはこれらの組み合わせあるいは繰り返しからなる構成単位である。） （もっと読む）

【課題】低比誘電率の硬化パターンを形成できるネガ型感放射線性組成物、これを用いたパターン形成方法並びに硬化パターンを提供する。
【解決手段】本ネガ型感放射線性組成物は、（Ａ１）アルキレングリコール鎖を有するラジカル重合性化合物に由来する構造単位（Ｉ）及びアルコキシシリル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構造単位（ＩＩ）を有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する。本方法は、（１）基板表面に前記組成物用いた被膜を形成する工程と、（２）得られた被膜を熱処理する工程と、（３）熱処理された被膜を露光する工程と、（４）露光された被膜を現像して前駆パターンを得る工程と、（５）得られた前駆パターンを硬化処理して硬化パターンを得る工程と、を備える。本硬化パターンは、前記パターン形成方法によって得られる。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れると共に、硬化処理によるパターン変形がなく、半導体素子等の更なる高集積化や多層化に伴い要求されている低比誘電率の硬化パターンを形成することができるポジ型感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本ポジ型感放射線性組成物は、（Ａ）下式（１）で表される加水分解性シラン化合物、及び下式（２）で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体と、（Ｂ）感放射線性塩基発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有するものであって、ｐＨが酸性である。


〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基、Ｒ^１及びＲ^２は、各々１価の有機基、ａは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】高価な合成石英フォトマスクを用いることなく高精細な感光性樹脂凸版を製造することができ、かつ、有機電子デバイスの製造コストを低減することを可能とすること。
【解決手段】本発明は、基材１０１と基材１０１の上に形成されている感光性樹脂層１０２とを具備するパターン転移媒体１００を用意する工程と、光照射手段及４０１及び光変調手段４０２を具備する露光ユニットとパターン転移媒体１００とを相対的に移動させて予め入力された情報に基づいて光照射手段４０１から放たれる光を光変調手段４０２により変調することで露光光のパターンを形成して感光性樹脂層１０２に対し照射を行う露光工程と、感光性樹脂層１０２のうち前記露光工程において露光光が照射されない領域を除去して感光性樹脂凸版を形成する現像工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性に優れた液浸露光用レジスト組成物、該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法および当該液浸露光用レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素化合物を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素樹脂成分（Ｆ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、含フッ素樹脂成分（Ｆ）は、フッ素原子を含む構成単位（ｆ１）と、親水性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ｆ２）と、第３級アルキル基含有基又はアルコキシアルキル基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｆ３）とを有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジストパターン上に１分子内に少なくとも１つのアミノ基又はアンモニウム塩を有するアミノシラン化合物を吸着させ、その上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシラン、クロロシラン、アルコキシシラン及びイソシアネートシランから選ばれるシランガスを酸化して珪素酸化膜を形成するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、レジストパターンに直接珪素酸化膜系の膜を形成し、レジストパターンのピッチを縮小するサイドウォールスペーサー法において、上記シラン化合物でレジストパターン表面を覆うことで、その後のＣＶＤ法又はＡＬＤ法による珪素酸化膜形成を促進させ、パターンの変形やＬＷＲの増大を防ぎ、精度高くサイドウォールスペーサーパターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 特定のラクトン構造を含有する樹脂によって形成されたレジストパターンと、一分子中に二個以上の求核性官能基を有する化合物とを固相−気相反応させる表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時における基板表面の疎水性不足に起因したレジストパターン形成不良の発生を抑制することができるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】露光処理が施される被処理基板と前記露光処理を行う露光装置の投影光学系との間に液浸液を介在させて前記露光処理を行う液浸型の露光によりレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する第１工程と、前記レジスト膜上に疎水性を有する保護膜を形成する第２工程と、前記被処理基板表面の疎水性の度合いが所定のレベル以上であるか否かを判定する第３工程と、前記疎水性の度合いが所定のレベル以上である場合にのみ前記液浸型の露光により前記レジスト膜に潜像を形成する第４工程と、前記潜像を形成したレジスト膜を加熱する第５工程と、前記加熱したレジスト膜を現像する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】カルボジイミド基を有する化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が下記一般式（１−１）〜（１−３）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位のいずれか１種以上を有する高分子化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。Ｙは水酸基又はヒドロキシメチル基を示す。ｍは０、１又は２である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｙは水素原子又は水酸基を示し、少なくとも１個のＹは水酸基である。波線は結合の向きが不特定であることを示す。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】高集積化、高速度化が進むＬＳＩを生産する際、極めて微細なパターンルールを加工する技術として、簡便で工程管理に有用なダブルパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に第１ポジ型レジスト材料を塗布し、高エネルギー線をパターン照射し、アルカリ現像して第１ポジ型パターンを得る工程、得られたポジ型パターンを第２レジスト材料の溶剤に対して不溶化並びに第２レジスト材料をパターニングする際の不溶化させる工程として高温加熱及び／又は高エネルギー線の照射工程を含み、次いで、第２レジスト材料を第１レジストパターン上に塗布し、高エネルギー線をパターン照射、現像して、第２レジストパターンを得る工程を含むダブルパターン形成方法で、該第１レジスト材料含有の樹脂が式（１）の繰り返し単位を有するダブルパターン形成方法。
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