【課題】ドライエッチング時に発生するレジストパターン倒壊を抑制する。
【解決手段】下地１３上の反射防止膜１４と、反射防止膜と接触し、かつ反射防止膜上の化学増幅フォトレジストからなるレジストパターン１６とを含むフォトレジスト構造体１２に、エネルギー線を照射し、その後、フォトレジスト構造体を、レジストパターンのガラス転移点以上かつ融点未満の加熱温度で加熱する （もっと読む）

【課題】 パターン寸法精度に優れ、露光装置を長期使用可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターン形成方法は、以下の工程を含む。基板上にレジスト膜を形成する。基板の外縁部の所定領域のレジスト膜に後の現像工程で該レジスト膜を溶解するに足りる露光量で光を照射することにより、外縁部のレジスト膜に潜像を形成する。外縁部に光が照射されたレジスト膜を洗浄する。洗浄されたレジスト膜の所望の露光領域に、露光領域と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素の基板側面との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で投影光学系を通じて所望のパターン光を照射する。レジスト膜の露光領域を現像する。 （もっと読む）

【解決手段】 一般式（１）で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。
【化１】


（Ｒ¹は水素原子又はアルキル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はアリール基で、エーテル基を有してもよく、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは０〜２の整数で、０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０の整数である。）
【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

本発明の実施態様は、一般に、液浸リソグラフィプロセスに有用な非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、このようなポリマーの製造方法、このようなポリマーを使用する組成物、及びこのような組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスに関する。より詳細には、本発明の実施態様は、液浸リソグラフィプロセスにおける現像層及びこのような現像層を被覆するためのトップコート層を形成するのに有用なノルボルネン系ポリマー及びそのプロセスに関する。
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次の段階、すなわち、ａ） 複数の有機反射防止膜の多重層スタックを基材上に形成する段階、ｂ） 有機反射防止膜の多重層スタックの上層の上にフォトレジストの塗膜を形成する段階、ｃ） 露光装置を用いてフォトレジストを像様露光する段階、及びｄ）前記塗膜を現像剤で現像する段階を含むフォトレジストの画像形成方法。
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【課題】 耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）を改善した中間層形成用組成物を提供する。
【解決手段】 中間層形成用組成物を、
下記一般式（1）
【化１】


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有させて構成する。 （もっと読む）

フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有する、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてに使用される下層膜を提供する。 具体的には、発泡剤、有機材料及び溶剤を含む、又は、発泡性基を有するポリマー及び溶剤を含む、半導体装置の製造に使用される多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物。当該組成物より形成された下層膜は、その内部に空孔を有する多孔質構造となり、大きなドライエッチング速度の達成が可能である。
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【課題】 赤外線アブレージョン層に傷が入り難い柔軟性を有し、感光性樹脂層との密着性を維持し、且つ洗浄液中の残留アブレージョン膜中のカーボンブラックを版面への再付着を防ぐ感光性樹脂構成体の提供。
【解決手段】 感光性樹脂中に高ゲル分率の親水性重合体と熱可塑性エラストマーを１：3〜３：１の範囲で配合し、感光性樹脂成分と相溶性の良いバインダーポリマーを選択した赤外線アブレージョンを直接配置した凸版印刷用水系現像感光性樹脂構成体。 （もっと読む）

本発明は、ａ） 酸不安定性基で保護された少なくとも一種の酸性構造要素を含みかつ水性アルカリ性溶液中に不溶性の、ポリマー主鎖から伸びるスルホン側基を含む新規ポリマー、及びｂ） 露光時に酸を生成することができる化合物を含む、３００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の波長に感度を示す新規の化学増幅型フォトレジストに関する。また本発明は、該新規ポジ型フォトレジスト組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜等の剥離レートを早めた基板処理方法、基板処理装置、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】 レジスト膜を備えたウエハＷからそのレジスト膜を除去するための基板処理方法であって、まず、レジスト膜を備えたウエハＷをチャンバ３０に収容し、チャンバ３０を所定温度に保持する（ステップ２）。次にチャンバ３０内への窒素ガスの供給を停止してオゾンを供給し（ステップ３）、さらにオゾンを供給しながら、水蒸気を供給する（ステップ４）。その後、チャンバ３０内に水蒸気を供給しながら、チャンバ３０内で結露が生じないようにチャンバ３０へのオゾン供給を周期的に停止して、チャンバ３０内に水蒸気量の多い状態を作り出す（ステップ５）。これによりレジスト膜を変性させる。その後、純水またはアルカリ性水溶液により、変性したレジスト膜を溶解、除去する。 （もっと読む）

平版印刷版前駆体として有用な、多層、熱現像性要素を開示する。当該画像形成性要素は、基体と、該基体上の下引き層と、該下引き層上の上層とを含んで成る。上層は、アルキレングリコール側鎖、ポリアルキレングリコール側鎖、3つのアルコキシ及び／又はフェニキシ基で置換されたシリル基を有する側鎖、及び／又はトリアルキルアンモニウム側鎖を有する側鎖を含むコポリマーを有する。当該画像形成性要素は印刷室薬剤に対する、優れた耐性を有する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造およびデュアルダマシン構造の形成、リソグラフィーのやり直しなどリワークの際において使用する反射防止膜および埋め込み材の除去液を提供する。
【解決手段】有機酸及び有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種、並びにフッ化水素（ＨＦ）を含む、シリコンを含む反射防止膜および埋め込み材を取り除く除去液；並びにこれらを用いた反射防止膜および/又は埋め込み材の除去方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止組成物および回路の製造に用いられるこれらの組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は溶媒系に溶解または分散されたポリマーからなる。好ましい態様では、上記ポリマーが、式（Ｉ）および（ＩＩ）からなる群から選択される構造を有する光を弱める部位を含む。ここで、各Ｘ¹およびＸ²は、個別に、電子吸引基からなる群から選択され、Ｒ²はアルキル基およびアリール基からなる群から選択され、Ｒ³は水素およびアルキル基からなる群から選択される。得られた組成物は、スピンボール適合性があり（即ち、それらは、マイクロクロリソグラフィー工程の焼成段階より先に、または、保管している間に、架橋しない。）、湿式現像でき、優れた光学特性を有している。
【化１９】

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【課題】 オキシムスルホネート系酸発生剤を含むレジスト組成物において、コーティン
グ時の酸発生剤の析出を低減する。
【解決手段】 ベース樹脂成分（Ａ）と、オキシムスルホネート系酸発生剤（Ｂ）を、メ
チルｎ−アミルケトンを含有する有機溶剤（Ｃ）に溶解してなることを特徴とするレジス
ト組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、非画像部の汚れ防止性、色濁り防止性に優れ、かつ感度、耐刷性に優れる印刷版材料及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基材上に、光熱変換剤粒子を含有する親水性層及び、感熱画像形成層を有する印刷版材料の製造方法において、該光熱変換剤粒子が金属酸化物粒子または金属酸化物で表面を被覆された粒子であり、該親水性層は該基材上に親水性層用塗布液を塗布し、乾燥して設けられた層であり、該親水性層用塗布液を塗布し、乾燥した後に、親水性層表面をクリーニングする工程を有することを特徴とする印刷版材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、露光装置汚染や印刷機汚染が少なく、地汚れ防止性、耐刷性に優れ、かつ可視画性に優れる印刷版材料及び印刷版材料の画像形成方法を提供することにある。
【解決手段】 親水性表面を有する基材上に画像形成層を有する印刷版材料において、該親水性表面の反射濃度が１．０以上であり、該画像形成層の反射濃度が該親水性表面の反射濃度より０．２以上低いことを特徴とする印刷版材料。 （もっと読む）

【課題】低誘電材料やウエハ基板へのダメージ、汚染及び作業環境の悪化を防止することが可能な、レジスト材の除去を伴ったパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上に、ＳｉＯ₂膜などの低誘電材料膜１１を形成し、その上に水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２を形成する。次に、この水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２上に、非水溶性または非アルカリ性ポリマー層１３を形成する。次いで、レジスト膜１４を塗布・形成し、露光・現像の後に、エッチングを水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より下部の層（低誘電材料膜１１）まで行い、パターンを転写する。その後、ウエハ基板を水またはアルカリ溶液に浸漬し、側壁に露出した水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２から溶解させ、水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より上層全ての層（１３，１４）を剥離することにより、レジスト材の除去を行いつつ所定のパターンをウエハ基板上に形成する。 （もっと読む）

裏面反射防止膜（ＢＡＲＣ）層をかかるＢＡＲＣ層を有する半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。除去組成物は、超臨界流体と、共溶媒と、エッチング液と、界面活性剤とを含む。かかる除去組成物は、ＳＣＣＯ_２の除去剤としての固有の欠陥、すなわちＳＣＣＯ_２の非極性およびそれに関連する半導体基板から除去されなければならない無機塩および極性有機化合物などの種に対する可溶化能の欠如を克服する。

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本発明は、水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基を有する少なくとも一種の繰り返し単位と、ヒドロキシル及び／またはカルボキシル基を有する少なくとも一種の繰り返し単位とを含んでなるポリマー、末端ビニルエーテル基を有する架橋剤、場合によっては及び光酸発生剤及び／または酸及び／または熱酸発生剤を含む、前記組成物に関する。本発明は更に、このような組成物の使用方法にも関する。 （もっと読む）