【課題】フォトレジストパターン用保護膜の形成方法及びこれを用いた微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、露光工程を用いて前記フォトレジスト膜に露光領域及び非露光領域を画定する工程と、前記露光領域を有する前記フォトレジスト膜上に反応物質層を形成する工程と、化学結合工程を用いて前記反応物質層を反応させて前記露光領域上に保護膜を形成する工程と、前記非露光領域及び反応後に残存する前記反応物質層を現像工程により除去してフォトレジストパターンを形成する工程と、を含むフォトレジストパターン用保護膜の形成方法を提供する。この際、前記保護膜は前記フォトレジストパターン上に残存する。
また、基板を準備する工程と、上記形成方法によりフォトレジストパターン用保護膜を形成する工程と、前記保護膜及び前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板をエッチングする工程と、を含む微細パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、（イ）前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、保護膜組成物による保護膜を形成する工程、（ウ）液浸媒体を介して露光する工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像を行う工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】トレンチパターンやホールパターンの寸法を実効的に微細化したパターンをスカムを発生させずに形成する方法の提供。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、（ウ）ネガ型現像液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する工程、及び（エ）該レジストパターンに架橋層形成材料を作用させ、該レジストパターンを構成する樹脂と架橋層形成材料とを架橋させ、架橋層を形成する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】減少された寸法の電子装置フィーチャーを提供するための新規な方法を有することが望まれている。
【解決手段】半導体装置を製造するための新規な方法が提供される。本発明の好適な方法は、半導体基体の表面にフォトレジストを堆積させ、その後、レジストコーティング層を画像形成および現像すること；そのレジストレリーフ画像上に硬化性の有機または無機組成物を適用すること；エッチングしてその硬化性組成物により覆われたレジストのレリーフ画像を提供すること；および、そのレジスト物質を取り除き、これにより、硬化性の有機または無機組成物が、先に現像されたレジスト像と比較してピッチの増加したレリーフ画像で残存すること；を含む。 （もっと読む）

【課題】より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であるとともに、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）レジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、（２）隣接する第一のパターンどうしの間に、ポリシロキサンを含む樹脂成分及び溶媒を含有するとともに、酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な樹脂組成物からなる未架橋埋め込み部を形成する工程と、（３）未架橋埋め込み部の所定領域を架橋させて、第一のパターン、第一の架橋部、未架橋埋め込み部、及び第二の架橋部がこの順で配列して繰り返す配列構造を形成する工程と、（４）第一のパターン及び未架橋埋め込み部を除去して第二のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 ウェハのフォトリソグラフィー工程において、レジスト膜の下層に形成された反射防止膜を、レジスト膜に影響を与えないように除去する。
【解決手段】 ウェハＷのフォトリソグラフィー工程において、現像液に溶解性を有する反射防止膜Ｂを形成し、その後レジスト膜Ｒを形成する。露光処理後の現像処理の際に、現像液Ｈ１をウェハＷ上に供給し、レジスト膜Ｒを現像する。レジスト膜Ｒの現像が終了した時点で、ウェハＷ上に現像液Ｈ１よりも濃度が低い現像液Ｈ２を供給する。この現像液Ｈ２の供給によって反射防止膜Ｂのみを溶解させ、除去する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

本発明は、三つもしくはそれ以上の縮合した芳香族環を有する少なくとも一つの単位をポリマーの主鎖中に及び脂肪族部分を有する少なくとも一つの単位をポリマーの主鎖中に含むポリマーを含む、スピンコート可能な有機系反射防止膜組成物に関する。本発明は更に、この組成物に像を形成する方法にも関する。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。
【解決手段】（ア）特定繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。 （もっと読む）

フォトリソグラフィ２層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスで使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物は、（ａ）構造式（Ｉ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式（ＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式（ＩＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成される、但し、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）及び構造式（ＩＩＩ）のいずれも酸感応性基を含有しない、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、（ｂ）アミノ又はフェノール架橋剤からなる群から選択される少なくとも一つの架橋剤と、（ｃ）少なくとも一つの熱酸発生剤（ＴＡＧ）と、（ｄ）少なくとも一つの溶媒と、（ｅ）任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、を有する。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。
【解決手段】（ア）特定の繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するレジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。 （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜材料であって、エッチング速度が速く、このためエッチング時間を短縮してエッチング中のレジストパターンの膜減りを少なく、パターンの変形も小さく抑えることが出来る。そのため、パターンの転写を高精度に行うことができ基板に良好なパターンを形成することができるレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化５５】
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【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてナフチル基を有する繰り返し単位とフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、レジスト膜表面を親水性化することで、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。また、液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することでパターン形状の劣化を防止でき、膜表面に残存する液滴が誘発するパターン形成不良を低減することもできる。
従って、本発明のレジスト材料を用いれば、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減し、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成できる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜材料であって、エッチング速度が速く、このためレジスト下層膜として用いると、エッチング中のレジストパターンの膜減りが少なく、パターンの変形も小さく抑えることが出来る。また、架橋密度が高いために熱架橋後に緻密な膜を形成でき、そのために上層レジスト膜とのミキシングを防止でき、現像後のレジストパターンが良好である反射防止膜材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とする反射防止膜材料。
【化５３】
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用され、サーマルフロー用として好適なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、一般式（Ｉ）で表される化合物（Ｇ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、パターン倒れ、パターン形状が良好であり、且つ、二重露光において、パターン解像性、パターン形状が良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｃ）酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

本明細書中には三層アプリケーションにおいて使用するための組成物が開示されており、ここで前記組成物は、マトリックスを有しており、そしてポリマーのマトリックスを形成する少なくとも１つのタイプのシリコン系部分、ポリマーのマトリックスに結合した複数のビニル基、及びポリマーのマトリックスに結合した複数のフェニル基を含むポリマー配合物；少なくとも１種の縮合触媒；並びに、少なくとも１種の溶媒；を含む。本明細書中には、さらに、有機基層（第１の層）、反射防止組成物及び／又は本発明にて意図するフィルム（第２の層）、並びに、互いに結合したフォトレジスト材料（第３の層）を含む三層構造物も意図されている。三層パターニング・アプリケーションのための組成物を製造する方法は、ポリマーのマトリックスを形成する少なくとも１つのタイプのシリコン系部分、ポリマーのマトリックスに結合した複数のビニル基、及びポリマーのマトリックスに結合した複数のフェニル基を含むポリマー配合物を供給すること；少なくとも１種の縮合触媒を供給すること；少なくとも１種の溶媒を供給すること；少なくとも１種のｐＨ調整剤を供給すること；前記ポリマー配合物と前記少なくとも１種の溶媒の一部とを反応器中で混合して、反応性混合物を生成させること；並びに、前記少なくとも１種のｐＨ調整剤、前記少なくとも１種の縮合触媒、及び前記少なくとも１種の溶媒の残部を反応混合物中に加えて、組成物を得ること；を含む。 （もっと読む）

【課題】主鎖にシロキサン基を有する有機反射防止膜形成用ポリマー及びこれを含む有機反射防止膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜形成用ポリマーは、下記化学式で表される。


［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコール基又はエポキシ基であり、Ｒ_１は各々独立して水素原子、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン、カルボキキシル基、炭素数１〜１０のアルコール基又はエポキシ基を有するエステル基含有基である。］ （もっと読む）