【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は二級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は三級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にＣＯガス及びＮ２ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたＣＯガス及びＮ２ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜３３０を成膜する工程、膜３３０上に酸化シリコン膜３３５を形成する工程、膜３３５上にＡｒＦレジスト膜３４５を形成する工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をパターニングする工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をマスクとして酸化シリコン膜３３５をエッチングする工程、酸化シリコン膜３３５をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜３３０をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜３３０をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】超微細パターン形成リソグラフィー工程において、露光時に発生する反射光を吸収できる有機反射防止膜として用いることができる新規な吸光剤等を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜形成用吸光剤は、テトラカルボン酸ベンジルのハーフエステル構造を有する化合物または該構造を主鎖に有するオリゴマーまたはポリマーである。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】オキサゾリン基を有する化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

本発明は、デバイス上に反転トーン像を形成するための方法であって、ａ）基材上に吸光性下層を形成し； ｂ）下層の上にポジ型フォトレジストの被膜を形成し； ｃ）フォトレジストパターンを形成し； ｄ）この第一のフォトレジストパターンを硬化化合物で処理し、それによって硬化したフォトレジストパターンを形成し； ｅ）硬化したフォトレジストパターンの上に、ケイ素コーティング組成物からケイ素被膜を形成し； ｆ）ケイ素被膜をドライエッチングし、ケイ素被膜がフォトレジストパターンと概ね同じ厚さとなるまで、ケイ素被膜を除去し、及びｇ）ドライエッチングを行ってフォトレジスト及び下層を除去し、それによってフォトレジストパターンが元々在った位置の下にトレンチを形成することを含む、前記方法に関する。更に本発明は、上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法によるレジストパターン形成方法において、凸部パターンと凸部パターン上の複数の微小窪みを同時に形成する方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも、
１．基材の表面に紫外線吸収層を形成する工程と、
２．フォトマスクと該紫外線吸収層との間に、ネガ型感光性レジスト層を形成する工程と、
３．フォトマスクを介して、平行光の紫外線で露光する工程と、
４．フォトマスクと該ネガ型感光性レジストとを引き剥がし、現像する工程と、
を経て、凸型レリーフパターンと、該凸型レリーフ頂面上に少なくとも一つ以上の微小窪みを同時に形成することを特徴とするネガ型感光性レジストのパターン形成方法であって、
該紫外線吸収層の厚みが１．０μｍ以上１００．０μｍ以下であり、
該ネガ型感光性レジスト層の厚みが１０μｍ以上５００μｍ以下であり、
該フォトマスクが、
少なくとも１つ以上の凸型レリーフ形成用遮光部と、
少なくとも１つ以上の４μｍ^２以上１６００μｍ^２以下の面積を有する窪み形成用微細遮光部と、
該凸型レリーフ形成用遮光部と窪み形成用微細遮光部以外の光透過部と、から構成されることを特徴とするネガ型感光性レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法等のマルチパターニング法において、１回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（１）酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶・難溶、酸と作用した後可溶となる樹脂（Ａ）、光酸発生剤（Ｂ）及び架橋剤（Ｃ）を含む第１のレジスト組成物を基体上に塗布・乾燥して第１のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第１のレジストパターンを得、これをハードベークし、この上に第２のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第２のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第２のレジストパターンを得る工程を含むレジスト処理方法。 （もっと読む）

【課題】パターン形成工程での問題に対して表面疎水化処理の観点から解決を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、表面にシラノール基を有する半導体ウェーハの表面にアルキルシリル基を修飾する処理を行う第１の工程と、表面に修飾されたアルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行う第２の工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化及び帯電防止処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の上に、ポジレジスト１３を塗布する工程と、ポジレジスト１３にフォトリソグラフィ法によりパターンを形成する工程と、パターニングされたポジレジスト１３上に導電性化合物を有するシュリンク剤１６を塗布する工程と、シュリンク剤１６が塗布された半導体基板１１を熱処理して、ポジレジスト１３の表面に、シュリンク剤１６が反応した硬化層１７を形成する工程と、硬化層１７以外のシュリンク剤１６を溶解除去する工程と、硬化層１７を有する領域に電子線２０を照射する処理を施す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法によるレジストパターン形成を利用した印刷版において、プリンタブルエレクトロニクスの特殊なインクによる高品質印刷に対応でき、さらに印刷後の版の洗浄にも耐えうる印刷版を提供すること。
【解決手段】少なくとも、支持体上に１．０μｍ以上５０．０μｍ以下の厚みの紫外線吸収層を有し、フォトマスクと該紫外線吸収層との間に、１０μｍ以上３００μｍ以下の厚みでネガ型感光性レジスト（Ａ）層を有する積層体を、フォトマスクを介して、平行光の紫外線で露光する工程と、該ネガ型感光性レジスト（Ａ）を現像液により現像する工程と、を経て作成される印刷版であって、該紫外線吸収層が樹脂レリーフのパターン下部にだけ残されていることを特徴とする印刷版。 （もっと読む）

【課題】１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。
【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位、アダマンタンに結合する１級のヒドロキシ基を有する繰り返し単位、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体を含有する第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第１のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンに波長２００ｎｍ以下の高エネルギー線の照射処理、及び加熱処理の少なくとも一方を施すことによって架橋硬化させる工程と、前記第１のレジストパターン上に第２のポジ型レジスト材料を塗布して、第２のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第２のレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を必要限度で与え、かつアルカリ性エッチング液への溶解性を確保することによって、最終的にネガ像を得る工程をアルカリ性エッチング液によるウエットエッチングで行うポジネガ反転によるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光および現像してポジ型パターンを得る工程と、該得られたポジ型レジストパターンに架橋を形成する工程と、反転用膜を形成する工程と、アルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去することでポジ型パターンをネガ型パターンに反転する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】フリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンの高さが、表面処理及び第二のレジストパターンの形成により変化せず、かつ、第一のレジストパターンのラインウィズスラフネス(ＬＷＲ）が表面処理及び第二のレジストパターンを形成した後も変化しない、新規なフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】アジリジニル基を有する化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成でき、かつ、リソグラフィー特性も良好な液浸露光用ネガ型レジスト組成物、および該液浸露光用ネガ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】塩基解離性基を有する構成単位を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ）と、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）を除くアルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、架橋剤成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ネガ型レジスト組成物、および、支持体上に、前記液浸露光用ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フリージングプロセスにおいて第一のレジストパターンに対して特別な化学処理を施すことなく、第二のレジストの溶剤及び現像液に対して実質的に溶解せず、且つ第二のレジストパターン形成後においても形状を悪化させずにラインエッジラフネスが良好な第一のパターンを形成することができる、新規なフリージング処理用のポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有するポジ型レジスト組成物において、樹脂（Ａ）が、（ａ１）酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基を持つ繰り返し単位と、（ａ２）加熱により樹脂間を架橋する官能基を有する繰り返し単位、とを有する樹脂である、ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、前記フリージングプロセスにおいて第一のレジストパターンに対して特別な化学処理を施すことなく、第二のレジストの溶剤及び現像液に対して実質的に溶解せず、且つ第二のレジストパターン形成後においても形状を悪化させずにラインエッジラフネスが良好な第一のパターンを形成することができる、新規なフリージング処理用のポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）加熱により樹脂間を架橋する官能基を有する化合物、を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用であり、なかでも波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体の提供。
【解決手段】一般式（１）で示されるカルボキシル基を有するラクトン化合物。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ²、Ｒ³はＣ１〜１０の１価炭化水素基又はＨ。あるいは、Ｒ²、Ｒ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｗは−ＣＨ₂、−Ｓ−又は−Ｏ−。ｋ¹は０〜４の整数。ｋ²は０又は１。） （もっと読む）

【課題】液浸露光に於いて、レジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が少なく、液浸液への溶出が抑制された液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合溶媒として、鎖状ケトン、環状ケトン、鎖状エーテル及び環状エーテルからなる群から選択される溶剤を用いて製造された、特定の、シクロアルキル構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

溶剤系中に分散または溶解した非ポリマーで金属含有のナノ粒子を含む新規のハードマスク組成物と、マイクロエレクトロニクス構造においてこれらの組成物をハードマスク層として用いる方法とを提供する。組成物は感光性であり、放射線に露光すると現像剤可溶性になる機能を有する。本発明のハードマスク層はフォトレジスト層と同時にパターン形成され、その後のパターン転写ではプラズマエッチング耐性を提供する。 （もっと読む）