【解決手段】被加工基板上に化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布してレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせアルカリ可溶とし、現像して第１のポジ型パターンを得る工程、第１のパターン中の酸不安定基を脱離させると共に架橋を形成させる工程、反転膜形成用組成物として第２の化学増幅ネガ型レジスト膜形成用組成物を塗布して第２のレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂をアルカリ現像液に不溶化後、現像して、第２のネガ型パターンを得る工程、この現像工程において、現像液に可溶に反転している第１のパターンを、第２のレジスト膜中スペースパターンとして溶解除去し、反転転写する工程を含む、第１のレジスト膜の反転転写パターンを得ると共に第２のパターンを形成させるダブルパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化及びスループットの向上が図れ、かつ、塗布膜の平坦性の維持が図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷ上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布ノズルを具備する塗布処理ユニット１５と、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハを載置し、ウエハの温度上昇を抑制する冷却板７１と、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハを載置し、紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる熱板７０と、を具備する熱処理ユニット３２と、塗布処理ユニットから冷却板へウエハを搬送する搬送機構１１０と、冷却板を熱板に対して進退移動すると共に、ウエハを受け渡しする移動機構７５と、搬送機構によってウエハを冷却板に載置させる際に、ウエハ表面に紫外線を照射する第１の紫外線照射手段７７Ａと、移動機構の駆動によって冷却板上のウエハを熱板上に載置させる際に、ウエハ表面に紫外線を照射する第２の紫外線照射手段７７Ｂと、を設ける。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩を含有する高分子化合物。


【効果】上記繰り返し単位を含有する高分子化合物を感放射線レジスト材料のベース樹脂として用いた場合、高い解像性能を発揮し、パターンのＬＥＲが小さく仕上がる。 （もっと読む）

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクト、特に微細なスカムやマイクロブリッジの発生を抑制でき、またラインエッジラフネスの小さいレジスト組成物の製造方法、レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物を製造する方法であって、濾過工程を含み、その過程においてナイロンからなる濾過膜を有するフィルターを通過させることを特徴とするポジ型レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】機能性樹脂組成物としての基本特性に影響を及ぼすことなく、さらなる解像度の向上を実現することができる化学増幅型レジスト組成物及び液浸露光用化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を側鎖に有する構造単位と、式（Ｉ）


で示される構造単位と、多環式ラクトン構造を有する構造単位とを含有し、それ自体有機溶媒に可溶、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、並びに式（II）Ａ⁺Ｅ^-(II）で示される酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位（Ｒ^１は水酸基等、ｎは０〜６の整数、Ｘは炭素数１〜２０の置換可能なアルキレン基等、ｍは１〜８の整数をそれぞれ示す）を必須の構成単位として有し、その他の特定の繰り返し単位を更に有する重合体（Ａ）を含有する下層膜形成用組成物である。
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【解決手段】被加工基板上に、化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成する工程、該膜に第１ポジ型パターンを得る工程、更に該ポジ型パターンに反転膜形成用組成物に使用される有機溶剤への耐性を与える工程、第２化学増幅ポジ型レジスト材料で反転膜を形成し、該膜に第２ポジ型パターンを得る工程を含み、更に第２ポジ型レジストパターンを得るアルカリ現像液工程において、上記アルカリ性現像液に可溶に反転された第１ポジ型パターンが、第２パターンを得る工程中に溶解除去、反転転写される工程を含むダブルパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ヒドロキシ基含有溶剤や高極性溶剤を用い反転用膜の第２レジスト膜を成膜しても、第１ポジ型レジストパターンにダメージを与えず、間隙に第２レジスト材料を埋め込むことができ、第１ポジ型パターンを現像液でアルカリ可溶除去でき、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、前記パターンの微細化を図ること。
【解決手段】基板上のラインと溝とからなるパターンが形成されたレジストマスクに対して、薄膜の成膜、当該薄膜の異方性エッチングによるラインの両側壁への堆積物の形成、ラインの除去及び堆積物をマスクとした堆積物の下方膜のエッチングからなるダブルパターン形成工程を行って当該下方膜にラインと溝とからなるパターンを形成し、次いで堆積物を除去して更に上記ダブルパターン形成工程を行う。この時、当初のラインの幅と溝の開口幅との比を３：５に設定し、また溝に対応する薄膜の開口幅と、ラインの側壁を覆うように成膜された傾斜部分の幅と、の比がダブルパターン形成工程の１回目においては３：１、２回目においては１：１となるように薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】表面に反射防止膜が形成された支持体１の前記反射防止膜１ｂ上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する第一のパターニング工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体表面の疎水化処理を行う疎水化処理工程と、前記疎水化処理工程後の前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターン７を形成する第二のパターニング工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性の向上とラインエッジラフネスの低減を両立したポジ型レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、（Ａ）が式（ａ）、式（ｂ）、式（ｃ）の繰り返し単位を含む高分子化合物（１）、（Ｂ）が特定ののスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。
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本発明の方法は、ａ） 反射防止膜組成物から反射防止膜フィルムを形成し、ここで該組成物はシロキサンポリマーを含み、ｂ） 反射防止フィルムを水性アルカリ性処理液で処理し、ｃ） 処理された反射防止フィルムを水性リンス液で濯ぎ、ｄ） 前記反射防止膜組成物のフィルムの上にフォトレジストの被膜を形成し、ｅ） フォトレジストフィルムを像様露光し、及びｆ） フォトレジストを水性アルカリ性現像液で現像することを含む、反射防止膜フィルム上にコートされたフォトレジストに像を形成する方法に関する。 （もっと読む）

【解決手段】フェノール基含有繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、加熱処理後に現像液で現像し、その後波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線の照射により第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第２のレジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて第２のレジスト膜を現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、上記第１のポジ型レジスト材料で第１のパターンを形成後不溶化し、その上に第２のレジスト材料を塗布し、第１パターンのスペース部分に第２パターンを形成することでダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングで基板を加工できる。 （もっと読む）

【課題】液浸溶媒、特に水に対する物質溶出量の少ない液浸露光用レジスト組成物、および該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）のカチオン成分の１−オクタノール／水分配係数が７．０〜９．５であることを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１の発明は、基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、オキソシクロアルキル基を２つ以上有する化合物（ａ）と、フェノール類（ｆ）との重縮合反応によって得られる樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする下地材。 （もっと読む）

【課題】基板上に誘電層を形成し、誘電層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成し、パターン形成フォトレジストを通して誘電層をエッチングし、および反射防止膜およびフォトレジストを除去する段階を含む、基板における形体を形成する方法の提供。
【解決手段】該反射防止膜は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％であり、ｗが１〜４０原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＮ_uＨ_yＦ_zにより表される膜であると共に、該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上にパターンを形成する方法に関する。
【解決手段】少なくとも基板上に有機下層膜、第１のケイ素含有膜、第１のレジスト膜を成膜して、露光現像により第１のレジストパターンを形成する工程と、該パターンの上に第２のケイ素含有膜、第２のレジスト膜を成膜し、露光現像により第２のレジストパターンを形成する工程と、該パターンをマスクとしてドライエッチングにより第２のケイ素含有膜をエッチングすると共に、露出する第１のパターンをマスクとして第１のケイ素含有膜をエッチングして、第１及び第２のレジストパターンを併せたパターンを第１及び第２のケイ素含有膜に転写してケイ素含有膜パターンを形成する工程と、該パターンをマスクとしてドライエッチングにより有機下層膜にパターンを転写して有機下層膜パターンを形成する工程と、該パターンをマスクとしてドライエッチングにより基板を加工する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光においてもプロファイルやラインエッジラフネスの劣化が少なく、液浸露光時に於ける、液浸液に対する追随性が良好であり、スカムの発生が抑制された液浸露光にも好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有し、フッ素原子または珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ分子量分散度が１．３以下、かつ重量平均分子量が１.０×１０４以下であることを特徴とする樹脂、および溶剤、を含有することを特徴とするレジスト組成物。（ｘ）アルカリ可溶基（ｙ）アルカリ現像液中での溶解度が増大する基（ｚ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基 （もっと読む）

【解決手段】式（１）及び／又は（２）の繰り返し単位を有し、露光波長における消光係数（ｋ値）が０．０１〜０．４の範囲の高分子化合物（Ａ）と、芳香環を有し、露光波長における消光係数（ｋ値）が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物（Ｂ）とを含む反射防止膜形成材料。


【効果】反射防止膜形成材料は従来の有機反射防止膜と同じプロセスで製膜が可能であり、また、その反射防止膜はリソグラフィーにおいて効果的に露光光の反射を防止するものである。 （もっと読む）