【課題】液浸露光工程を利用した半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】液浸露光工程でフォトレジスト膜の上部をアルカンまたはアルコール溶媒で前処理した後、オーバーコーティング膜を形成する段階を含むことにより、少量の溶媒でむらのないオーバーコーティング膜を形成することのできる半導体素子の微細パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムに関する。
【解決手段】光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを供する。さらに本発明は調節可能なレジスト層を用いる方法及びシステムを供する。その調節可能なレジスト層は、露光前に第１組の光学特性、及び露光後に第２組の光学特性を供する。 （もっと読む）

【課題】
架橋可能なポリマー、高分子架橋剤および熱酸発生剤を含む吸収性反射防止コーティング組成物、ならびに反射防止コーティング組成物を使用して画像を形成する方法を提供する。
【解決手段】
(i) 熱酸発生剤;
(ii) 芳香族基を少なくとも１つ含む架橋可能なポリマー; および、
(iii) 構造 (6)の少なくとも１つの単位を含む高分子架橋剤、
【化１】


（式中、R₁₁〜R₁₃は、独立にH、(C₁- C₆)アルキルおよび芳香族基から選択し、ならびに、R₁₄およびR₁₅は、独立に(C₁-C₁₀)アルキルである）
を含む反射防止コーティング組成物。また、本発明の反射防止コーティング組成物を撮像する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高感度であり、かつ、印刷性能に優れるＣＴＰ方式用の印刷版材料を提供することにある。
【解決手段】基材上に親水性層と感熱画像形成層とを該基材側からこの順に有する印刷版材料において、該親水性層が、（Ａ）粒子径が１μｍ以上、１０μｍ未満の範囲にあり、かつ、金属酸化物からなるコア粒子の表面を、光熱変換能を有する金属酸化物で被覆した複合粒子を含有することを特徴とする印刷版材料。 （もっと読む）

本発明は、ポリマー、架橋性化合物及び熱酸発生剤を含む、フォトレジスト用スピンオン反射防止膜組成物であって、上記ポリマーが、フォトレジストの像の形成に使用する露光放射線において１．８に等しいかまたはこれを超える値まで反射防止膜組成物の屈折率を高めることができる少なくとも一種の官能性部、及びフォトレジストの像の形成に使用する露光放射線を吸収することができる官能性部を含む、前記反射防止膜組成物に関する。本発明は更に、本発明の反射防止膜に像を形成する方法にも関する。
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【課題】 リソグラフィー用レジスト下層膜のためのレジスト下層膜形成組成物、該レジスト下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 表面エネルギーと架橋性官能基数とが異なる少なくとも２種類のポリマーを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物。ポリマーが、高い表面エネルギーと少ない架橋性官能基数を有する第１のポリマーと、低い表面エネルギーと多くの架橋性官能基数を有する第２のポリマーを含む。更に架橋性化合物を含む。更に酸及び／又は酸発生剤を含む。最も低い表面エネルギーを有するポリマーと、最も高い表面エネルギーを有するポリマーとの表面エネルギー差が５ｍＮ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ａ^-（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ （１） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】テーパーを有するレジストパターン形成が容易に可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】通常反射率の高い材質に使用する程度の吸光剤濃度を有するフォトレジスト３を低反射率膜２に使用することで、低反射率膜２の反射率に基づいたテーパー角を有するフォトレジストパターンを形成することができる。また、断面にテーパーを有するフォトレジストパターンを形成したため、異方性エッチングにより低反射率膜２の断面をテーパー状にエッチング可能となり、等方性エッチングに比べ寸法制御性が向上する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記酸触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基性触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記塩基性触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、ＸはＯＨ又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の個数である。）
ＭＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Ａは非求核性対向イオン。）
（Ｃ）炭素数が１〜３０の有機酸、
（Ｄ）有機溶剤、
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物を用いて形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、その上に形成したフォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である。 （もっと読む）

【課題】固体表面に超微細のグラフトポリマーパターンを容易に形成しうるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】ラジカル重合を開始しうる光重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、パターン露光を行い、露光領域の該光重合開始部位を失活させる工程と、前記基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させた後、該ラジカル重合可能な不飽和化合物が光吸収しない波長の光のみで全面露光を行い、前記パターン露光時における非露光領域に残存した該光重合開始部位からラジカル重合を開始させることでグラフトポリマーを生成させる工程と、をこの順に行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における基板工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）におけるレジスト、反射防止膜の剥離は、従来は硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液（ＳＰＭ洗浄液）により行われてきたが、生産性が低く、コスト的にも不利であり、なおかつ濃厚で高温処理が必要であった。特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド及び水を含んでなるレジスト剥離用組成物では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 （もっと読む）

低誘電率（low-k）材料の形成に並びにフォトリソグラフィ工業用の反射防止性を有するハードマスク材料の形成に有用な、薄膜熱硬化性樹脂を形成するのに使用できる高ケイ素含有樹脂組成物が開示される。 （もっと読む）

本発明は、フォトレジスト用の下層を形成するための、酸発生剤及び新規シロキサンポリマーを含む新規反射防止膜組成物であって、前記シロキサンポリマーが、少なくとも一種の吸光性発色団及び次の構造（１）


［式中、ｍは０または１であり、Ｗ及びＷ’は、独立して、環状エーテルをポリマーのケイ素に連結する原子価結合または接続基であり、そしてＬは、水素、Ｗ’及びＷから選択されるか、あるいはＬ及びＷ’は、環状エーテルをポリマーのケイ素に連結する環状脂肪族連結基を一緒になって構成する］
で表される少なくとも一種の自己架橋性官能基を含む、前記反射防止膜組成物に関する。また本発明は、前記新規反射防止膜組成物の上にコーティングされたフォトレジストに像を形成する方法にも関し、良好なリソグラフィの結果を供する。更に本発明は、少なくとも一種の吸光性発色団及び構造（１）の少なくとも一種の自己架橋性官能基を含む、新規のシロキサンポリマーにも関する。
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【課題】金属メッシュの表面における光の反射を抑制、防止して、金属メッシュに付与した感光性樹脂乳剤を露光、現像する工程を経て製造されるスクリーン印刷用版の微細図形解像性を向上させる。
【解決手段】少なくともその表面がＮｉまたはＮｉを含む材料からなる金属メッシュの表面に、ＮｉまたはＮｉを含む材料と有機酸との反応物からなり、感光性樹脂乳剤の感光波長帯の光の反射率を低下させる反射防止膜を形成する。
反射防止膜として、金属メッシュの表面とアクリルポリマー由来の有機酸との反応物からなり、紫外線の反射率を低下させる反射防止膜を形成する。
金属メッシュの表面を、アクリルポリマーとジアゾ架橋剤とを用いて、ＮｉまたはＮｉを含む材料とアクリルポリマー由来の有機酸との反応物からなる反射防止膜を形成し、反射防止膜が形成された金属メッシュの所定の領域に感光性樹脂乳剤を付与した後、露光、現像を行う。 （もっと読む）

カラーフィルタ素子のアレイを有する撮像装置を提供するための装置および方法であり、各カラーフィルタ素子は、スペーサーによって互いに分離されている。スペーサーはフィルタ素子を互いに光学的に分離することができる。
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【課題】 湿式現像可能な反射防止膜組成物及びその使用方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面とポジ型フォトレジスト組成物の間に塗布する反射防止膜組成物を開示する。反射防止膜組成物は、水性アルカリ性現像液中で現像可能である。この反射防止膜組成物は、ラクトン、マレイミド、及びＮ−アルキルマレイミドから成る群から選択される１つ又は複数の部分を含む少なくとも１つのモノマー単位と、１つ又は複数の吸光性部分を含む少なくとも１つのモノマー単位とを含むポリマーを含む。このポリマーは酸に不安定な基を含まない。本発明はまた、フォトリソグラフィにおいて本発明の反射防止膜組成物を用いて、レリーフ像を形成し転写する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜をエッチングする際に、プラズマを広範囲に制御することができ、それによってエッチング特性の分布を制御することにより、その後のエッチング対象膜のエッチングにおいてＣＤ分布を制御することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】被処理体Ｗに形成された反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法は、第１電極３４および第２電極１６が上下に対向して設けられた処理容器１０内に基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、処理容器１０内に処理ガスを導入する工程と、第１電極３４および第２電極１６のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、いずれかの電極に直流電圧を印加する工程とを有する。 （もっと読む）

（ｉ）式（ＰｈＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_m（ＨＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_n（ＭｅＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_p（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９９の値を有し、ｎは０．０１〜０．９９の値を有し、ｐは０．０１〜０．９９の値を有し、ｍ＋ｎ＋ｐ≒１である）を有するシルセスキオキサン樹脂と、（ｉｉ）ポリエチレンオキシド流体と、（ｉｉｉ）溶媒とを含む反射防止膜、及び、電子デバイス上に当該反射防止膜を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜の諸特性を損なうことなく、基板上に形成される反射防止膜と、この表面に形成されるレジスト膜との密着性を高めて、パターン倒壊を抑制することができる反射防止膜形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】まず、基板Ｗに反射防止膜材料を回転塗布して、基板Ｗ上に反射防止膜Ｂを形成する。次に、ＨＭＤＳとキシレンとの混合溶媒を反射防止膜Ｂの上面に所定量供給して、そのまま回転乾燥させる。混合溶媒によって、反射防止膜Ｂの表面エネルギーのうち水素結合成分を小さくする表面改質処理が行われて、反射防止膜Ｂａとなる。その後、基板Ｗに熱処理を行う。以上により、基板Ｗに反射防止膜Ｂａが形成される。これによれば、反射防止膜Ｂａは、本来の諸特性を損なうことなく、レジスト膜との水中における密着エネルギーが増大する。 （もっと読む）

【課題】 多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物、およびこのノボラック樹脂を含むことを特徴とするレジスト下層膜材料を提供する。 （もっと読む）